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公开(公告)号：CN115810531A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202211083851.8
申请日：2022-09-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，其能够改善等离子体处理中的基片的边缘区域处的倾斜角度的控制性和基片与边缘环之间的异常放电中的至少一者。等离子体处理装置是对基片进行等离子体处理的装置，包括：腔室；配置于上述腔室内的基片支承体，其具有基座、上述基座上的静电吸盘和以包围载置于上述静电吸盘上的基片的方式配置的边缘环；高频电源，其供给用于从上述腔室的内部的气体生成等离子体的高频电功率；对上述边缘环施加负极性的直流电压的直流电源；控制上述直流电压的波形的波形控制元件；以及控制部，其调整上述波形控制元件的常数来控制上述直流电压达到所希望的值为止的时间。
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公开(公告)号：CN112951698A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202011335819.5
申请日：2020-11-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明中公开的等离子体处理方法包括在第1期间，通过从高频电源供应高频电力而在等离子体处理装置的腔室内生成等离子体的工序。等离子体处理方法进一步包括在接续第1期间的第2期间，停止供应源自高频电源的高频电力的工序。等离子体处理方法进一步包括在接续第2期间的第3期间，将负极性的直流电压从偏置电源施加到基板支承器的工序。在第3期间，未供应高频电力。在第3期间，将负极性的直流电压设定为利用二次电子在腔室内生成离子，该二次电子通过使腔室内的离子碰撞基板而释放。
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公开(公告)号：CN112103165A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010511382.X
申请日：2020-06-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明的例示性实施方式所涉及的等离子体处理方法包括通过从高频电源供应高频电力而在等离子体处理装置的腔室内由成膜气体生成等离子体的工序。等离子体处理方法还包括通过将源自等离子体的化学物种堆积在腔室的侧壁的内壁面上而在内壁面上形成保护膜的工序。在形成保护膜的工序中，从直流电源装置向等离子体处理装置的上部电极周期性地施加脉冲状的负极性直流电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111564355A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010081427.4
申请日：2020-02-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。例示的实施方式的等离子体处理装置，在对基片的等离子体处理和等离子体清洁中，在腔室内生成等离子体，从直流电源装置将脉冲状的负极性的直流电压周期性地施加到上部电极。对基片的等离子体处理时的脉冲状的负极性的直流电压的占空比小于等离子体清洁时的该占空比。对基片的等离子体处理时的直流电源装置的输出电压的平均值的绝对值，小于等离子体清洁时的直流电源装置的输出电压的平均值的绝对值。本发明能够在对基片的等离子体处理中抑制腔室内的内壁面的损伤，并且通过等离子体清洁有效地除去形成于内壁面上的沉积物。
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公开(公告)号：CN107221486B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201710173345.0
申请日：2017-03-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，执行多次各自包括第一阶段和第二阶段的循环，第一阶段生成含有第一气体的第一处理气体的等离子体，第二阶段生成含有第一气体和第二气体的第二处理气体的等离子体，依照方案自动决定进行第二阶段的期间的开始时刻与来自气体供给系统的第二气体的输出的开始时刻之间的时间差。使用函数或者表确定与第二阶段的第一气体的流量和第二气体的流量对应的延迟时间。来自气体供给系统的第二气体的输出在比第二阶段的开始时刻仅靠前基于延迟时间设定的时间差的量的时刻开始。
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公开(公告)号：CN106941067B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201610873947.2
申请日：2016-09-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明根据高频电源的负载侧的阻抗的变动适当且高速地调整高频电力的频率。在一实施方式的方法中，由等离子体处理装置的高频电源开始与第一期间中的功率相比，与该第一期间交替反复的第二期间中的功率设定得小的调制高频电力的输出。接着，取得过去的第一期间内的第一副期间的高频电源的负载侧的阻抗的移动平均值和过去的第一期间内的第二副期间的高频电源的负载侧的阻抗的移动平均值。接着，第一副期间的调制高频电力的频率和第二副期间的调制高频电力的频率根据移动平均值被设定。
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公开(公告)号：CN106992108B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201710043509.8
申请日：2017-01-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 永海幸一
IPC: H01J37/32 , H01J37/244
Abstract: 本发明提供一种在等离子体处理装置中实施的等离子体处理方法。在一个实施方式的等离子体处理方法中，交替实施多个第一阶段和多个第二阶段。在第一阶段的每一个中，从气体供给系统向处理容器内供给第一气体，从第一高频电源供给第一高频。在第二阶段的每一个中，从本第二阶段前的第一阶段连续地从第一高频电源供给第一高频。在第二阶段的每一个中，将用于从第一气体切换成第二气体的气体切换信号供给气体供给系统。另外，在将气体切换信号供给气体供给系统后，在负载阻抗这样的参数超过阈值时，开始利用第二高频电源供给第二高频。
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公开(公告)号：CN107221486A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710173345.0
申请日：2017-03-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32183 , H01J37/32449 , H01J37/32577
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，执行多次各自包括第一阶段和第二阶段的循环，第一阶段生成含有第一气体的第一处理气体的等离子体，第二阶段生成含有第一气体和第二气体的第二处理气体的等离子体，依照方案自动决定进行第二阶段的期间的开始时刻与来自气体供给系统的第二气体的输出的开始时刻之间的时间差。使用函数或者表确定与第二阶段的第一气体的流量和第二气体的流量对应的延迟时间。来自气体供给系统的第二气体的输出在比第二阶段的开始时刻仅靠前基于延迟时间设定的时间差的量的时刻开始。
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