公开(公告)号：CN106098523A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610268935.7

申请日：2016-04-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 木原嘉英 ,  大石智之 ,  久松亨

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L21/3065 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45542 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67069 ,  H01J37/32091 ,  C23C16/4404 ,  H01J37/32862

Abstract: 本发明提供一种处理被处理体的方法，该方法包括：第一步骤，向收纳有被处理体的处理容器内供给包含含硅气体的第一气体；在执行第一步骤之后，在处理容器内生成稀有气体的等离子体的第二步骤；在执行第二步骤之后，在处理容器内生成含有氧气的第二气体的等离子体的第三步骤；和在执行第三步骤之后，在处理容器内生成稀有气体的等离子体的第四步骤。该方法反复执行包括所述第一～第四步骤的流程，由此形成硅氧化膜。另外，在该方法中，在第二步骤、第三步骤和第四步骤的至少任一者中，对电容耦合型的等离子体处理装置的上部电极施加负的直流电压。

公开(公告)号：CN105845550A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610067618.9

申请日：2016-01-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 木原嘉英 ,  久松亨 ,  大石智之 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/02252

Abstract: 本发明提供一种被处理体的处理方法，通过该方法，即使掩模的开口的纵横比高，也能够使形成于被处理体上的氧化硅膜的膜厚偏差降低。在一个实施方式的方法中，反复进行包括以下步骤的流程来形成氧化硅膜：(a)在等离子体处理装置的处理容器内，生成包含卤化硅气体的第一气体的等离子体，从而在被处理体上形成反应前驱体的第一步骤；(b)在第一步骤之后，在处理容器内生成稀有气体的等离子体的第二步骤；(c)在第二步骤之后，在处理容器内生成包含氧气的第二气体的等离子体，形成氧化硅膜的第三步骤；和(d)在第三步骤之后，在处理容器内生成稀有气体的等离子体的第四步骤。

公开(公告)号：CN105316639A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510455789.4

申请日：2015-07-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 木原嘉英 ,  本田昌伸 ,  久松亨

IPC: C23C14/38 ,  H01J37/32 ,  H01J37/34

CPC classification number: C23C14/34 ,  C23C14/06 ,  C23C14/0605 ,  C23C14/0694 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/3435 ,  C23C14/345 ,  C23C16/30 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/3414 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3432 ,  H01J37/3438 ,  H01J37/3491

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。目的在于在腔室内的电极上形成作为靶发挥功能的膜并对所形成的膜进行溅射。在该等离子体处理装置中，载置基板的第一电极与同上述第一电极相向地配置的第二电极以隔开规定的间隙的方式相向地配置，该等离子体处理装置具有：第一高频电源，其向上述第二电极供给第一高频电力；直流电源，其向上述第二电极供给直流电力；以及气体供给源，其向腔室内供给气体，上述第二电极具有利用通过供给第一气体和上述第一高频电力而生成的等离子体形成的反应产物的膜，上述第二电极成为利用通过供给第二气体、上述第一高频电力以及上述直流电力而生成的等离子体对上述反应产物的膜进行溅射的靶。

公开(公告)号：CN105097489A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510250282.5

申请日：2015-05-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 久松亨 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/033

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/0332

Abstract: 本发明提供能够抑制由蚀刻形成的线条的粗糙且能够维持在蚀刻后残留的光致抗蚀剂的高度的等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置。等离子体蚀刻方法包括堆积工序和蚀刻工序。在堆积工序中，利用含有四氯化硅气体、甲烷气体以及氢气的第1处理气体的等离子体将含有硅和碳的保护层堆积在由基底层和具有规定图案的光致抗蚀剂依次层叠而成的被处理体的光致抗蚀剂上。在蚀刻工序中，将堆积有保护层的光致抗蚀剂作为掩模并利用与第1处理气体不同的第2处理气体的等离子体来对基底层进行蚀刻。