公开(公告)号：CN103137537A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201110383790.2

申请日：2011-11-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张波 ,  俞文杰 ,  赵清太 ,  狄增峰 ,  张苗 ,  王曦

IPC: H01L21/762 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种图形化全耗尽绝缘体上Si/CoSi2衬底材料及其制备方法，通过抬离（lift-on）技术制作图形化的金属Co层，然后使Co层与Si衬底两次反应生成CoSi2，通过刻蚀工艺可以控制不同区域的顶层硅厚度，以合理选择用于制备双极电路和用于制备CMOS电路的顶层硅厚度。最后通过智能剥离工艺对其进行转移，以在传统SOI衬底的BOX层和顶层硅之间的部分区域插入一层金属硅化物CoSi2，代替常规SOI双极晶体管中的集电区重掺杂埋层，未插入CoSi2的区域用以制造MOS器件，从而达到减少双极电路所需的顶层硅厚度、简化工艺等目的。本发明的工艺简单，适用于大规模的工业生产。

公开(公告)号：CN102468123A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201010532635.8

申请日：2010-11-04

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张苗 ,  张波 ,  薛忠营 ,  王曦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283

Abstract: 本发明公开了一种利用NiAl合金外延生长NiSiGe材料的方法，该方法包括在SiGe层表面淀积一层NiAl合金薄膜，然后进行退火工艺，使NiAl合金薄膜的Ni原子与SiGe层的SiGe材料进行反应，生成NiSiGe材料。因为Al原子的阻挡作用，NiSiGe层具有单晶结构，和SiGe衬底的界面很平整，可以达到0.3nm，可以大幅度提高界面的性质。

公开(公告)号：CN101355024A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200810038335.7

申请日：2008-05-30

Applicant: 上海新傲科技有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张苗 ,  张波

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L21/265 ,  H01L21/00

Abstract: 一种带有绝缘埋层的衬底的制备方法，包括如下步骤：提供第一衬底，所述第一衬底表面具有第一晶体层；在第一晶体层表面生长第二晶体层；提供第二衬底，所述第二衬底表面具有绝缘层；以第二晶体层远离第一衬底的表面和绝缘层远离第二衬底的表面作为键合表面进行键合；除去第一衬底和第一晶体层。本发明的优点在于，采用表面生长的方法形成绝缘埋层以及表面的晶体层，因此可以在较大的范围内调整绝缘埋层以及绝缘埋层表面的晶体层的厚度，且晶体层的表面是借由用于生长该晶体层的表面转变而形成的，因此具有良好的平整度。

公开(公告)号：CN101339816A

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200810041517.X

申请日：2008-08-08

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 鲍海飞 ,  李昕欣 ,  张波 ,  郭久福

IPC: G12B21/22 ,  G01N13/16

Abstract: 本发明涉及一种用于原子力显微镜的二维微动平台及力学参数的测定方法，其特征在于二维微动平台的中心开孔用于安装PZT扫描管，其中在互相垂直的X和Y位置上分别有两个调节旋钮，两个调节旋钮连接两个驱动杆，两个驱动杆与PZT扫描管连接，所述的二维微动平台固定在底座上。本发明所述的二维微动平台水平方向上的移动范围为3×3平方毫米，PZT扫描管的最大扫描位移为20微米。利用经改进的二维微动平台的AFM显微镜可进行在微结构上固定点的力学参数测试，在微取逐点进行力学－位移功能测试以及微区连续弹性系数的测试，均获得很好的一致性结果。

公开(公告)号：CN101271028A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200810036215.3

申请日：2008-04-18

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 武爱民 ,  陈静 ,  王曦 ,  魏星 ,  张波

IPC: G01L1/18 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明涉及基于硅硅键合和绝缘层上硅(SOI)的压力传感器芯片及其制作方法，属于传感器芯片领域。其特征在于支撑硅片上的浅槽和导气孔都是通过各向异性腐蚀形成的，通过控制腐蚀时间获得适当的浅槽深度可以实现器件的过压保护。通过硅硅键合技术将支撑片与倒扣的SOI片键合，完成磨片和抛光后在SOI上实现梁－膜结构提高器件的灵敏度和线性度，在加工的梁上制备力敏电阻元件，采用SOI的氧化埋层解决敏感元件和弹性元件的绝缘隔离，提高器件的长期可靠性和高温环境下的适用性。本发明提出的基于键合技术的SOI高灵敏压力传感器芯片工艺可控性和重复性好，成品率高。