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公开(公告)号：CN1463009A
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN03103462.4
申请日：2003-01-27
Applicant: 三菱电机株式会社 , 三菱电机工程株式会社
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 伪单元(DMC)中设置具有和磁致电阻元件(TMR)相同特性(即随两端施加电压而变化的特性)的多个伪磁致电阻元件(TR、TM)。并且，使加在各伪磁致电阻元件两端的施加电压小于加在存储单元(MC)的磁致电阻元件两端的施加电压，由此，伪单元被设计成具有第一与第二电阻之间的中间电阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1453790A
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN02155793.4
申请日：2002-12-02
Applicant: 三菱电机株式会社 , 三菱电机工程株式会社
IPC: G11C11/15
Abstract: 数据读出时，对应于行与列选择动作，在包含数据线(LIO、/LIO)与选择存储单元的电流通路形成前，使读出使能信号(/SE)先被激活，开始给数据线充电。通过提早完成数据线的充电，缩短了从数据读出开始，到数据线的通过电流差达到对应于选择存储单元的存储数据电平的时间，从而可以使数据读出高速化。
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公开(公告)号：CN1445783A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN03120157.1
申请日：2003-03-10
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 数据写入时，第1驱动器(INV)根据写入数据，把第1共有节点与第1及第2电压的一方电连接。第2驱动器(INVR)把第2共有节点与第1及第2电压的另一方电连接。设置了用于把各位线的一端侧与第1共有节点分别电耦合的多个第1开关电路(TR)，以及把另一端侧与第2共有节点分别电耦合的多个第2开关电路(TRR)。根据列选择结果，使对应的位线的第1及第2开关电路导通。从而，不必在各位线设置驱动器就可以进行数据写入。
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公开(公告)号：CN1440038A
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN03101853.X
申请日：2003-01-20
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 大石司
IPC: G11C16/06 , H01L29/792
CPC classification number: G11C16/28 , G11C11/5671 , G11C16/0475
Abstract: 采用擦除状态及写入状态的虚设单元(DMH、DML)，由1/2电流发生电路(2)生成与流过这些虚设单元的电流的平均电流对应的虚设电流，由电流读出·放大电路(3)将该虚设电流和与流过选择正常单元(MC)的存储单元电流对应的电流进行比较，按照其比较结果生成内部读出数据(RD)。提供了一种能够高速地读出数据的非易失性半导体存储器。
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公开(公告)号：CN1440036A
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN02152203.0
申请日：2002-11-19
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 大石司
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00 , G11C5/142
Abstract: 薄膜磁性体记忆装置，具备用于收发与外部的电波的天线部件(4)。构成天线部件(4)的电感布线(5)具有金属布线(6)；其下面部分或者其下面部分及侧面部分对应形成的磁性体膜(7)。磁性体膜(7)，不必设置专用的制造工序，在薄膜磁性体记忆装置的原来的制造工序内被制作。
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公开(公告)号：CN1423279A
公开(公告)日：2003-06-11
申请号：CN02142120.X
申请日：2002-08-28
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 大石司
CPC classification number: G11C29/026 , G11C7/062 , G11C11/16 , G11C29/02 , G11C2029/5006 , G11C2207/063
Abstract: 数据读出电路根据分别流过第1和第2节点的电流之差,生成读出数据。在数据读出工作时,利用电流传递电路和基准电流发生电路,分别在第1和第2节点中流过与选择存储单元的通过电流对应的存取电流和规定的基准电流。在测试模式中,电流切换电路在第1和第2节点中流过同一测试电流,来代替存取电流和基准电流。由此,可评价数据读出电路中的电流读出放大器的偏移。
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