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公开(公告)号：CN1495798A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03110588.2
申请日：2003-04-11
申请人： 三菱电机株式会社 , 三菱电机工程株式会社
CPC分类号： G11C7/1039 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C2207/2227
摘要： 对有选择地成为存取对象的第1和第2存储单元块(5a、5b)，周边电路(10)写入和读出向数据节点(10#)输入、或从数据节点(10#)中输出的L位(L为2以上的整数)的输入数据(DIN)和输出数据(DOUT)。周边电路(10)利用响应于时钟信号(CLK)而工作的电路组(20a、20b、25a、25b、30、40、50、60、70)，将数据写入工作和数据读出工作两者皆分为多个阶段，进行流水线方式处理。
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公开(公告)号：CN100342452C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN03138661.X
申请日：2003-06-06
申请人： 三菱电机株式会社 , 三菱电机工程株式会社
CPC分类号： G11C11/16
摘要： 本发明是一种抑制附加在数据线等上的寄生电容的薄膜磁性体存储器。在该薄膜磁性体存储器中，将多条位线分割为各Y条(Y：2以上的整数)的多个群。此外，设置在数据读出时数据读出电流通过的Y条读出数据线，在每个群中设置导电性地耦合Y条位线与Y条读出数据线的Y个连接控制部。因此，可均等地分割与Y条读出数据线导电性地连接的连接控制部的个数，利用与连接控制部的导电性的连接，可抑制附加在读出数据线上的寄生电容。由此，可缩短将读出数据线充电到规定的电压电平时的充电时间，可进行高速的数据读出。
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公开(公告)号：CN1489151A
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN03138661.X
申请日：2003-06-06
申请人： 三菱电机株式会社 , 三菱电机工程株式会社
CPC分类号： G11C11/16
摘要： 将多条位线分割为各Y条(Y：2以上的整数)的多个群。此外，设置在数据读出时数据读出电流通过的Y条读出数据线，在每个群中设置导电性地耦合Y条位线与Y条读出数据线的Y个连接控制部。因此，可均等地分割与Y条读出数据线导电性地连接的连接控制部的个数，利用与连接控制部的导电性的连接，可抑制附加在读出数据线上的寄生电容。由此，可缩短将读出数据线充电到规定的电压电平时的充电时间，可进行高速的数据读出。
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公开(公告)号：CN1448944A
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN02155788.8
申请日：2002-12-03
申请人： 三菱电机株式会社 , 三菱电机工程株式会社
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： G11C7/062 , G11C7/14 , G11C11/4087 , G11C11/4091 , G11C11/4099 , G11C2207/2281
摘要： 在存储阵列(10)内连续地设置标准存储单元(MC)和伪单元(DMC)。数据读出时，第一与第二数据线(LIO、LIOr)分别连接选择存储单元与伪单元，其中通过差动放大器(60)的工作电流。在第一与第二数据线(LIO、LIOr)的通过电流之间，加上对应于来自电压发生电路(55、56)的第一与第二偏置控制电压(Vofd、Vofr)之电压差的偏置；通过伪单元的基准电流(Iref)被设于通过选择存储单元的数据读出电流(Idat)的对应于存储数据的两种电平之间的中间电平上。
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公开(公告)号：CN100476992C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN02155788.8
申请日：2002-12-03
申请人： 三菱电机株式会社 , 三菱电机工程株式会社
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： G11C7/062 , G11C7/14 , G11C11/4087 , G11C11/4091 , G11C11/4099 , G11C2207/2281
摘要： 在存储阵列(10)内连续地设置标准存储单元(MC)和伪单元(DMC)。数据读出时，第一与第二数据线(LIO、LIOr)分别连接选择存储单元与伪单元，其中通过差动放大器(60)的工作电流。在第一与第二数据线(LIO、LIOr)的通过电流之间，加上对应于来自电压发生电路(55、56)的第一与第二偏置控制电压(Vofd、Vofr)之电压差的偏置；通过伪单元的基准电流(Iref)被设于通过选择存储单元的数据读出电流(Idat)的对应于存储数据的两种电平之间的中间电平上。
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公开(公告)号：CN1329918C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN02155793.4
申请日：2002-12-02
申请人： 三菱电机株式会社 , 三菱电机工程株式会社
IPC分类号： G11C11/15
摘要： 数据读出时，对应于行与列选择动作，在包含数据线(LIO、/LIO)与选择存储单元的电流通路形成前，使读出使能信号(/SE)先被激活，开始给数据线充电。通过提早完成数据线的充电，缩短了从数据读出开始，到数据线的通过电流差达到对应于选择存储单元的存储数据电平的时间，从而可以使数据读出高速化。
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公开(公告)号：CN1463009A
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN03103462.4
申请日：2003-01-27
申请人： 三菱电机株式会社 , 三菱电机工程株式会社
CPC分类号： G11C11/16
摘要： 伪单元(DMC)中设置具有和磁致电阻元件(TMR)相同特性(即随两端施加电压而变化的特性)的多个伪磁致电阻元件(TR、TM)。并且，使加在各伪磁致电阻元件两端的施加电压小于加在存储单元(MC)的磁致电阻元件两端的施加电压，由此，伪单元被设计成具有第一与第二电阻之间的中间电阻。
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公开(公告)号：CN1453790A
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN02155793.4
申请日：2002-12-02
申请人： 三菱电机株式会社 , 三菱电机工程株式会社
IPC分类号： G11C11/15
摘要： 数据读出时，对应于行与列选择动作，在包含数据线(LIO、/LIO)与选择存储单元的电流通路形成前，使读出使能信号(/SE)先被激活，开始给数据线充电。通过提早完成数据线的充电，缩短了从数据读出开始，到数据线的通过电流差达到对应于选择存储单元的存储数据电平的时间，从而可以使数据读出高速化。
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公开(公告)号：CN1295708C
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN02131598.1
申请日：2002-09-10
申请人： 三菱电机株式会社 , 三菱电机工程株式会社
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： G11C11/16
摘要： 在数据读出时，被选择的存储单元(MC)及比较单元(MC#)通过互补的第1及第2位线(BL，/BL)，分别与互补的第1及第2数据线(DIO，/DIO)连接。差动放大器(60)向互补的第1及第2数据总线(DB，/DB)提供存储单元(MC)及比较单元(MC#)的通过电流，同时对与存储单元(MC)及比较单元(MC#)的电阻差对应产生的第1及第2数据总线(DB，/DB)的通过电流差进行放大，在第1及第2节点(No，/No)之间产生具有与选择存储单元的存储数据的电平对应的极性的电压差(ΔV)。
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公开(公告)号：CN1435842A
公开(公告)日：2003-08-13
申请号：CN02131598.1
申请日：2002-09-10
申请人： 三菱电机株式会社 , 三菱电机工程株式会社
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： G11C11/16
摘要： 在数据读出时，被选择的存储单元(MC)及比较单元(MC#)通过互补的第1及第2位线(BL，/BL)，分别与互补的第1及第2数据线(DIO，/DIO)连接。差动放大器(60)向互补的第1及第2数据总线(DB，/DB)提供存储单元(MC)及比较单元(MC#)的通过电流，同时对与存储单元(MC)及比较单元(MC#)的电阻差对应产生的第1及第2数据总线(DB，/DB)的通过电流差进行放大，在第1及第2节点(No，/No)之间产生具有与选择存储单元的存储数据的电平对应的极性的电压差(ΔV)。
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