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公开(公告)号：CN100476992C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN02155788.8
申请日：2002-12-03
Applicant: 三菱电机株式会社 , 三菱电机工程株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C7/062 , G11C7/14 , G11C11/4087 , G11C11/4091 , G11C11/4099 , G11C2207/2281
Abstract: 在存储阵列(10)内连续地设置标准存储单元(MC)和伪单元(DMC)。数据读出时，第一与第二数据线(LIO、LIOr)分别连接选择存储单元与伪单元，其中通过差动放大器(60)的工作电流。在第一与第二数据线(LIO、LIOr)的通过电流之间，加上对应于来自电压发生电路(55、56)的第一与第二偏置控制电压(Vofd、Vofr)之电压差的偏置；通过伪单元的基准电流(Iref)被设于通过选择存储单元的数据读出电流(Idat)的对应于存储数据的两种电平之间的中间电平上。
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公开(公告)号：CN1329918C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN02155793.4
申请日：2002-12-02
Applicant: 三菱电机株式会社 , 三菱电机工程株式会社
IPC: G11C11/15
Abstract: 数据读出时，对应于行与列选择动作，在包含数据线(LIO、/LIO)与选择存储单元的电流通路形成前，使读出使能信号(/SE)先被激活，开始给数据线充电。通过提早完成数据线的充电，缩短了从数据读出开始，到数据线的通过电流差达到对应于选择存储单元的存储数据电平的时间，从而可以使数据读出高速化。
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公开(公告)号：CN1453790A
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN02155793.4
申请日：2002-12-02
Applicant: 三菱电机株式会社 , 三菱电机工程株式会社
IPC: G11C11/15
Abstract: 数据读出时，对应于行与列选择动作，在包含数据线(LIO、/LIO)与选择存储单元的电流通路形成前，使读出使能信号(/SE)先被激活，开始给数据线充电。通过提早完成数据线的充电，缩短了从数据读出开始，到数据线的通过电流差达到对应于选择存储单元的存储数据电平的时间，从而可以使数据读出高速化。
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公开(公告)号：CN1295708C
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN02131598.1
申请日：2002-09-10
Applicant: 三菱电机株式会社 , 三菱电机工程株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 在数据读出时，被选择的存储单元(MC)及比较单元(MC#)通过互补的第1及第2位线(BL，/BL)，分别与互补的第1及第2数据线(DIO，/DIO)连接。差动放大器(60)向互补的第1及第2数据总线(DB，/DB)提供存储单元(MC)及比较单元(MC#)的通过电流，同时对与存储单元(MC)及比较单元(MC#)的电阻差对应产生的第1及第2数据总线(DB，/DB)的通过电流差进行放大，在第1及第2节点(No，/No)之间产生具有与选择存储单元的存储数据的电平对应的极性的电压差(ΔV)。
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公开(公告)号：CN1435842A
公开(公告)日：2003-08-13
申请号：CN02131598.1
申请日：2002-09-10
Applicant: 三菱电机株式会社 , 三菱电机工程株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 在数据读出时，被选择的存储单元(MC)及比较单元(MC#)通过互补的第1及第2位线(BL，/BL)，分别与互补的第1及第2数据线(DIO，/DIO)连接。差动放大器(60)向互补的第1及第2数据总线(DB，/DB)提供存储单元(MC)及比较单元(MC#)的通过电流，同时对与存储单元(MC)及比较单元(MC#)的电阻差对应产生的第1及第2数据总线(DB，/DB)的通过电流差进行放大，在第1及第2节点(No，/No)之间产生具有与选择存储单元的存储数据的电平对应的极性的电压差(ΔV)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100342452C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN03138661.X
申请日：2003-06-06
Applicant: 三菱电机株式会社 , 三菱电机工程株式会社
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 本发明是一种抑制附加在数据线等上的寄生电容的薄膜磁性体存储器。在该薄膜磁性体存储器中，将多条位线分割为各Y条(Y：2以上的整数)的多个群。此外，设置在数据读出时数据读出电流通过的Y条读出数据线，在每个群中设置导电性地耦合Y条位线与Y条读出数据线的Y个连接控制部。因此，可均等地分割与Y条读出数据线导电性地连接的连接控制部的个数，利用与连接控制部的导电性的连接，可抑制附加在读出数据线上的寄生电容。由此，可缩短将读出数据线充电到规定的电压电平时的充电时间，可进行高速的数据读出。
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公开(公告)号：CN1489151A
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN03138661.X
申请日：2003-06-06
Applicant: 三菱电机株式会社 , 三菱电机工程株式会社
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 将多条位线分割为各Y条(Y：2以上的整数)的多个群。此外，设置在数据读出时数据读出电流通过的Y条读出数据线，在每个群中设置导电性地耦合Y条位线与Y条读出数据线的Y个连接控制部。因此，可均等地分割与Y条读出数据线导电性地连接的连接控制部的个数，利用与连接控制部的导电性的连接，可抑制附加在读出数据线上的寄生电容。由此，可缩短将读出数据线充电到规定的电压电平时的充电时间，可进行高速的数据读出。
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公开(公告)号：CN1448944A
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN02155788.8
申请日：2002-12-03
Applicant: 三菱电机株式会社 , 三菱电机工程株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C7/062 , G11C7/14 , G11C11/4087 , G11C11/4091 , G11C11/4099 , G11C2207/2281
Abstract: 在存储阵列(10)内连续地设置标准存储单元(MC)和伪单元(DMC)。数据读出时，第一与第二数据线(LIO、LIOr)分别连接选择存储单元与伪单元，其中通过差动放大器(60)的工作电流。在第一与第二数据线(LIO、LIOr)的通过电流之间，加上对应于来自电压发生电路(55、56)的第一与第二偏置控制电压(Vofd、Vofr)之电压差的偏置；通过伪单元的基准电流(Iref)被设于通过选择存储单元的数据读出电流(Idat)的对应于存储数据的两种电平之间的中间电平上。
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公开(公告)号：CN1501406A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN03178715.0
申请日：2003-07-14
Applicant: 株式会社瑞萨科技 , 三菱电机工程株式会社
Abstract: 在读出放大器中，用晶体管(QV1与QV2)将局部输入输出线(LIO、/LIO)维持在预定电压。并且，构成电流反射镜的晶体管(QP3与QP7)按照通过晶体管(QP1与QP5)的通过电流将工作电流供给读出节点(SA、/SA)。又，构成电流反射镜的晶体管(QN2与QN3)从读出节点(SA、/SA)抽出对应于通过晶体管(QP5与QP1)的通过电流的工作电流。与此相应，在读出节点(SA、/SA)上产生对应于工作电流差的电压差。
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公开(公告)号：CN100383893C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN03178715.0
申请日：2003-07-14
Applicant: 株式会社瑞萨科技 , 三菱电机工程株式会社
Abstract: 在读出放大器中，用晶体管(QV1与QV2)将局部输入输出线(LIO、/LIO)维持在预定电压。并且，构成电流反射镜的晶体管(QP3与QP7)按照通过晶体管(QP1与QP5)的通过电流将工作电流供给读出节点(SA、/SA)。又，构成电流反射镜的晶体管(QN2与QN3)从读出节点(SA、/SA)抽出对应于通过晶体管(QP5与QP1)的通过电流的工作电流。与此相应，在读出节点(SA、/SA)上产生对应于工作电流差的电压差。
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