公开(公告)号：CN1265680C

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN01143686.7

申请日：2001-09-28

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 山田努 ,  米田清

IPC: H05B33/10 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L51/0013 ,  C23C14/042 ,  H01L27/3211 ,  H01L51/001 ,  H01L51/0011 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0062 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/56

Abstract: 在通过将发光材料附着到基片(10)上来形成一层例如有机EL元件的发光层的情况中，在基片(10)和材料源(200)之间设有蒸发掩模(100)，它包含有与形成具有多个单独图案的层对应的开口(110)并且其面积小于基片。使掩模(100)和材料源(200)以及基片(10)之间的相对位置滑动与基片(10)的像素尺寸对应的预定间距，从而在基片的预定区域中形成材料层(例如发光层64)。因此，可以通过例如蒸发作用在基片上高精度地形成材料层。

公开(公告)号：CN1755455A

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN200510107947.3

申请日：2005-09-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 山田努 ,  小间德夫 ,  前田和之

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/1339

CPC classification number: G02F1/133371 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/13394

Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置，其中各像素相对于显示色(红、绿、蓝)而调整其液晶层厚度。例如：相对显示色彩色滤光片的厚度相对于显示色而改变，各像素液晶层的厚度(cell gap)相对于液晶的光穿透率而设定在一定值。而且，为维持固定的液晶层厚度而设的间隔材不设置在多数显示色中的该厚度较大的区域，而是设置在该厚度较小的像素区域中的彩色滤光片的上方；以使液晶内所设置的间隔材全部都能实际用来维持间隙。

公开(公告)号：CN1235446C

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN02141466.1

申请日：2002-08-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 西川龙司 ,  山田努

IPC: H05B33/10 ,  C23C14/04

CPC classification number: H01L51/56 ,  C23C14/044 ,  H01L27/3211 ,  H01L51/001

Abstract: 本发明提供一种电激发光元件的制造方法及蒸镀遮罩，以提高EL显示面板的蒸镀图案化精密度。本发明将蒸镀遮罩(12)配置于蒸发源(16)与塑料基板(10)之间，通过与形成于蒸镀遮罩(12)的EL元件的蒸镀层的图案对应的开口部，而选择性地使来自蒸发源(16)的蒸发物质通过，以于塑料基板(10)上形成蒸镀层。此蒸镀遮罩的材料可采用热膨胀系数与塑料基板10相同的材料、例如为±30%以内的材料、例如聚酰亚胺(PI：Polyimide)等塑料材料。此外就耐热性而言，则以例如较塑料基板(10)高约50℃以上的材料更为理想。将此种材料采用于蒸镀遮罩，而在蒸镀时，使塑料基板的热变形与蒸镀遮罩的热变形成为相同程度，以提高蒸镀图案化的精密度。

公开(公告)号：CN1223009C

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN01137968.5

申请日：2001-09-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 山田努 ,  安斋胜矢

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/326 ,  H01L31/12 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026

Abstract: 在电源线16与有机EL元件60之间并列形成元件驱动用晶体管TFT2a、TFT2b，该TFT2a、TFT2b的有源层12在使其多晶化退火所用的激光扫描方向相互分开。由此可以减少TFT2a、TFT2b的退火条件不完全相同，而在晶体管TFT2a、TFT2b的中产生同样的不适的可能性。激光扫描方向在图中列方向移动时，单个或多个晶体管TFT2(TFT2a、TFT2b)最好配置成其沟道纵向与该扫描方向一致。

公开(公告)号：CN1218291C

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN03101972.2

申请日：2003-01-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 佐野景一 ,  山田努

IPC: G09G3/32 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L29/6675 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/136209 ,  H01L27/1251 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78645 ,  Y10T428/24479

Abstract: 本发明提供半导体显示装置，其制造方法及有源矩阵型显示装置，其目的在于：即使具备通过对遮光层上方的非晶半导体照射雷射以制得多晶半导体的步骤时，亦能保持良好的显示品质。其特征为：在玻璃基板1上形成遮光层2，而在此等玻璃基板1以及遮光层2上，积层形成有氮化硅层3以及氧化硅层4。在此氧化硅层4上形成构成晶体管DTFT的多晶硅层4的非晶硅层。然后，通过对此非晶硅层照射雷射，而形成多晶硅层10。

公开(公告)号：CN1534352A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN200410030920.4

申请日：2004-03-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 小田信彦 ,  山田努 ,  宫岛康志 ,  小川真司

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/133555 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227

Abstract: 本发明提供一种显示装置，可抑制曝光时因乱反射的光而导致的显示质量降低。该显示装置具有反射区域与透过区域的显示装置，具有：形成于基板上的与反射区域对应的区域的凸状绝缘膜；以及形成于凸状绝缘膜下，且以至少延伸到凸状绝缘膜的侧端部所在的区域的方式形成的遮光膜。

公开(公告)号：CN1499642A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN200310113460.7

申请日：2003-11-11

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 濑川泰生 ,  青田雅明 ,  山田努

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/78 ,  G02F1/133 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明关于一种半导体装置及其制造方法，其特征在于，使隔着栅极绝缘层与TFT(10)的栅极电极(20)电容结合的第1半导体层(15)，及隔着栅极绝缘层与保持电容的保持电容线(42)电容结合的第2半导体层(16)相互分开，并且由金属配线(43)连接第1半导体层(15)与第2半导体层(16)。即，分别使TFT(10)的栅极电极(20)与第1半导体层(15)电容结合，及使保持电容的保持电容线(42)与第2半导体层(16)电容结合，由于该结合而使各半导体层的电位产生变化，因此，不会产生大的电位差，可防止绝缘破坏或绝缘泄漏的发生。

公开(公告)号：CN1450197A

公开(公告)日：2003-10-22

申请号：CN03121219.0

申请日：2003-03-28

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 西川龙司 ,  山田努

IPC: C23C14/04 ,  H01L33/00

CPC classification number: C23C14/24 ,  C23C14/042 ,  C23C14/12 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/001 ,  H01L51/0013 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明的目的是在蒸镀工序中，控制由掩膜所导致的对于基板表面的损害。是通过在磁铁(120)与由磁性材料所构成的掩膜(1)之间插入玻璃基板(130)，并使玻璃基板(130)与掩膜(1)密接。由蒸镀源(140)通过掩膜(1)的开口部(2)在玻璃基板(130)的表面进行有机EL元件材料的蒸镀，从而形成有机EL元件的图案。并对与掩膜(1)的玻璃基板(300)表面相对一侧的表面实施粗糙化处理。

公开(公告)号：CN1445862A

公开(公告)日：2003-10-01

申请号：CN03119560.1

申请日：2003-03-11

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 山田努 ,  濑川泰生 ,  青田雅明

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78621

Abstract: 本发明是一种将栅极电极形成于有源层之上层的顶栅型TFT，覆盖TFT有源层(24)以及栅极绝缘膜(30)、栅极电极(36)而形成的层间绝缘膜(40)，采用由有源层侧积层SiNx膜(42)、SiO2膜(44)的积层结构，SiNx膜(42)的厚度，设定为50nm至200nm左右，更优选100nm左右，借助于设定为上述厚度，可对下层的多结晶Si有源层(24)供给充足的终止悬空键用的氢，并维持形成于该层间绝缘膜(40)的接触孔等的形成精度。从而可提高多结晶SiTFT的特性。

公开(公告)号：CN1432853A

公开(公告)日：2003-07-30

申请号：CN02159603.4

申请日：2002-12-27

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 小田信彦 ,  石田聪 ,  山田努

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1343 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L51/5271 ,  G02F1/133553 ,  G02F1/133555 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/3244 ,  H01L2251/5315

Abstract: 本发明是以实现高品质化的反射型及半透过型LCD为目的。其特征为：在第1基板100上，形成依各像素所设置的TFT 110、覆盖此的绝缘膜34、38、以及在绝缘膜上与TFT 110绝缘并将来自第2基板200侧的入射光予以反射的反射层44。反射层44是由保护膜46所覆盖，在此保护膜46上形成由具备有与第2电极250同样工作函数的ITO等透明导电材料所构成的第1电极50并与TFT 110连接。借由覆盖反射层44的保护膜46而可使反射层44的反射面，在处理TFT 110与第1电极50之间的接触时，受到保护并防止反射特性的恶化。而且，借由特性类似的第1、第2电极50、250可以良好对称性地交流驱动液晶层300。