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公开(公告)号：CN1297847C
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200410037220.8
申请日：2004-04-22
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/133371
Abstract: 本发明的目的在于提供一种可抑制因配向膜的厚度不均等而引起显示质量降低的显示装置。该显示装置包含一具有反射区域与通过区域的显示区域者，且包括：凸状区域，其具有形成于与基板上的反射区域对应的区域上的凸状绝缘膜；以及以覆盖凸状绝缘膜的方式所形成的配向膜。而且，未形成有凸状绝缘膜的凹状区域，是以在相邻像素间连续的方式所形成。
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公开(公告)号：CN1755462A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200510105639.7
申请日：2005-09-28
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: G02F1/1339 , G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/133371 , G02F1/133514 , G02F1/13394
Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置，其中，各像素系对应显示色(红、绿、蓝)的不同而调整该液晶层的厚度。例如，依据显示色来改变与显示色对应的滤色片的厚度，藉此使各像素的液晶层厚度(Cell Gap，晶元间距)成为对应液晶的光穿透率的预定值。此外，为了将晶元间距维持固定，系使形成于滤色片上方的间隔材的高度，设成按照对应液晶层厚度的不同而不同的值，而该液晶层厚度系因显示色的不同而不同，即使在形成有间隔材的不同显示色的任一像素区域中，间隔材亦实质上有益于间距的维持。
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公开(公告)号：CN1595271A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410083715.4
申请日：2002-12-27
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1343 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L51/5271 , G02F1/133553 , G02F1/133555 , G02F1/136227 , H01L27/3244 , H01L2251/5315
Abstract: 本发明是以实现高品质化的EL显示装置为目的。其特征为：在基板100上，形成依各像素所设置的TFT110、覆盖此TFT 110的绝缘膜34、38、以及在绝缘膜上与TFT 110绝缘并将来自阴极86侧的入射光予以反射的反射层44。反射层44是由保护膜46所覆盖，在此保护膜46上形成由具备有与阴极86同样功函数的由ITO等透明导电材料所构成的阴极80，并与TFT 110连接。透过覆盖反射层44的保护膜46而可使反射层44的反射面，在处理TFT110与阴极80之间的接触时，受到保护并防止反射特性的恶化。而且，透过特性类似的阴极80、阴极86可以良好对称性地交流驱动有机组件层88。
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公开(公告)号：CN1186803C
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN02160037.6
申请日：2002-12-30
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L21/3205 , G02F1/136 , G02F1/1337
CPC classification number: G02F1/133371 , G02F1/133555 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , G09G2300/0456 , G09G2320/0247
Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置，其目的在达成半透过型LCD的高品质化。系第1基板100上形成：按各像素而设置的TFT110；以及反射层44。该反射层与TFT110绝缘，并使自第2基板侧穿透透明的第2电极而入射的光线反射至覆盖TFT110的绝缘膜上的一像素区域的反射区域。由具有与第2电极相同功函数的透明导电材料所形成的第1电极50直接覆盖反射层44，并形成于包含透过区域的一像素区域内，并经由连接用金属层42而与TFT110连接。由于具备有第1、第2电极的特性，故可在对称性良好的状态下交流驱动液晶。通过于反射区域及透过区域中配合液晶扭转角而设定最佳晶胞间隔dr、dt，即可在任一区域中达到最佳的反射率、透过率。
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公开(公告)号：CN1435814A
公开(公告)日：2003-08-13
申请号：CN03101972.2
申请日：2003-01-30
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: G09G3/32
CPC classification number: H01L29/6675 , G02F1/133345 , G02F1/13454 , G02F1/136209 , H01L27/1251 , H01L29/78621 , H01L29/78633 , H01L29/78645 , Y10T428/24479
Abstract: 本发明提供半导体显示装置，其制造方法及有源矩阵型显示装置，其目的在于：即使具备通过对遮光层上方的非晶半导体照射雷射以制得多晶半导体的步骤时，亦能保持良好的显示品质。其特征为：在玻璃基板1上形成遮光层2，而在此等玻璃基板1以及遮光层2上，积层形成有氮化硅层3以及氧化硅层4。在此氧化硅层4上形成构成晶体管DTFT的多晶硅层4的非晶硅层。然后，通过对此非晶硅层照射雷射，而形成多晶硅层10。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1435813A
公开(公告)日：2003-08-13
申请号：CN03101971.4
申请日：2003-01-30
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: G09G3/32
CPC classification number: G02F1/13454 , H01L27/12 , H01L27/1281 , H01L29/04 , H01L29/78633
Abstract: 本发明目的在于提供一种显示品质更高的半导体显示装置及其制造方法。其中，形成与像素区域的各像点相对应且用以进行驱动的晶体管DTFT(图2(a))。另一方面，在像素区域的周边，形成有构成驱动电路的晶体管TFT(图2(b))。构成此晶体管DTFT的多晶硅10，以及构成晶体管TFT的多晶硅15，系藉由对于同一非晶硅进行激光照射的步骤而产生。但是，在晶体管DTFT的下方形成有散热性佳的遮光层配线SL。因此，构成此晶体管DTFT的多晶硅10的结晶粒的粒径，系设定成比构成晶体管TFT的多晶硅15的结晶粒的粒径更小。
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公开(公告)号：CN1431548A
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：CN02160037.6
申请日：2002-12-30
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1337 , H01L21/3205
CPC classification number: G02F1/133371 , G02F1/133555 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , G09G2300/0456 , G09G2320/0247
Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置，其目的在达成半透过型LCD的高品质化。系第1基板100上形成：按各像素而设置的TFT110；以及反射层44。该反射层与TFT110绝缘，并使自第2基板侧穿透透明的第2电极而入射的光线反射至覆盖TFT110的绝缘膜上的一像素区域的反射区域。由具有与第2电极相同功函数的透明导电材料所形成的第1电极50直接覆盖反射层44，并形成于包含透过区域的一像素区域内，并经由连接用金属层42而与TFT110连接。由于具备有第1、第2电极的特性，故可在对称性良好的状态下交流驱动液晶。通过于反射区域及透过区域中配合液晶扭转角而设定最佳晶胞间隔dr、dt，即可在任一区域中达到最佳的反射率、透过率。
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公开(公告)号：CN1384696A
公开(公告)日：2002-12-11
申请号：CN02104991.2
申请日：2002-03-29
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L51/56
Abstract: 本发明的课题是在有机EL显示器中,使有机发光层的膜厚均一化以增大有效发光面积。在有机EL显示器的每一个象素上都形成阳极和公用阴极,用薄膜晶体管13、42进行切换向阳极61和阴极间通电,使有机EL器件发光。有机EL器件由空穴输运层、有机发光层和电子输运层构成,在被配置成矩阵状的多个象素之内,对于相邻的同色象素使有机发光层公用化(斜线部分)。采用进行公用化的办法,就可以防止蒸镀时的荫罩的端部的有机发光层的膜厚减少,可以使阳极61上边的有机发光层的膜厚均一化。
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公开(公告)号：CN1358055A
公开(公告)日：2002-07-10
申请号：CN01143686.7
申请日：2001-09-28
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L51/0013 , C23C14/042 , H01L27/3211 , H01L51/001 , H01L51/0011 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0081 , H01L51/56
Abstract: 在通过将发光材料附着到基片(10)上来形成一层例如有机EL元件的发光层的情况中,在基片(10)和材料源(200)之间设有蒸发掩模(100),它包含有与形成具有多个单独图案的层对应的开口(110)并且其面积小于基片。使掩模(100)和材料源(200)以及基片(10)之间的相对位置滑动与基片(10)的像素尺寸对应的预定间距,从而在基片的预定区域中形成材料层(例如发光层64)。因此,可以通过例如蒸发作用在基片上高精度地形成材料层。
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公开(公告)号：CN100576035C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200710146521.8
申请日：2005-05-23
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1337 , G02F1/1333 , G02F1/139
Abstract: 提供一种半穿透型液晶显示装置及彩色液晶显示装置，该装置在具备第一电极的第一基板与具备第二电极的第二基板间，封入垂直配向型液晶层；各像素区域具有反射区域及穿透区域；在第一基板侧或第二基板侧具备间隙调整部，该间隙调整部使在反射区域的间隙(dr)比在穿透区域的间隙(dt)更小，而该间隙(该液晶层的厚度，d)控制朝液晶层的入射光的相位差。而在像素区域内，在一个像素区域内分割液晶配向的配向控制部被设置在第一基板侧或第二基板侧的其中之一或是两个。并且，以R、G、B变更该间隙，使最优化成为可能。
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