公开(公告)号：CN108231891B

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN201711108354.8

申请日：2017-11-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金真范 ,  金傔 ,  金锡勋 ,  朴台镇 ,  柳廷昊 ,  李峭蒑 ,  李炫姃 ,  金善政 ,  申东石

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/45 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其包括：衬底，所述衬底具有有源区；栅极结构，所述栅极结构设置在所述有源区上；源/漏区，所述源/漏区分别形成在所述有源区的在所述栅极结构的两侧的部分内；金属硅化物层，所述金属硅化物层设置在每个所述源/漏区的表面上；以及接触栓，所述接触栓设置在所述源/漏区上并且通过所述金属硅化物层分别电连接至所述源/漏区。所述金属硅化物层被形成为具有单晶结构。

公开(公告)号：CN111987143A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN202010442515.2

申请日：2020-05-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林圣根 ,  金彦起 ,  曹裕英 ,  金利桓 ,  金真范 ,  朴判贵 ,  慎一揆 ,  李承勋

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了半导体器件及其形成方法。所述半导体器件包括：有源区；隔离区，限定所述有源区；阻挡层，位于所述有源区上；上半导体层，位于所述阻挡层上；以及栅极结构，覆盖所述上半导体层的上表面、下表面和在第一方向上的侧表面。所述第一方向是平行于所述有源区的上表面的方向，并且所述阻挡层布置在所述栅极结构与所述有源区之间。

公开(公告)号：CN110190109A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201910039205.3

申请日：2019-01-16

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学研究与商业基金会

Inventor： 金真范 ,  金亨燮 ,  崔成钦 ,  金镇用 ,  朴台镇 ,  李承勋

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：栅电极，在衬底上沿第一方向延伸；第一有源图案，在衬底上沿与第一方向交叉的第二方向延伸以穿透栅电极，第一有源图案包括锗；外延图案，位于栅电极的侧壁上；第一半导体氧化物层，位于第一有源图案与栅电极之间，并且通过第一半导体材料的氧化而形成；以及第二半导体氧化物层，位于栅电极与外延图案之间，并且通过第二半导体材料的氧化而形成。第一半导体材料的锗的浓度可以小于第一有源图案的锗的浓度，并且第一半导体材料的锗的浓度可以与第二半导体材料的锗的浓度不同。

公开(公告)号：CN108074984A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201711128763.4

申请日：2017-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡勋 ,  李炫姃 ,  金坰喜 ,  金善政 ,  金真范 ,  慎一揆 ,  李承勋 ,  李峭蒑 ,  申东石

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种半导体器件，该半导体器件能够通过在源极/漏极区域中形成含碳的半导体图案来改善短沟道效应。该半导体器件包括：第一栅电极和第二栅电极，在鳍型图案上彼此间隔开；凹陷，形成在第一栅电极与第二栅电极之间的鳍型图案中；以及半导体图案，包括沿凹陷的轮廓形成的下半导体膜和在下半导体膜上的上半导体膜，其中下半导体膜包括顺序地形成在鳍型图案上的下外延层和上外延层，并且上外延层的碳浓度大于下外延层的碳浓度。