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公开(公告)号：CN101635166B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN200910140009.1
申请日：2009-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G01R33/12 , G01R33/1207 , G01R33/1284 , G01R33/1292 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C19/0808 , G11C19/0841
Abstract: 一种使用磁畴壁移动的信息存储装置以及操作该装置的方法，所述信息存储装置包括：存储节点；写入单元，被配置以将信息写入到存储节点的第一磁畴区域；读取单元，被配置以从存储节点的第二磁畴区域读取信息。所述信息存储装置还包括：临时存储单元，被配置以临时存储由读取单元读取的信息；写入控制单元，电连接到临时存储单元，被配置以控制供应到写入单元的电流。从第二磁畴区域读取的信息被存储在临时存储单元中并被写入到第一磁畴区域。
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公开(公告)号：CN103094320A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210344919.3
申请日：2012-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/10 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/02381 , H01L21/02538 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L29/785 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供包括III-V族材料的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：硅基板，包括孔；硬掩模，在基板上围绕孔形成；第一材料层，填充在孔内并形成在硬掩模上；上材料层，形成在第一材料层上；和器件层，形成在上材料层上，其中第一材料层是III-V族材料层。III-V族材料层可以是III-V族化合物半导体层。上材料层可以是第一材料层的一部分。上材料层可以使用与第一材料层相同的材料或不同的材料形成。
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公开(公告)号：CN101030444B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200710008128.2
申请日：2007-01-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/16 , G11C19/0808
Abstract: 本发明提供一种利用磁畴拖动的磁器件单元及其操作方法。该磁器件单元包括：数据储存单元，包括具有可翻转磁化方向且具有多个毗邻磁畴的自由层、以及与该自由层的一部分对应地形成且具有被钉扎磁化方向的参考层，其中多个数据位区域以阵列形成在该自由层上，该数据位区域的每个以该参考层的有效尺寸单元形成，使得该数据储存单元以阵列储存多位数据；第一输入部分，电连接到该自由层的该数据位区域的至少一个和该参考层以施加写信号和读信号中的至少一种；以及第二输入部分，电连接到该自由层以将储存在该自由层的该数据位区域中的数据向相邻数据位区域拖动，且施加用于磁畴拖动的拖动信号。
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公开(公告)号：CN101770803A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910263619.0
申请日：2009-12-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/02
CPC classification number: G11C19/0808 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , Y10T29/49069
Abstract: 本发明公开了一种磁结构、信息存储装置及其制造方法和操作方法。磁结构包括第一部分和多个第二部分。第一部分沿第一方向延伸。多个第二部从第一部分的端部开始沿第二方向延伸。第一方向和第二方向彼此垂直。在所述磁结构中形成有沿彼此相反的方向磁化的两个磁畴以及于位于磁畴之间的磁畴壁。
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公开(公告)号：CN101751989A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910246683.8
申请日：2009-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C19/0841 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675
Abstract: 提供了一种使用磁畴壁移动的信息存储装置及操作该装置的方法。所述信息存储装置包括磁轨和操作单元。磁轨包括通过磁畴壁分离的多个磁畴。操作单元的大小能够覆盖至少两个相邻磁畴。并且，操作单元被配置为可向磁轨的单个磁畴区以及多个磁畴区写入信息/从磁轨的单个磁畴区以及多个磁畴区读取信息。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101635166A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200910140009.1
申请日：2009-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G01R33/12 , G01R33/1207 , G01R33/1284 , G01R33/1292 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C19/0808 , G11C19/0841
Abstract: 一种使用磁畴壁移动的信息存储装置以及操作该装置的方法，所述信息存储装置包括：存储节点；写入单元，被配置以将信息写入到存储节点的第一磁畴区域；读取单元，被配置以从存储节点的第二磁畴区域读取信息。所述信息存储装置还包括：临时存储单元，被配置以临时存储由读取单元读取的信息；写入控制单元，电连接到临时存储单元，被配置以控制供应到写入单元的电流。从第二磁畴区域读取的信息被存储在临时存储单元中并被写入到第一磁畴区域。
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公开(公告)号：CN101026176A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200610136108.9
申请日：2006-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , H01L27/228
Abstract: 提供了一种磁存储器件以及向所述磁存储器件写入数据的方法。所述磁存储器件包括：界定多个单位单元区域的多条字线和多条位线；设置于每一单位单元区域内的晶体管；以及磁隧道结(MTJ)元件，其与晶体管形成组合，并且具有MTJ单元以及位于所述MTJ单元的两侧的形成磁场的第一和第二焊盘层，其中，每一晶体管的漏极连接至对应的单元区域内的第一焊盘层，其源极连接至相邻的单位单元区域内的第二焊盘层，以及每一晶体管的栅极连接至对应的单位单元区域内的对应的字线，其漏极连接至对应的单位单元区域内的位线。
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公开(公告)号：CN101026001A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200610148552.2
申请日：2006-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/15 , G11C19/0808 , G11C19/0841
Abstract: 本发明提供一种磁存储器。该磁存储器包括存储道，其中形成多个磁畴，使得能够以阵列来存储每个由磁畴构成的数据位。存储道由非晶软磁材料形成。
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公开(公告)号：CN101026000A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710084953.0
申请日：2007-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/14
CPC classification number: G11C11/16 , G11C19/0808 , G11C19/0841 , G11C2213/77
Abstract: 本发明提供一种磁存储装置。所述磁存储装置包括：记录层、参考层、第一输入部分以及第二输入部分。所述记录层具有垂直磁化方向和多个磁畴，且所述参考层对应于记录层的一部分并具有被钉扎磁化方向。所述记录层具有其中形成多个数据位区的数据存储单元，每个数据位区由磁畴构成。所述磁畴与参考层的有效尺寸相对应。第一输入部分输入写入信号和读取信号中的至少一个。第二输入部分电连接到记录层并输入磁畴运动信号以将记录层的数据位区中存储的数据移动到相邻数据位区。
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公开(公告)号：CN1247813C
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN02121850.1
申请日：2002-05-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C23C16/409 , C23C16/308 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/45531 , C23C16/45542
Abstract: 本发明提供一种包括多种组分的薄膜及形成该薄膜的方法。基底装入反应室中。单位材料层形成在基底上。该单位材料层为镶嵌的原子层(MAL)，由两种含有构成薄膜组分的前导粒子组成。清洗反应室的内部。通过化学方法改变MAL。
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