公开(公告)号：CN119736612A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202411844279.1

申请日：2020-09-24

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 延昌峰 ,  郑在善 ,  边惠兰 ,  宋泰浩 ,  金素贞 ,  李锡宗

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/04 ,  C23C16/34 ,  C23C16/52 ,  C23C16/40 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285

Abstract: 涉及薄膜制造方法，其包括：步骤(i)，使薄膜形成用生长抑制剂吸附在基板表面；以及步骤(ii)，使金属膜前体、金属氧化膜前体、金属氮化膜前体或硅氮化膜前体吸附在吸附有生长抑制剂的基板表面，薄膜形成用生长抑制剂由化学式1表示，金属为选自钨、钴、铬、铝、铪、钒、铌、锗、镧系元素、锕系元素、镓、钽、锆、钌、铜、钛、镍、铱以及钼中的一种以上。本发明通过抑制副反应，降低薄膜生长速率，并通过去除薄膜内的工艺副产物，即便在具有复杂结构的基板上形成薄膜时，也大幅提高阶梯覆盖率及薄膜的厚度均匀性。化学式1：AnBmXo，其中A为碳或硅，B为氢或碳原子数为1至3的烷基，X为卤素，n为1至15的整数，o为1以上的整数，m为0至2n+1。

公开(公告)号：CN118872027A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202380027561.8

申请日：2023-10-11

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 延昌峰 ,  郑在善 ,  曹德贤 ,  河昭银 ,  南知贤

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  C23C16/02 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明涉及一种真空薄膜改性剂、包含其的薄膜改性组合物、利用其的薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体元件，通过提供规定结构的化合物作为真空薄膜改性剂，以在真空薄膜工艺中，适当地降低沉积膜的生长率，从而即便在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够大幅提高台阶覆盖性(step coverage)和薄膜的厚度均匀性，并且能够改善蚀刻膜的效率，而且具有显著减少碳等杂质的污染的效。

公开(公告)号：CN118871612A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202380026982.9

申请日：2023-03-17

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 李承铉 ,  郑在善 ,  金德铉

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明涉及一种薄膜改性组合物、利用其的薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件，其中，将阶梯覆盖率改善剂和扩散改善剂并用，以改善反应速度，并且适当地降低薄膜生长率，从而即便在高温条件下在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够大幅提高阶梯覆盖性(step coverage)和薄膜的厚度均匀性，并且减少杂质，从而具有改善膜质的效果。

公开(公告)号：CN117736156A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311475965.1

申请日：2020-10-30

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 郑光柱 ,  河宗陈 ,  李锡宗 ,  刘贤英 ,  申银澈

IPC: C07D251/24 ,  C07D403/10 ,  H10K50/16 ,  H10K59/10 ,  H10K85/60

Abstract: 本发明涉及一种有机化合物、包含其的有机发光二极管以及包括所述有机发光二极管的显示装置，具体涉及包含由化学式1表示的化合物，从而能够提高发光效率、热稳定性以及寿命特性的有机化合物、包含其的有机发光二极管以及包括所述有机发光二极管的显示装置。

公开(公告)号：CN117452766A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202310811505.5

申请日：2023-07-03

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式公社

Inventor： 金文子 ,  李承炫 ,  郑在善 ,  刘炳哲 ,  李炳勋 ,  丁昶荣 ,  金德铉 ,  曹德贤

IPC: G03F1/62

Abstract: 本发明涉及用于光刻的保护膜片、包括其的表膜和其形成方法。本文中提供用于光刻的保护膜片，其包括：包括碳的芯层、在所述芯层上的界面层、和在所述界面层上的保护层。所述界面层包括键合至所述芯层的碳原子的反应性基团，并且所述反应性基团包括氧或氮。所述保护层包括元素“M”，并且元素“M”键合至所述反应性基团的氧或氮。

公开(公告)号：CN108231573B

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN201711223730.8

申请日：2017-11-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式公社

Inventor： 金秀珍 ,  李孝善 ,  裵珍惠 ,  林廷训 ,  崔容在

IPC: H01L21/306 ,  C09K13/08

Abstract: 本发明涉及蚀刻组合物及通过使用其制造半导体器件的方法。蚀刻组合物可包括过乙酸混合物、氟化合物、有机溶剂(例如乙酸酯系有机溶剂)和水。蚀刻组合物可用于选择性地蚀刻硅‑锗(SiGe)。

公开(公告)号：CN117015630A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202280018618.3

申请日：2022-03-04

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 延昌峰 ,  郑在善 ,  南知贤

IPC: C23C16/08

Abstract: 本发明涉及一种金属薄膜前体组合物、利用其的薄膜形成方法以及通过该方法制造的半导体基板，提供包含金属薄膜前体化合物以及具有预定的端基和结构的生长调节剂的金属薄膜前体组合物，在薄膜沉积工艺中利用所述金属薄膜前体组合物以抑制副反应，而且适当地控制薄膜生长率，并去除薄膜中的工艺副产物，从而即便在结构复杂的基板上沉积薄膜，也能够大幅改善台阶覆盖性(step coverage)、薄膜的厚度均匀性以及电阻率特性，减少腐蚀和劣化，改善薄膜的结晶度，从而改善薄膜的电学特性。

公开(公告)号：CN116897222A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202380009417.1

申请日：2023-01-05

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 李承铉 ,  郑在善 ,  延昌峰 ,  金德铉

IPC: C23C16/04

Abstract: 本发明涉及一种氧化膜反应表面控制剂、利用其的氧化膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体元件，提供预定结构的化合物作为氧化膜反应表面控制剂，基于该氧化膜反应表面控制剂的吸附分布度的差异，在基板上形成厚度均匀的沉积层作为遮蔽区域，以减小薄膜的沉积速度，并且适当地降低薄膜生长率，从而即便在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够大幅提高台阶覆盖性(step coverage)和薄膜的厚度均匀性，并且具有减少杂质的效果。

公开(公告)号：CN112851687B

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202011369987.6

申请日：2020-11-30

Applicant: 乐金显示有限公司 ,  秀博瑞殷株式公社

Inventor： 金捘演 ,  崔炯钟 ,  梁仲焕 ,  徐辅民 ,  洪太良 ,  金进喜 ,  申龂澈

IPC: C07D491/147 ,  C09K11/06 ,  H10K50/11 ,  H10K85/60

Abstract: 本公开涉及有机化合物、包含该化合物的有机发光二极管和装置，具体涉及具有下述化学式1的结构的有机化合物，以及包含该有机化合物的有机发光二极管(OLED)和有机发光装置。该有机化合物包括电子受体的三嗪部分和与该三嗪部分分开的电子供体的稠合杂芳族部分。该有机化合物在单个分子中包括电子受体部分和电子供体部分，因此电子可以在该分子中移动。另外，由于所述有机化合物包括刚性稠合杂芳环，有机化合物的三维变形受限，因此该化合物可具有优异的发光效率和色纯度。[化学式1]#imgabs0#

公开(公告)号：CN115768921A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202180046700.2

申请日：2021-07-16

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 延昌峰 ,  金进喜 ,  郑在善 ,  金种文 ,  李承铉 ,  李锡宗

IPC: C23C16/455

Abstract: 本发明涉及薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板。具体涉及作为由化学式1表示的化合物的薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，[化学式1]AnBmXoYiZj其中，所述A为碳或硅；所述B为氢或碳原子数为1～3的烷基；所述X为氟、氯、溴以及碘中的一种以上；所述Y与Z各自独立地为选自氧、氮、硫以及氟中的一种以上且彼此不同；所述n为1～15的整数；所述o为1以上的整数；m为0～2n+1；所述i和j分别为0～3的整数。根据本发明，提供薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，其能够抑制副反应，以降低薄膜生长率，并去除薄膜内工艺副产物，从而即便在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够大幅改善台阶覆盖性以及薄膜的厚度均匀度。