公开(公告)号：CN1189680A

公开(公告)日：1998-08-05

申请号：CN97114352.8

申请日：1997-11-12

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 林田芳树 ,  小泽哲郎 ,  樱井浩 ,  川崎正树

IPC: H01J1/14 ,  H01J1/142 ,  H01J29/04 ,  H01J29/48 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/142

Abstract: 本发明的目的是提供可实现在长时间工作中发射电流的降低较小、即使在CRT中提供更高的电流密度也可获得较长寿命的氧化物阴极。并且,提供寿命较长的经济的电子管阴极。在内装灯丝线圈1的筒状套筒2的一端开口部分设置的包含微量的镁等还原性元素的以镍为主要成分的基体3上,涂敷把包含从钛、镍、锆、钒、铌和钽中选择的至少一种的元素8和碱土类金属氧化物7的碳酸盐进行热分解的电子发射材料层。

公开(公告)号：CN1183647A

公开(公告)日：1998-06-03

申请号：CN97119623.0

申请日：1997-09-26

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 田恭博 ,  中尾圭策 ,  井上敦雄 ,  吾妻正道 ,  藤井英治

IPC: H01L27/04

CPC classification number: G11C29/50016 ,  G11C11/22 ,  G11C29/50 ,  G11C2029/5002

Abstract: 在本发明的半导体存储器的加速试验方法中,求出在某个温度T1下的信息保持寿命时间t1等于另一个温度条件T2下的信息保持寿命时间t2的乘幂的关系式,t1=t2m,而且用与玻尔兹曼因子成比例的温度的函数表示幂指数m。基于该关系式从某个温度T1下的信息保持寿命时间t1来计算另一个温度T2下的信息保持寿命时间t2。

公开(公告)号：CN1183168A

公开(公告)日：1998-05-27

申请号：CN96193599.5

申请日：1996-02-29

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 樱井浩 ,  林田芳树 ,  久保正幸 ,  山下克之

IPC: H01J1/142

Abstract: 电子管用阴极,它是在电子管用阴极的基体上粘附一种至少含有作为碱土类金属的钡的碱土类金属碳酸盐,然后在真空中进行热分解以生成以碱土类金属氧化物为主成分的发射体,在该电子管用阴极中,作为上述碱土类金属碳酸盐,使用两种以上不同形状的碱土类金属碳酸盐结晶粒子的混合物。本发明可提供一种能同时在截止变化和发射特性两方面获得改善的电子管用阴极,它可用于CRT用阴极或作为电子显微镜的电子枪使用的电子管用阴极。

公开(公告)号：CN1181840A

公开(公告)日：1998-05-13

申请号：CN96193301.1

申请日：1996-04-25

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电子工业株式会社

Inventor： 吾妻正道 ,  卡洛斯·帕斯·德·阿劳约 ,  约瑟夫·库奇阿罗

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: H01L28/60

Abstract: 一种集成电路电容器(20)包括底层电极结构(24),该结构具有粘结金属部分(34)、金属部分(36)以及第二贵金属层(40)。制造方法包括在沉积第二贵金属层(40)使退火粘结金属部分(34)和贵金属部分(36)退火,以形成阻挡区(38)。电极(24)优选与金属氧化物层(26)接触,该层由钙钛矿或类钙钛矿的层状超晶格材料制成。形成临时覆盖层(59),并在制造中除掉该层,该层用于使器件潜在的极化率增加至少40%。

公开(公告)号：CN1173736A

公开(公告)日：1998-02-18

申请号：CN97103004.9

申请日：1997-02-27

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 山冈徹 ,  樱井浩司 ,  本田浩嗣 ,  汤浅宽

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/5252 ,  H01L21/76888 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明使得反熔断元件绝缘击穿耐压容易控制,并抑制其随机误差。其目的在于使电流电压特性能进行极性控制,抑制漏电流,防止导通状态时可靠性变差。本发明因此具有反熔断层为均匀厚度的平整形状,由非晶体硅膜、氮化硅膜和氧化硅膜组成的复合膜构成,反熔断层的电极层为氮化钛,其膜厚设定得比熔线进入到电极层的深度厚,控制电极间分隔绝缘膜的膜厚和反熔断区开口的斜坡,设定为上部电极层的阶跃覆盖率超过80%。

公开(公告)号：CN1172350A

公开(公告)日：1998-02-04

申请号：CN97114610.1

申请日：1997-07-14

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 荒川定义 ,  伊藤诚市 ,  西山健一 ,  丸山幸荣

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/85 ,  H01L21/4825 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48455 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01049

Abstract: 把芯片3粘到具有镍,钯和金的层叠镀层的引线框架1的管芯垫部分2上。通过键合工具20用加重约60(g)把由金丝构成的金属细丝6挤压到芯片的电极焊盘4上,边加输出功率约55(mW)的超声波边进行第1键合工序。用加重150～250(g)把金属细丝6挤压到内引线部分5上,加上功率为0～20(mW)的超声波进行适合于层叠镀层的特性的第2键合工序,就可以连金镀层的剥落也不产生地在短时间内进行牢固的接合。

公开(公告)号：CN1164121A

公开(公告)日：1997-11-05

申请号：CN97103341.2

申请日：1997-03-21

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 石井昭次

IPC: H01J29/76

CPC classification number: H01J29/701 ,  H01J2229/5687

Abstract: 本发明提供一种能够以低成本并简单校正包括内光栅枕形失真的光栅失真的光栅失真校正装置。光栅失真校正装置配备电磁铁10及其激磁电路7和一对永久磁铁14。在偏转系统的外围，把电磁铁10配置在作为电子束13的偏转范围的长方形断面31的上边中央部，并沿上边的方向产生磁极。在电子束的偏转范围31的上边两端外侧配置一对永久磁铁14，永久磁铁14产生的磁极大致与电磁铁10的磁极排列在一直线上。

公开(公告)号：CN1159529A

公开(公告)日：1997-09-17

申请号：CN96121777.4

申请日：1996-11-27

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 尾贺俊喜 ,  齐藤胜 ,  椿原信之 ,  奥野郁弘

IPC: F21K2/00

CPC classification number: H01J61/322 ,  H01J9/266 ,  H01J61/70

Abstract: 本发明涉及一种荧光灯的制造方法，将应接合的两个发光管分别保持在各自的高度，从正侧面将喷灯的火焰吹到发光管一步的端部附近的规定位置，将其周围均匀加热软化。并且，注入吹制空气，吹破已软化的管壁，并在各发光管形成准桥式接合部。所形成的准桥式接合部的端面是平坦的，断面大致呈圆形，而且其厚度也大致均匀。在桥式接合部成软化状态下，至少使一方的发光管移动以使各发光管位于同一面上，让桥式接合部相互间压接而将两发光管接合。

公开(公告)号：CN1148262A

公开(公告)日：1997-04-23

申请号：CN96107136.2

申请日：1996-06-21

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 嶋田恭博 ,  上本康裕 ,  井上敦雄 ,  松浦武敏 ,  吾妻正道

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55 ,  H01L29/92

Abstract: 本发明揭示一种内装以大介电常数电介质或强电介质为电容绝缘膜的电容元件的半导体器件及其制造方法中，包括将电容绝缘膜(6)的烧结工序的烧结温度保持在650℃，利用以5℃/分或10℃/分为到达烧结温度的升温率进行烧结，形成结晶粒(7)的平均粒径为12.8nm、粒径离散的标准偏差几乎为2.2nm的结晶大小的厚度约185nm的Ba0.7Sr0.3TiO3组成的电容绝缘膜(6)。提供了可靠性好的半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN1147149A

公开(公告)日：1997-04-09

申请号：CN96110805.3

申请日：1996-07-10

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 松田明浩 ,  长野能久 ,  那须彻 ,  有田浩二 ,  上本康裕

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/04 ,  H01G4/06 ,  H01G4/33

CPC classification number: H01L28/56

Abstract: 本发明内装于半导体集成电路中的使用强电介质膜或高介电常数的电介质膜的电容元件的制造方法具有：在衬底基片的一表面上形成由金属膜或导电性氧化膜构成的第1电极的工序、在第1电极上烧结形成主成分为强电介质或具有高介电常数的电介质构成的第1绝缘膜的工序、在该第1绝缘膜上热处理形成第2绝缘膜的工序，以及在该第2绝缘膜上形成由金属模或导电性氧化膜构成的第2电极的工序。