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公开(公告)号：CN113363365B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110905454.3
申请日：2021-08-09
申请人： 南昌凯捷半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及半导体LED技术领域，具体涉及一种多电流通道倒装AlGaInP mini‑LED芯片及其制备方法。一种多电流通道倒装AlGaInP mini‑LED芯片，包括衬底、依次设置于所述衬底一侧的键合层、P型半导体层、量子阱层、N型半导体层、第一介质层、第二介质层和第三介质层；所述第三介质层远离所述衬底一侧表面设置有P电极和N电极以及第一电流通道和第二电流通道。第一电流通道和第二电流通道之间通过介质层隔离，可以有效的防止芯片短路。导电通孔的设计可以减少发光面积的损失，提高芯片的发光亮度。
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公开(公告)号：CN113594286A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110849429.8
申请日：2021-07-27
申请人： 南昌凯捷半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0725 , H01L31/0216 , H01L31/0735 , H01L31/18
摘要： 本发明提出一种多结太阳能电池及制造方法，包括：Ge基板，作为基电池；GaAs光栅结构，设置于Ge基板的一端，是通过全息曝光形成的反射镜结构；InGaAs铺垫层，覆盖GaAs光栅结构；InGaAs中电池，设置于InGaAs铺垫层另一端；InGaP顶电池，设置于InGaAs中电池另一端；电极，设置于InGaP顶电池的另一端；减反射膜，覆盖于InGaP顶电池的电极所在端面，且覆盖着电极之外的区域；其中，InGaAs铺垫层与InGaAs中电池的连接，以及InGaAs中电池与InGaP顶电池的连接均通过隧穿结进行连接。
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公开(公告)号：CN112885945A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110295582.0
申请日：2021-03-19
申请人： 南昌凯捷半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种LED芯片，尤其涉及一种反极性LED芯片及其制作方法。一种反极性LED芯片，自下而上依次是P面电极、硅衬底、键合层、P‑高反射膜层、P‑GaP层、P‑AlInP层、MQW有源层、N‑AlInP层、N‑AlGaInP层、N‑GaAs层和N面电极，反极性LED芯片具有第一键合区和第二键合区，通过双键合区共键合技术实现衬底转移，不需要在SiO2介质膜上制作精度要求如此之高的孔洞，极大的简化了制作流程，降低了制作难度，保证了产品的稳定性。双键合区共键合技术在进行衬底转移时不需要用到贵金属‑金，降低了LED芯片的制作成本。
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公开(公告)号：CN112002787A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202011184180.5
申请日：2020-10-30
申请人： 南昌凯捷半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种具有粗糙表面的红外LED外延片制备方法，属于发光二极管领域，该方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长GaAs缓冲层、N-AlxGa1-xAs电流扩展层、N-AlxGa1-xAs限制层、N-AlxGa1-xAs Space层、多量子阱有源层、P-AlxGa1-xAs Space层、P-AlxGa1-xAs限制层和P-AlxGa1-xAs电流扩展层；在所述P-AlxGa1-xAs电流扩展层上进行原位生长P-AlxGa1-xAs粗化层；在所述P-AlxGa1-xAs粗化层上生长重掺P-GaAs接触层。本发明中，通过外延工艺制备粗糙表面，促进光的散射，提高其正面出光效率。
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公开(公告)号：CN111934198A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010796158.X
申请日：2020-08-10
申请人： 南昌凯捷半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种高反射率VCSEL芯片的制备方法，在GaSb衬底上生长GaSb缓冲层，在GaSb缓冲层上生长N型DBR层，在N型DBR层上生长第一波导层，在第一波导层上生长MQW层，在MQW层上生长第二波导层，在第二波导层上生长N++InAs/P++GaSb隧穿结层，在遂穿结层上生长P-P-GaSb接触层，隧穿结层和接触层湿法腐蚀后再电镀金属电极，最后在外延片表面沉积TiO2与SiO2周期DBR层，代替传统的InGaAsP/InP、InGaAlAs/InP、InGaAlAs/InAlAs等材料的DBR层，利用TiO2与SiO2较大的折射率差值，大大减少了DBR层的对数数量，从而减少了DBR层的厚度，减少了光的吸收和热效应，也减少了较厚的DBR材料带来大的串联电阻。
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公开(公告)号：CN118472142A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410910141.0
申请日：2024-07-09
申请人： 南昌凯捷半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种反极性红光LED芯片及其制作方法。一种反极性红光LED芯片，包括从下至上依次设置的P电极、Si衬底、第一键合层、第二键合层、阻挡层、银镜面层、介质膜层、GaP窗口层、P型半导体层、发光层、N型半导体层以及N电极；所述N型半导体层包括设置于所述粗化层上表面的GaAs欧姆接触环；所述N电极包括电极镜面层、电极内层和电极外层；所述电极镜面层嵌入至所述GaAs欧姆接触环中。本申请提供的反极性LED芯片具有高亮度、性能可能稳定、生产成本低的优点。
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公开(公告)号：CN118299484A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410725252.4
申请日：2024-06-06
申请人： 南昌凯捷半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种红光高压LED芯片及其制作方法。该LED芯片包括从下至上依次设置的蓝宝石衬底、键合层，以及设置于所述键合层上的芯片组；所述芯片组由若干个规则排布的单元芯粒组成，所述单元芯粒包括外延结构，以及布置在外延结构上的P电极和N电极；相邻单元芯粒之间以及芯片组外围设置有隔离沟槽；两两相邻的单元芯粒之间按照单元芯粒的串联方向采用通孔桥接电极实现电连接；所述隔离沟槽和所述蚀刻台阶内设置有聚酰亚胺填充层，所述聚酰亚胺填充层将所述隔离沟槽和蚀刻台阶填平；所述通孔桥接电极包括依次连接的P侧连接段、桥接段和N侧连接段。上述结构可以有效避免桥接电极的断路，有效提高了芯片结构的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN117976791A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410361397.0
申请日：2024-03-28
申请人： 南昌凯捷半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种940nm反极性红外LED外延片及其制备方法，所述外延片从下往上依次为GaAs衬底、GaAs缓冲层、腐蚀截止层、N型欧姆接触层、电极保护层、N型电流扩展层、N型限制层、N面空间层、N面应变缓解层、第一发光有源层、中间应变缓解层、第二发光有源层、P面应变缓解层、P面空间层、P型限制层、P型电流扩展层、P型窗口层；应变缓解层的材料均为GaAsP，且均为非掺杂。本发明在发光有源区的两侧和中间引入应变缓解层，并结合PH3渐变的量子阱/量子垒结构和停顿吹扫式生长方法，可有效解决发光效率不足、外延片表观晶格失配以及光效衰减等问题，得到适用于脉冲电流工作下的高光效940nm反极性LED。
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公开(公告)号：CN117497681A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311852150.0
申请日：2023-12-29
申请人： 南昌凯捷半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及Mini‑LED技术领域，具体涉及一种Mini‑LED芯片及其制作方法，该Mini‑LED芯片从下至上依次包括：蓝宝石衬底、键合层、P型半导体层、发光层、N型半导体层、隔离层、P电极、N电极、散热层；散热层为由尖晶石、碳纳米管和氟碳树脂组成的混合乳液喷涂而成的涂层；散热层覆盖住除P电极和N电极的芯片表面。本发明通过在芯片上结构中加入散热层，提高芯片的散热能力，同时通过控制芯片发光层、P型半导体层台面的设置角度以及散热层的厚度，有效提高了芯片光电性能的稳定性和芯片的可靠性，进而延长芯片的使用寿命。
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公开(公告)号：CN116137306B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310408825.6
申请日：2023-04-18
申请人： 南昌凯捷半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种Micro‑LED芯片及其制作方法，该芯片包括P电极、N电极、钝化层、第一半导体层、发光层、第二半导体层、GaAs衬底；第一半导体层由GaP窗口层和P‑AlGaInP限制层组成；第二半导体层由N‑AlGaInP限制层、GaAs接触层、N‑AlGaInP电流扩展层和GaAs牺牲层组成；GaAs牺牲层被去除后，第二半导体层与GaAs衬底之间呈镂空状态，并在靠近P电极一侧通过钝化层连接。本发明设计多个AlGaInP和GaAs层叠循环结构，通过对外延层进行湿法刻蚀，无需进行衬底转移，能有效避免衬底转移过程中的良率损失，提高工作效率和成品率，工艺简单，可满足规模化应用。
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