本发明公开了一种高反射率VCSEL芯片的制备方法，在GaSb衬底上生长GaSb缓冲层，在GaSb缓冲层上生长N型DBR层，在N型DBR层上生长第一波导层，在第一波导层上生长MQW层，在MQW层上生长第二波导层，在第二波导层上生长N++InAs/P++GaSb隧穿结层，在遂穿结层上生长P-P-GaSb接触层，隧穿结层和接触层湿法腐蚀后再电镀金属电极，最后在外延片表面沉积TiO2与SiO2周期DBR层，代替传统的InGaAsP/InP、InGaAlAs/InP、InGaAlAs/InAlAs等材料的DBR层，利用TiO2与SiO2较大的折射率差值，大大减少了DBR层的对数数量，从而减少了DBR层的厚度，减少了光的吸收和热效应，也减少了较厚的DBR材料带来大的串联电阻。