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公开(公告)号：CN101345281A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810042186.1
申请日：2008-08-28
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 北京大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 一种发光二极管芯片制造方法，在做芯片的常规工艺之前，采用掩膜技术，用激光划片技术、ICP技术或RIE技术对芯片的走道刻蚀至蓝宝石衬底或刻入蓝宝石衬底5－50微米，再用磷酸(温度为100－220度)、熔融的KOH或加热的浓KOH溶液对芯片的侧壁和暴露在侧壁的N－GAN进行湿法腐蚀，使芯片形成倾斜角小于90度的侧壁或使芯片侧壁底部与蓝宝石衬底部分脱离，形成侧壁向内悬空3－40微米，采用SC－2溶液和有机溶液清洗外延片，再进行ICP或RIE刻蚀至N－GAN，最后做常规工艺。实验结果表明，芯片的出光效率大大提升，其亮度和毫瓦数均比常规工艺芯片提升30％以上。
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公开(公告)号：CN101276867A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810037353.3
申请日：2008-05-13
Applicant: 上海大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种延伸结构的氧化锌透明电极大功率发光二极管芯片及其制作工艺，包括：n型金pad、氧化锌透明电极、填充体、基板、粘结层、p型电流扩展层、p型电极接触、发光层、n型电极接触、辅助电流扩展电极结构，其中p型电流扩展层、p型电极接触、发光层、n型电极接触是在MOCVD中依次生长完毕，总称发光有源层；其中发光有源层通过粘结层粘结在基板上，填充体填充在发光有源层被刻蚀掉的一对对角线位置的孔里，氧化锌透明电极通过薄膜生长工艺生长在n型电极接触的表面，n型金pad以及辅助电流扩展电极通过蒸镀工艺制作在氧化锌透明电极上表面。氧化锌透明电极提高了透明度、延伸电极减少了对光的遮挡，从而提高了出光效率。
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公开(公告)号：CN101078475A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200710042990.5
申请日：2007-06-28
Applicant: 上海隆光蜃景光电科技有限公司 , 上海半导体照明工程技术研究中心
Inventor： 谢金崇
IPC: F21S8/00 , F21V29/00 , F21W131/103 , F21Y101/02
Abstract: 本发明涉及大功率Led道路照明灯，包括至少一个大功率Led灯头，散热器，所述的至少一个大功率Led灯头固定于散热器上。与现有技术相比，本发明功率高，可以达到40～120w，真正地将Led工作热量导出，是Led的环境工作温度在Led能承受的温度范围以内，减小了Led光衰、提高了Led的发光效率，延长了Led的使用寿命。
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公开(公告)号：CN102818161B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201210324521.3
申请日：2012-09-04
Applicant: 上海九高节能技术有限公司 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: F21S2/00 , F21V5/04 , F21Y101/02
Abstract: 本发明提供了一种LED灯具，包括：壳体，位于壳体内的LED灯泡，罩设在LED灯泡外围并与壳体相连的反光杯；沿反光杯的周向与其相连的菲涅尔透镜，其位于LED灯泡的顶端，且菲涅尔透镜向远离LED灯泡的方向凸出。上述LED灯具，通过在LED灯泡的顶端增设菲涅尔透镜，且菲涅尔透镜向远离LED灯泡的方向凸出，由菲涅尔透镜的光学特性可知LED灯泡发出的光到达菲涅尔透镜后发生折射，大部分光线平行于反光杯的中心线照射出去，即大部分光线以准直光线射出，减少了汇集在焦点的光线，从而减少了发散光线，进一步减小了LED灯泡发出的光的出射角，即进一步减小了LED灯具的出射角，从而进一步增大了LED灯具的照射距离。
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公开(公告)号：CN101958251B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200910055074.4
申请日：2009-07-20
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L21/428 , H01L21/20 , B23K26/36
Abstract: 本发明涉及一种在铝酸锂晶片上制备图形衬底的方法，包括：提供铝酸锂晶片；用飞秒激光沿平行的方向多次扫描所述铝酸锂晶片的表面，形成多个平行的沟槽，得到铝酸锂晶片图形衬底。与现有技术相比，本发明采用飞秒激光在铝酸锂晶片上刻蚀图形衬底，通过改变飞秒激光的聚焦功率，可以调整沟槽的深宽比，与湿法或干法刻蚀相比，操作简单，更易获得较大深宽比的图形衬底。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101717923B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200910200280.X
申请日：2009-12-10
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司 , 中国科学院上海光学精密机械研究所 , 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 本发明公开了一种非极性GaN薄膜及其制备方法。该薄膜包括：LiAlO2衬底以及在该衬底上依次生长的低温保护层、U-AlGaN层和高温U-GaN层。其制备方法包括如下步骤：步骤一，生长低温保护层：在MOCVD系统中，以LiAlO2(100)面做衬底，在N2保护下，升温到800-950℃；切换到氢气气氛生长低温保护层U-GaN，反应室压力为150-500torr，TMGa流量为1-50sccm；步骤二，生长U-AlGaN层：降低反应室压力至100-300torr，升温到1000-1100℃，生长U-AlGaN层，TMGa流量为10-150sccm，TMAl的摩尔流量与TMGa流量之比为1/5-2；步骤三，生长高温U-GaN层：停止通入TMAl，继续生长U-GaN。本发明可以有效改善(100)面铝酸锂(LiAlO2)衬底上非极性m(10-10)面GaN薄膜的表面形貌，有利于提高器件的工作效率。
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公开(公告)号：CN101749655A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810203546.1
申请日：2008-11-28
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心 , 上海辰皓光源科技有限公司
IPC: F21V14/04 , F21Y101/02 , F21W131/103
Abstract: 本发明公开了一种全角度照射的路灯。该路灯的光源设于路灯基座上，所述的光源由若干个小光源组成，在每个小光源的背面设有相应的可自由旋转的光反射面，在路灯基座上设有可自由旋转的反光面。本发明基于球面的特点，对全方位各角度进行设计，使得路面的照度均匀，分布合理。在规定路面上的照度均匀，效率提高，在规定路面外的照度极低，从而达到节能和减少光污染的目的。
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公开(公告)号：CN101673802A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910196566.5
申请日：2009-09-27
Applicant: 上海大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L33/00 , H01L25/075 , H01L23/13 , H01L23/367 , H01L23/427 , H01L23/28 , H01L23/14 , H01L21/48 , H01L21/50
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及了一种集成金属基氮化铝薄膜基板与热管的大功率LED模块及其制备方法。本发明采用单颗或多颗大功率发光二极管LED键合在镀有氮化铝AlN薄膜的铜Cu(或铝Al)基板上，其下部焊接有热管，热管底端焊接有散热片，上部焊接有一个金属框，框内布置有单个或多个发光二极管LED芯片，芯片上部有机硅胶灌封避免了荧光体与芯片直接接触，降低了荧光体光衰；硅胶上部为荧光粉胶体层，荧光体形状为中间厚，周围薄，大大提高了出光均匀性；热管与基板、基板与金属框均采用回流焊接，减少了界面热阻。本发明从衬底、粘结层、荧光粉、基板等多个层次上提高大功率发光二极管LED芯片的散热能力和光学性能，器件可靠性高，可广泛应用于照明领域。
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公开(公告)号：CN101625400A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910056425.3
申请日：2009-08-14
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心 , 上海光学仪器研究所
Abstract: 一种大数量LED灯具长时同时在线光电检测方法及其装置，属测试领域。其在各光电探测器信号输出端，设置前置放大器、A/D变换模块和无线发射模块，在终端微机系统信号输入端，设置一个受单片机控制的无线数据接收模块；无线数据接收模块和多个无线发射模块构成多对一的、星型网络拓扑结构的无线信号传输单元；将各光电探测器的输出信号进行数字化并按时序地且附有地址编码地进行无线发射，无线数据接收模块在单片机的控制下，对所有无线发射模块所发出的无线传输信号按地址编码进行自动巡检/接收并送入终端微机系统；终端微机系统进行实时自动巡检并采集各组LED灯具的光强变化数据，对每一被测灯具，实施测试管理和集中数据处理。
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公开(公告)号：CN100541850C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200810042186.1
申请日：2008-08-28
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 北京大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 一种发光二极管芯片制造方法，在做芯片的常规工艺之前，采用掩膜技术，用激光划片技术、ICP技术或RIE技术对芯片的走道刻蚀至蓝宝石衬底或刻入蓝宝石衬底5-50微米，再用磷酸(温度为100-220度)、熔融的KOH或加热的浓KOH溶液对芯片的侧壁和暴露在侧壁的N-GaN进行湿法腐蚀，使芯片形成倾斜角小于90度的侧壁或使芯片侧壁底部与蓝宝石衬底部分脱离，形成侧壁向内悬空3-40微米，采用SC-2溶液和有机溶液清洗外延片，再进行ICP或RIE刻蚀至N-GaN，最后做常规工艺。实验结果表明，芯片的出光效率大大提升，其亮度和毫瓦数均比常规工艺芯片提升30%以上。
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