公开(公告)号：CN116693281A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310542961.4

申请日：2023-05-15

Applicant: 集美大学

Inventor： 姜涛 ,  何金春 ,  皮钧 ,  薛昌盛 ,  沈志煌

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  H10N35/01 ,  H10N35/85 ,  G01D5/48

Abstract: 本发明属于磁致伸缩材料领域，主要涉及一种提高钴铁氧体材料磁致伸缩系数的制备方法及使用这种方法制备的钴铁氧体的产品。其工艺步骤主要包括：原料粉体制备、预烧、球磨、干粉压制成型、生坯排塑取向、热等静压烧结、磁场退火。本发明通过生坯排塑取向和样品磁场退火的制备工艺获得的钴铁氧体磁致伸缩材料致密度大于95％；平行方向磁致伸缩系数绝对值大于280ppm；磁致伸缩激励场小于1200Oe。与传统制备工艺相比，本发明使钴铁氧体磁致伸缩性能显著提升，有利于其在高频磁应力传感器、磁致伸缩超声换能器、精密仪器等领域的应用。

公开(公告)号：CN115884660A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202210820904.3

申请日：2022-07-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄学理 ,  王宏烵 ,  黄胜煌 ,  张弘郁 ,  郭耿铭

IPC: H10N35/00 ,  H10N35/80 ,  H10N35/01 ,  H10B61/00

Abstract: 本发明的实施例公开了半导体器件及其形成方法。公开了用于磁阻随机存取存储器(MRAM)的图案化磁隧道结(MTJ)的改进方法以及由其形成的半导体器件。在一个实施例中，一种方法包括：在半导体衬底上方沉积底部电极层；在底部电极层上方沉积MTJ膜堆叠件；在MTJ膜堆叠件上方沉积顶部电极层；图案化顶部电极层；实施第一蚀刻工艺，以图案化MTJ膜堆叠件；在MTJ膜堆叠件上实施第一修整工艺；在实施第一修整工艺之后，在MTJ堆叠件上方沉积第一间隔件层；以及在沉积第一间隔件层之后，实施第二蚀刻工艺，以图案化第一间隔件层、MTJ膜堆叠件、和底部电极层，以形成MRAM单元。

公开(公告)号：CN115884601A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211499465.7

申请日：2022-11-28

Applicant: 致真存储(北京)科技有限公司

Inventor： 范晓飞 ,  陈文静 ,  曹凯华 ,  刘宏喜 ,  王戈飞

IPC: H10B61/00 ,  H10N35/00 ,  H10N35/01 ,  H10N35/85

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造技术领域，具体涉及磁存储器及其制造方法，所述磁存储器至少包括：反铁磁层，所述反铁磁层的材料为非共线反铁磁材料；磁隧道结，设置于所述反铁磁层上，所述磁隧道结自下而上依次包括自由层、隧穿势垒层和参考层；其中，当所述反铁磁层通入电流时，利用所述反铁磁层的自旋轨道矩效应改变所述反铁磁层与所述自由层形成的交换偏置场方向，进而翻转所述自由层的磁矩方向。可以借助非共线反铁磁材料的反铁磁层其内部的自旋轨道矩效应进行磁矩翻转，从而大幅降低了写入电流，进而降低了该磁存储器的功耗，也更易于驱动该磁存储器。

公开(公告)号：CN114480982B

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202210032225.X

申请日：2022-01-12

Applicant: 沈阳工业大学

Inventor： 和正华 ,  朱晓飞 ,  沙玉辉 ,  陈立佳 ,  都宏基 ,  张芳

IPC: C22C38/06 ,  C22C38/12 ,  C22C38/04 ,  C22C38/16 ,  C22C38/60 ,  C22C33/04 ,  C21D8/12 ,  C21D1/26 ,  C21D1/18 ,  C21D6/00 ,  H10N35/85 ,  H10N35/01

Abstract: 本发明属于磁性材料技术领域，涉及一种低成本高磁致伸缩系数Fe‑Al基薄带，材料组成按重量百分比包括：Al：7.5～13％；C：0.001～0.012％，Nb：0.1～1.9％；V：0.1～1.5％，S：0.001～0.02％，Mn：0.03～0.5％，Cu：0.05～0.46％，Mo：0.1～0.5％，稀土元素：0.05～0.4％、偏析元素：0.05～0.3％，余量为Fe及其它不可避免的杂质。制备方法：步骤一、熔炼；步骤二、锻造；步骤三、热轧；步骤五、高温退火与淬火。本发明能够简单高效地进行规模化生产，实现Fe‑Al合金薄带本征磁致伸缩系数的提高。Fe‑Al基薄带能够在很多领域取代铁镓、铁钴和铁镍等高成本磁致伸缩材料。

公开(公告)号：CN112349828B

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202011138507.5

申请日：2020-10-22

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 李振冲 ,  詹清峰 ,  程文娟 ,  蒋冬梅

IPC: H10N30/01 ,  H10N35/85 ,  H10N35/01 ,  H10N35/00 ,  H10N30/20 ,  H10N30/05

Abstract: 本发明公开了一种单晶磁性/铁电多层膜异质结及制备方法和应用，该多层膜异质结由下至上依次为单晶铁电衬底、单晶缓冲层、单晶磁性层以及保护层。在衬底与磁性层间插入缓冲层能间接减小衬底与磁性层间的晶格失配，从而在单晶铁电衬底上外延生长单晶磁性层。将电场发生装置与多层膜异质结连接，对铁电衬底施加大小和方向可控的电场，铁电衬底由于逆压电效应产生应力，该应力经由氧化物缓冲层传递至磁性层，磁性层由于逆磁致伸缩效应或磁性转变效应产生相应的磁性响应。通过改变所施加电场的大小和方向，可以实现电场对磁性的调控，大大减小器件的能耗。