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公开(公告)号:CN116875952A
公开(公告)日:2023-10-13
申请号:CN202310839299.9
申请日:2023-07-10
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 , 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种低氧高密度Ru溅射靶材、制备方法及其用途,该溅射靶材氧含量小于50ppm,表面粗晶层厚度小于50um,平均晶粒尺寸2‑8微米,晶界处孔洞呈近球形,直径小于1um,靶材相对密度大于理论密度的99%。制备方法以具有形貌和粒径分布可控的高纯钌粉为原料,通过真空热压烧结法制备钌靶材;通过对真空度控制、加压烧结获得靶材坯料,最终获得具有低氧高密度且具有良好机加工性能的溅射靶材。本发明通对粉末形貌和粒径分布以及真空热压烧结工艺的控制,改善了钌靶氧含量高、表面粗晶层厚、致密度低、机加工性能差等缺点,获得低氧含量和高致密度且加工性能好的溅射靶材,避免常规热压烧结工艺制备的靶材加工困难的缺点。
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公开(公告)号:CN115570136A
公开(公告)日:2023-01-06
申请号:CN202211350845.4
申请日:2022-10-31
Applicant: 东北大学 , 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了铱及铱合金材料及其制备方法,解决了高致密、细晶粒、晶粒择优取向的大尺寸铱及铱合金材料制备难题。本发明通过氢气气氛脱气除杂提高坯体纯度,并通过陶瓷压头进行原位真空无模具热压延缓慢变形,提高了材料致密度,避免了杂质污染,解决了模具使用难题,实现大尺寸高性能铱及铱合金材料制备。本发明工艺合理,易于实现,所制备的铱及铱合金材料性能优异。
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公开(公告)号:CN114293157A
公开(公告)日:2022-04-08
申请号:CN202111501941.X
申请日:2021-12-09
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种由易氧化金属镀膜保护制备的高均质NiCrPt合金溅射靶材及其制备方法,所述溅射靶材之基材原料由纯度≥99.99wt%的Ni、Cr、Pt金属组成,其中Cr10~30at%,Pt1~4.5at%,余量为Ni,外加总质量比0.01~0.08%的除氧剂;基材表面保护镀膜厚度≤5μm;所述溅射靶材致密度≥99.5%,且无肉眼可见的缺陷,氧含量≤30ppm,靶材晶粒均匀,其平均粒径为20~100μm;所述溅射靶材之表层机加工处理的去除深度≤0.5mm。其制备方法由基材铸锭与清洗处理、基材镀膜、坯材轧制、再结晶处理和机加工处理工艺实现。本发明基于“控氧+优先保护”原理,降低基材氧含量,基材表面优先溅射易氧化金属保护镀层,抑制“夹生”脆性氧化物,提高了靶材优材率,降低了表层去除深度,减少靶材浪费,节约成本。
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公开(公告)号:CN114289727A
公开(公告)日:2022-04-08
申请号:CN202111501964.0
申请日:2021-12-09
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高均质微粒径高纯钌粉及其制备方法,所述高纯钌粉的由重量百分浓度的钌离子水溶液、沉淀剂和分散保护剂制备得到;所述高纯钌粉纯度≥99.999%,近球形,分散性好,平均粒径<3μm;所述高纯钌粉由前驱体制备、前驱体煅烧、前驱体还原、钌粉纯化工艺制备获得。本发明采用化学液相法通过改变反应条件的一种或几种可以有效低控制反应进程,有效控制反应生成物的粒径、形貌;选择了不参与反应、易溶于水的高分子树脂作为分散保护剂,通过物理吸附作用,能有效控制反应生成物的粒径大小,使形貌趋于球形生长,同时改善分散性,助于获得高均质优分散性的产物。本发明获得具有尺寸稳定的微米粒径钌粉,其尺度在1~3μm之间得到控制。从附图可见钌粒子具有尺度均匀、呈类球形的特点,颗粒间分散性好。
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公开(公告)号:CN105834457A
公开(公告)日:2016-08-10
申请号:CN201610361513.4
申请日:2016-05-27
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
IPC: B22F9/30
CPC classification number: B22F9/30
Abstract: 本发明公开了一种微米级球形Mo?Ru钎料粉体的制备方法,所制备的微米级Mo?Ru复合粉体中钌含量为35wt%~45wt%,颗粒尺寸为5~15μm,平均粒径约10μm。本发明以仲钼酸铵[(NH4)6Mo7O24·4H2O]和氯钌酸铵[(NH4)2RuCl6]为原料,采用雾化干燥结合微波煅烧技术制备了微米级球形Mo?Ru复合粉体,本发明通过雾化干燥和微波煅烧工艺,制备了含钌为35wt%~45wt%,粒径为5~15μm,平均粒径为10μm的微米级球形Mo?Ru钎料粉体,粉体流动性好。该钼钌复合粉体可应用于高温领域特殊部件焊料。
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公开(公告)号:CN104032274B
公开(公告)日:2016-07-20
申请号:CN201410260448.7
申请日:2014-06-12
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种CoCrPt系合金溅射靶材和薄膜及其制备方法,所述CoCrPt系合金溅射靶材包括B元素,B元素的含量为0~20个原子百分比,所述合金靶材包括富Co相和富B相两个物相,其中富B相均匀的分布在富Co相中,所述富Co相的平均晶粒尺寸在20~50μm,富B相的平均晶粒尺寸在0~20μm;所述CoCrPt系合金溅射靶材的制备方法,包括:(1)真空熔炼;(2)热等静压;(3)热机械加工;(4)冷机械加工。使用本发明所述的CoCrPt系合金溅射靶材制备的磁记录介质,所述磁记录介质包括基底层,粘结层,软磁层,中间层和磁记录层,所述磁记录介质的矫顽力为3000~5000Oe,方形度为0.80~095。本发明化学成份均匀且偏离名义成分较小,解决了常规制备工艺中轧制开裂,成品率低,合金靶材化学成份偏离名义成份较多、有害杂质含量偏高等技术问题。
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公开(公告)号:CN104032270A
公开(公告)日:2014-09-10
申请号:CN201410260698.0
申请日:2014-06-12
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸钌基合金溅射靶材及其制备方法,钌基合金靶材包括Al,Co,Cr等元素中的一种或几种,其余为Ru,钌基合金靶材为圆饼状,其直径不小于100mm,致密度不低于99.5%,且其中心区域与边缘区域的致密度差不超过0.3%,且Ru与其他合金元素形成的第二相均匀的分布在Ru基体相中。所述的钌基合金溅射靶材的制备方法,包括通过气体雾化法制备熔点偏低的脆性相钌基合金粉末,再通过气流磨处理该脆性相获得了细小均匀的合金粉末,最后经粉末烧结制备出直径尺寸在100mm以上的钌基合金靶材,本发明获得的合金靶材杂质含量低,致密度高且均匀,成份分布均匀,晶粒细小均匀,使用该靶材溅射成膜的厚度均匀性,性能稳定以及减少了溅射过程的异常放电现象等。
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