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公开(公告)号：CN115101685A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210630666.X
申请日：2018-01-30
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种包括包含发光层、空穴传输层和电子传输层的限定层布置的电致发光器件。具体地，本发明涉及一种电致发光器件，其包括：‑至少一个阳极层，‑至少一个阴极层，‑至少一个发光层，‑至少一个第一空穴传输层，‑至少一个第一电子传输层；其中为了提高功率效率，所述发光层、所述空穴传输层和所述电子传输层的组成相互匹配，其中‑所述至少一个发光层包含：‑包埋在至少一种极性发光体主体化合物中的至少一种荧光发光体化合物，其中‑所述至少一种极性发光体主体化合物具有至少三个芳环，所述芳环独立地选自碳环和杂环；‑所述第一电子传输层包含：‑至少一种氧化还原n型掺杂剂，和‑至少一种第一电子传输基质化合物。
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公开(公告)号：CN115084399A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210634813.0
申请日：2018-01-30
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种包括包含发光层、空穴传输层和电子传输层的限定层布置的电致发光器件。具体地，本发明涉及一种电致发光器件，其包括：‑至少一个阳极层，‑至少一个阴极层，‑至少一个发光层，‑至少一个第一空穴传输层，‑至少一个第一电子传输层；其中为了提高功率效率，所述发光层、所述空穴传输层和所述电子传输层的组成相互匹配，其中‑所述至少一个发光层包含：‑包埋在至少一种极性发光体主体化合物中的至少一种荧光发光体化合物，其中‑所述至少一种极性发光体主体化合物具有至少三个芳环，所述芳环独立地选自碳环和杂环；‑所述第一电子传输层包含：‑至少一种氧化还原n型掺杂剂，和‑至少一种第一电子传输基质化合物。
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公开(公告)号：CN107452896B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201710400285.1
申请日：2017-05-31
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种包含有机半导体层的有机发光二极管。所述有机发光二极管包含阳极、透明阴极、至少一个发射层和至少一个有机半导体层，其中所述至少一个发射层和至少一个有机半导体层被布置在所述阳极与透明阴极之间，并且所述有机半导体层包含第一零价金属掺杂剂和第一基质化合物，其中所述第一基质包含至少两个菲咯啉基，本发明还涉及制造所述有机发光二极管的方法。
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公开(公告)号：CN111712485A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201980012186.3
申请日：2019-01-31
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
IPC: C07D215/04 , C07C255/50 , C07D235/08 , C07D213/16 , C07F9/53 , H01L51/00 , C09K11/06
Abstract: 本发明涉及有机材料，并且涉及包含所述有机材料的电子器件，具体涉及电致发光器件，具体涉及有机发光二极管(OLED)，其中所述半导体材料包含多取代的苯基部分、具有至少两个稠环的芳基部分、极性部分和这些部分之间的任选连接体。
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公开(公告)号：CN107851733B
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201680044669.8
申请日：2016-06-22
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及在阳极和基本上为银的阴极之间包含至少一个发光层的电子器件，该器件在阴极和阳极之间还包含至少一个混合层，所述混合层包含(i)至少一种基本上共价的电子传输基质化合物，其包含至少一个选自氧化膦基团或二唑基团的极性基团，和(ii)呈基本上元素形式的正电性元素，其选自基本上非放射性的碱金属，碱土金属，稀土金属，和周期表第四周期中质子数为22、23、24、25、26、27、28、29的过渡金属。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106660947B
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201580036616.7
申请日：2015-07-01
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
IPC: C07C251/24 , C07D277/66 , C07D215/30 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本发明涉及有机发光二极管(OLED)(100)，其包含发光层和至少两个电子传输层(160/161)的电子传输层叠层体，其中第一电子传输层(161)和第二电子传输层(162)包含至少一种基质化合物并且另外，‑所述第一电子传输层(161)包含第一卤化锂或第一锂有机复合物；和‑所述第二电子传输层(162)包含第二卤化锂或第二锂有机复合物，其中所述第一锂有机复合物与所述第二锂有机复合物不相同；并且其中所述第一卤化锂与所述第二卤化锂不相同。
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公开(公告)号：CN108198947A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201810073328.4
申请日：2012-11-30
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
CPC classification number: H01L51/008 , H01L51/0077 , H01L51/009 , H01L51/0092 , H01L51/42 , H01L51/50 , H01L51/5076 , H01L51/5092 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及有机电子器件，该有机电子器件包括第一电极、第二电极和在所述第一电极和所述第二电极之间的包含式(I)化合物的实质上有机的层：(I)，其中M是金属离子，A1至A4中的每个独立地选自H、取代或未取代的C6至C20芳基和取代或未取代的C2至C20杂芳基，和n是所述金属离子的化合价。
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公开(公告)号：CN107438908A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201680020759.3
申请日：2016-04-07
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 朱莉恩·弗雷 , 多玛果伊·帕维奇科 , 乌尔里希·登克尔 , 维金塔斯·扬库什 , 卡斯滕·罗特 , 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 , 卡特娅·格雷斐 , 乌尔里希·黑格曼 , 欧姆莱恩·法德尔
CPC classification number: H01L51/0052 , C07F9/5325 , C07F9/65517 , H01L51/0054 , H01L51/0058 , H01L51/0073 , H01L51/0077 , H01L51/008 , H01L51/5072 , H01L51/5076 , H01L51/5092 , H01L51/5096 , H01L2251/552
Abstract: 本发明涉及一种半导体材料，其包含：i)式(I)的化合物：其中R1、R2和R3独立地选自C1‑C30烷基、C3‑C30环烷基、C2‑C30杂烷基、C6‑C30芳基、C2‑C30杂芳基、C1‑C30烷氧基、C3‑C30环烷氧基、C6‑C30芳氧基，以及选自具有通式E‑A‑的结构单元，其中A为C6‑C30亚苯基间隔单元，以及E为电子传输单元，其选自C10‑C60芳基和包含至多6个独立地选自O、S、P、Si和B的杂原子的C6‑C60杂芳基，并且包含具有至少10个离域电子的共轭系统，并且至少一个选自R1、R2和R3的基团具有通式E‑A‑；和ii)至少一种式(II)的单价金属的复合物：其中M+为携带单一基本电荷的正金属离子，并且A1、A2、A3和A4各自独立地选自H、取代或未取代的C6‑C20芳基和取代或未取代的C2‑C20杂芳基，其中所述取代或未取代的C2‑C20杂芳基的含至少5个成环原子的杂芳基环包含至少一个选自O、S和N的杂原子。
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公开(公告)号：CN107210374A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201580068961.9
申请日：2015-12-15
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种有机发光二极管，其包含发射层和至少两个电子传输层的电子传输层堆叠物，其中第一电子传输层和第二电子传输层包含至少一种基质化合物，其中所述第一电子传输层的所述一种或多种基质化合物不同于所述第二电子传输层的所述一种或多种基质化合物；并且此外，所述第一电子传输层包含锂卤化物和/或锂有机复合物的掺杂剂，并且所述第二电子传输层不含掺杂剂。
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公开(公告)号：CN106062986A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201480070560.2
申请日：2014-12-23
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 欧姆莱恩·法德尔 , 卡斯滕·罗特 , 扬·比尔恩施托克 , 安斯加尔·维尔纳 , 凯·吉尔格 , 延斯·安格曼 , 迈克·策尔纳 , 弗朗西斯科·布卢姆 , 托马斯·罗泽诺 , 托比亚斯·坎茨勒 , 托马斯·卡里兹 , 乌尔里希·登克尔
CPC classification number: H01L51/005 , C07F9/5329 , C07F9/5728 , C07F9/58 , C07F9/64 , C07F9/65522 , C07F9/65527 , C07F9/65583 , C08K5/5397 , H01L27/3209 , H01L51/002 , H01L51/0052 , H01L51/5076 , H01L51/56 , H01L2251/301
Abstract: 本发明涉及包含作为n‑掺杂剂的至少一种金属元素和至少一种包含至少一个膦氧化物基团的电子传输基质化合物的电掺杂的半导体材料、所述电掺杂的半导体材料的制备方法和包含所述电掺杂的半导体材料的电子器件。
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