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公开(公告)号：CN103196932A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310060163.4
申请日：2013-02-26
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01N23/22
Abstract: 一种确定微波部件金属表面二次电子发射系数的方法，步骤为：(1)设定入射电子的初始状态；(2)改变入射电子的初始能量，统计不同入射能量下的出射电子数目，获得金属表面的二次电子发射系数；(3)由金属表面微观形貌得到金属表面陷阱结构的分布密度和深宽比；(4)由深宽比和绝对深度建立边界条件，对每次碰撞后的出射电子进行轨迹追踪，判断发生了再次碰撞、被金属壁吸收或者逃逸出陷阱口成为陷阱结构出射的二次电子，最后统计得到陷阱结构口面的二次电子发射系数；(5)结合陷阱结构分布密度和平滑金属表面的二次电子发射系数确定任意的实际金属表面的二次电子发射系数。
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