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公开(公告)号：CN105176530A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510579274.5
申请日：2015-09-11
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: C09K11/78
CPC classification number: Y02B20/181
Abstract: 本发明公开了一种高亮度钨酸盐红色荧光粉及其制备方法，其中，荧光粉化学式为：CaGd2-x-yYyEux(WO4)4，x＝0.1、0.2、0.3、0.4、0.5，y＝0.2、0.4、0.6、0.8、1.0、1.2、1.4、1.6；制备方法包括以下步骤：按照化学计量比分别称取CaCO3、Gd2O3、Y2O3、Eu2O3及WO3，混合得混合物A，依次将混合物A球磨得混合物B、烘干得混合粉体C、过200～300目筛得混合粉体D、在900～1100℃下煅烧4～6h后冷却至室温即得产品。本发明的有益之处在于：本发明的荧光粉解决了现有白光LED用红色荧光材料稳定性差、色纯度差、发光效率低等问题；本发明的制备方法通过调整Y3+、Eu3+离子的掺杂量和工艺参数，可制备高纯、均匀掺杂、粒度可控的单分散球形粉体，使荧光粉具有高稳定性和高色纯度，并能被近紫外和蓝光有效激发。
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公开(公告)号：CN104387067A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410571175.8
申请日：2014-10-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: C04B35/515 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开的高介电损耗钛硅碳粉体微波吸收剂的制备方法，具体按照以下步骤实施：步骤1、先分别称取钛粉Ti、硅粉Si、碳化钛粉TiC及铝粉Al，再将称取的钛粉Ti、硅粉Si、碳化钛粉TiC及铝粉Al经球磨混合，制备出混合粉体A；步骤2、将步骤1得到的混合粉体A过200目筛，以破除团聚物，得到混合粉体B，混合粉体B的平均粒径为74μm以下；步骤3、将经步骤2得到的混合粉体B置于真空烧结炉中，先进行抽真空处理，然后进行高温固相反应，制备得到Al掺杂的高纯度Ti3SiC2相粉体微波吸收剂。本发明的制备方法，解决了现有Ti3SiC2材料存在的低纯度及低微波介电损耗的问题。
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公开(公告)号：CN104027824A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410289389.6
申请日：2014-06-24
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明属于纳米复合材料领域，公开了一种具有抗体介导的光磁双模态介孔硅纳米颗粒的制备方法，以纳米四氧化三铁为核，使用二氧化硅包裹，由异硫氰酸荧光素标记，通过表面修饰3-氨丙基三乙氧基硅烷使其氨基化，然后通过羧氨交联接枝乳糖酸，最后通过活化羧基与前列腺癌干细胞抗原抗体(PSCA)。本发明方法简单，操作方便，得到的纳米颗粒具有主动靶向，生物相容性好，毒副作用小，单分散性与稳定性好，磁性与荧光性能稳定等优点。
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公开(公告)号：CN103332740A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310277825.3
申请日：2013-07-04
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: C01G31/00
Abstract: 本发明为一种单斜相双四面体状钒酸铋晶体的制备方法，首先，将Bi(NO3)3·5H2O溶于HNO3溶液中，并加入1.3-1.4gNaOH得混合溶液A，一定量正辛酸与甲苯混合得溶液B，将溶液A与溶液B混合、搅拌、静置，取上层溶液C；将NaVO3溶于一定pH的HNO3得溶液D，一定量三正辛胺与甲苯混合得溶液E，将溶液D与溶液E混合、搅拌、静置，取上层溶液F；然后，将溶液C和溶液F混合并加入体积为2-4mL的油胺，搅拌均匀得溶液G，将溶液G放入聚四氟乙烯容器中，在高温下反应16-20小时，冷却、离心并清洗得到样品；最后，将样品在真空干燥箱中干燥，得到单斜相双四面体状钒酸铋晶体。本发明能够制备出具有分散性好、形貌均一、粒径小的双四面体状钒酸铋晶体，其制备工艺简单，周期短。
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公开(公告)号：CN119121293A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411257776.1
申请日：2024-09-09
Applicant: 西安电子科技大学 , 云南贵金属实验室有限公司
IPC: C25B11/089 , B22F1/16 , B22F1/054 , B22F9/22 , C25B11/065 , C25B11/054 , C25B1/04 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种用于高效析氢的金属间纳米催化剂及其制备方法，所述制备方法包括：制备Ru@ZIF‑8前驱体；利用所述Ru@ZIF‑8前驱体作为晶核结构，引入合适比例的钴盐、锌盐和二甲基咪唑，在晶核结构外延生长Co‑ZIF‑8，形成核壳结构的Co‑ZIF‑8/Ru@ZIF‑8前驱体；利用所述Co‑ZIF‑8/Ru@ZIF‑8前驱体原位构筑金属间纳米催化剂RuCo@NC。利用本发明制备的RuCo@NC复合材料中，过渡金属钴量子点分散均匀，充分暴露活性位点；RuCo@NC复合材料具有核壳结构和较大的比表面积，使其在电催化方面的应用能够保持较高的催化活性，优良的稳定性以及优异的导电性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118851747A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410871982.5
申请日：2024-07-01
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种大应变压电陶瓷材料的制备方法，包括：利用熔融‑水淬法合成组分为(1‑x)Pb(ZraTi1‑a)O3‑x(Bi0.5Na0.5)TiO3‑ywt％BaZrO3‑βwt％B2O3的玻璃粉体，其中，x、a为摩尔比，y、β为质量比；利用固相合成法合成组分为(1‑x)Pb(ZraTi1‑a)O3‑x(Bi0.5Na0.5)TiO3‑ywt％BaZrO3的陶瓷粉体；利用所述玻璃粉体和所述陶瓷粉体，采用固相烧结法制备(1‑x)Pb(ZraTi1‑a)O3‑x(Bi0.5Na0.5)TiO3‑yBaZrO3‑zGL压电陶瓷材料，其中，GL的组成为(1‑x)Pb(ZraTi1‑a)O3‑x(Bi0.5Na0.5)TiO3‑ywt％BaZrO3‑βwt％B2O3。本发明通过向PZT基压电陶瓷中添加特制玻璃组分进行改性，在优化陶瓷材料微观结构的同时，显著提高了材料的应变。
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公开(公告)号：CN118184680A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410265309.7
申请日：2024-03-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: C07F1/08 , B22F1/054 , C25B1/23 , C25B3/01 , C25B3/26 , C25B11/04 , A61K47/24 , A61K39/39 , A61P35/00 , A61P37/04
Abstract: 本发明公开了一种扭曲纳米棒状手性Cu配合物的制备方法，主要解决现有技术过渡金属基手性材料不具有微观手性形貌特征的问题。其实现方案是：按照摩尔比1:1～1:5分别称取无水硫酸铜与胱氨酸，将其溶于去离子水或其他溶剂中进行磁力搅拌形成前驱体溶液；在前驱体溶液中滴加物质的量浓度为2.5mol/L的NaOH溶液形成混合溶液，并在室温下继续搅拌；对搅拌后的混合溶液用离心机进行离心得到沉淀物，再将沉淀物依次用无水乙醇和去离子水分别洗涤数次；将洗涤后的样品进行真空干燥，得到微观形貌不同的手性Cu配合物。本发明生成的纳米扭结具有不同扭曲方向和角度的手性结构，且结构稳定均匀，没有聚集现象，可用于CO2还原电催化剂。
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公开(公告)号：CN115231626B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202210880471.0
申请日：2022-07-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01M4/525 , C01G53/00 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及一种无钴高镍NMA三元正极材料及其制备方法，包括：称取可溶性锂盐、可溶性镍盐、可溶性锰盐、可溶性铝盐；配置盐溶液；配置螯合剂溶液；将螯合剂溶液加入盐溶液，搅拌得到螯合剂‑盐混合溶液；将氨水溶液加入螯合剂‑盐混合溶液，调节pH值，对螯合剂‑盐混合溶液进行搅拌，得到溶胶；对溶胶进行搅拌和加热，溶胶表面成膜后，再进行加热干燥得到湿凝胶；对湿凝胶进行升温干燥，得到干凝胶；将干凝胶粉碎，之后进行恒温预烧，得到无钴高镍三元正极材料的前驱体；将前驱体在氧气氛围下恒温煅烧，得到无钴高镍NMA三元正极材料。本发明所制备的正极材料具有更高的可逆比容量，更高的倍率性能，以及更稳定的循环稳定性。
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公开(公告)号：CN117142853A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311117266.X
申请日：2023-08-31
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/63
Abstract: 本发明公开了一种高品质因数的Al2‑xNdxMo3O12微波介质陶瓷材料及其制备方法，所述制备方法包括：将Al2O3、Nd2O3和MoO3的原始粉料按照化学通式Al2‑xNdxMo3O12进行配料，获得混合粉料；对所述混合粉料进行行星球磨，并进行烘干、过筛和预烧，获得预烧料；将所述预烧料再次进行行星球磨，并进行烘干和造粒，形成陶瓷生料；将所述陶瓷生料压制成型并进行排胶以固溶体的形成规，形成则为指导Al2‑xNdxMo，以3ONd12微波介质陶瓷材料3+离子少量取代Al2。O本发明3，通过占据晶格格位形成低温固溶相，降低了陶瓷材料的烧结温度和保温时间，并具有较低的介电常数和十分优异的Q×f值。
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公开(公告)号：CN113120856B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202110315304.7
申请日：2021-03-24
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于蓝宝石衬底的AlON矩形纳米阵列及其制备方法，该制备方法包括步骤：S1、在蓝宝石衬底的表面进行氮离子注入；S2、对经过氮离子注入的蓝宝石衬底进行退火处理，形成AlON矩形纳米阵列框架；S3、在AlON矩形纳米阵列框架上生长AlN；S4、对AlN进行原位高温退火，形成AlN高温保护层和AlON矩形纳米阵列，其中，AlON矩形纳米阵列嵌入蓝宝石衬底，AlN高温保护层位于AlON矩形纳米阵列上和蓝宝石衬底上；S5、在AlN高温保护层上制备HVPE‑AlN保护层。该制备方法制备得到了一种既保证蓝宝石衬底表面原子级光滑平整又可以稳定提升AlN材料质量和衬底出光效率的微/纳米结构蓝宝石图形化衬底。
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