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公开(公告)号：CN103454902B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310252462.8
申请日：2013-06-24
Applicant: 苏州大学
IPC: G04F5/14
Abstract: 本发明公开了一种原子钟，由电子学系统和物理封装构成，所述物理封装包括激光器、转换光路、1/4波片、碱性原子泡气室和光电探测器，其特征在于：所述转换光路包括四端口光纤耦合器、与光纤耦合器相连的四条光纤、自聚焦透镜和增反膜，所述激光器的输出端连接第一光纤，第二光纤连接自聚焦透镜，第三光纤连接光电探测器；所述增反膜位于碱性原子泡气室的出射侧，将出射光反射回碱性原子泡气室。本发明可以使得激光器和光电探测器远离碱性原子泡气室，减少温度和磁场对其的影响，提高原子钟的稳定度。
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公开(公告)号：CN104135291A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410335578.2
申请日：2014-07-15
Applicant: 苏州大学
IPC: H03M1/38
Abstract: 本发明公开了一种以脉冲充电形式实现的连续接近式寄存器型模数转换器，包括电压-电流转换模块、电荷再分布DAC模块、缓冲器模块、积分器模块、比较器模块和控制逻辑模块，所述电荷再分布DAC模块由电容器阵列及与所述电容器阵列相连的开关组成，所述电压-电流转换模块的电流输出端连接到电荷再分布DAC模块的输入端，所述电荷再分布DAC模块的输出端连接到积分器模块的输入端，所述缓冲器模块位于电荷再分布DAC模块和积分器模块之间，所述积分器模块的输出端连接到比较器模块的输入端，所述比较器模块的输出端连接到控制逻辑模块的输入端，所述控制逻辑模块的输出端连接到所述开关。本发明的模数转换器在分辨率保持很高的情况下仍可以保持高速。
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公开(公告)号：CN103885325A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410082524.X
申请日：2014-03-08
Applicant: 苏州大学
IPC: G04F5/14
Abstract: 本发明公开一种芯片级原子钟气室及其制备方法。具体为采用SOI硅片，在作为衬底的硅层上制备腔体，用以放置碱金属、充入惰性气体，并用玻璃封闭腔体，最后在作为器件层的硅层一侧设置支撑材料对器件进行保护，从而完成高稳定性的芯片级原子钟气室的制备；本发明只需通过一次关键的静电键合即可完成原子钟气室的制备，避免了因为静电键合的质量不好而导致气室稳定性差的问题；提高了产品成品率；本发明公开的气室结构简单合理，所以制得的气室体积小，使用简单，并且制备成本低，适于工业化生产。
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公开(公告)号：CN103856215A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201410074290.4
申请日：2014-03-03
Applicant: 苏州大学
IPC: H03L7/26
Abstract: 本发明公开了一种低功耗芯片级原子钟物理封装装置，包括外部封装、上下支架、框架空间器以及内部元件，所述外部封装由陶瓷封装及底座组成，所述内部元件包括激光器、光电探测器、碱性原子泡气室、1/4波片以及C场偏置模块，所述C场偏置模块包括永磁体组件，所述永磁体组件产生沿物理封装轴向方向的磁场。本发明将永磁体产生的磁场全部或部分代替原有芯片级原子钟物理封装中的线圈产生的磁场，使得流过线圈的电流达到最少，从而大大减少芯片级原子钟物理封装的能耗。
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公开(公告)号：CN103744283A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201410037275.2
申请日：2014-01-26
Applicant: 苏州大学
IPC: G04F5/14
Abstract: 本发明公开一种碱金属谐振器及其制备方法。碱金属谐振器是由玻璃-硅-玻璃，通过两次静电键合，形成的三明治结构。碱金属通过谐振器侧面预留通孔移植到碱金属谐振腔内；然后，用低温焊料，在手套箱中完成碱金属谐振器的封闭操作。本发明采用了MEMS的工艺，可以进行批量生产，成本低；另外，碱金属的移植是在静电键合工艺过程之后进行的，不会影响静电键合质量；碱金属谐振腔内植入是纯碱金属，不含任何其余物质，不会影响信号质量；不需要对碱金属做任何处理，有效的降低了碱金属谐振器制造成本和制作周期。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103281079A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310252452.4
申请日：2013-06-24
Applicant: 苏州大学
IPC: H03L7/26
Abstract: 本发明公开了一种CPT原子频标，由电子学系统和物理封装构成，所述物理封装沿光路传递方向主要依次由激光器、转换光路、1/4波片、碱性原子泡气室和光电探测器组成，其特征在于：所述转换光路包括连接光纤和自聚焦透镜，所述连接光纤连接激光器的输出端和自聚焦透镜，自聚焦透镜输出的平行光进入1/4波片。本发明将带尾纤的激光器与带尾纤的自聚焦透镜连接，可以使得激光器远离碱性原子泡气室，减少温度和磁场对其的影响；光纤的使用，可以减少光的损耗；并且自聚焦透镜可以产生平行光束，该光束经过1/4波片后易于得到圆偏振光。
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公开(公告)号：CN210724750U
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201922116968.1
申请日：2019-12-02
Applicant: 苏州大学
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本实用新型公开了一种纳米级CMOS工艺下高线性度单位增益电压缓冲器，包括运算跨导放大器和源极跟随器；输入电压为下限时，第八NMOS管N8能够充分工作在饱和区，因而能够保证足够的环路增益；输入电压迫近电源电压时，第七PMOS管P7进入线性区，第七PMOS管P7的栅极电压急剧下降，但是只要没有下降到迫使第九NMOS管N9进入线性区，第六PMOS管P6的源极电压(即本实用新型的输出电压)就能够正常跟随栅极电压(即OTA的输出电压)的变化，进而就能够保证足够的环路增益；本实用新型的优点在于，能够在较宽输入电压范围内维持较高且恒定的环路增益，保障了较低的电压缓冲误差和非线性失真。
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公开(公告)号：CN209471392U
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201920487163.5
申请日：2019-04-11
Applicant: 苏州大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 本实用新型公开了一种低压降高输出电阻镜像电流源电路，包括第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第三PMOS管P3、第四PMOS管P4、第五PMOS管P5、第六PMOS管P6、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第一参考电流源Iin、电阻R、电压源VDD；输入电流经低压共源共栅电流镜镜像成两路电流，经第五PMOS管P5、第六PMOS管P6流入由第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4组成的另一组镜像电流源，本实用新型能够在很低的电流源输出压降下实现稳定的输出电流，便利了低电源电压的深亚微米CMOS工艺下的模拟电路设计，使得模拟集成电路也可以从工艺进步中受益，并且促进先进CMOS工艺下片上系统的实现。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN204669324U
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201520199133.6
申请日：2015-04-03
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本实用新型公开了一种带有基于微机电技术的电调衰减器的压控振荡器，包括电调衰减器和压控振荡信号源，所述压控振荡信号源的输出端连接到电调衰减器，所述电调衰减器由微带线模块和PIN二极管组成，所述压控振荡信号源包括有源放大器件、谐振器件、调谐网络和偏置电路，所述微带线模块包括含有空气腔的衬底、设于衬底表面的一层介质薄膜、设于介质薄膜上的微带线及其输入、输出端口的焊盘和接地焊盘，所述PIN二极管设于微带线输入、输出端口的焊盘与接地焊盘之间。本实用新型能够实现压控振荡器的输出信号在基本不失真的情况下，输出功率能够连续衰减可调。
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公开(公告)号：CN203324462U
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201320356902.X
申请日：2013-06-20
Applicant: 苏州大学
IPC: G01R35/00
Abstract: 本实用新型公开了一种对磁传感器进行检测和标定的系统，包括计算机、主控制板和零磁空间，所述计算机的输出端口与所述主控制板的输入端口形成电学连接，其特征在于：所述零磁空间中设有螺线管，所述螺线管内处于同一轴线方向分别设置有标准磁传感器和待测磁传感器；所述主控制板上设有可控恒流源，所述可控恒流源的输出连接至所述螺线管。本实用新型可以产生大动态范围电压信号，并将其转换为与负载、工作频率无关的线性电流信号，电流信号可在螺线管中形成大动态范围、高线性度的均匀磁场或交变磁场，参照标准磁传感器读数，实现待测高精度磁传感器的测试和标定。
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