公开(公告)号：CN109947172A

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201910289713.7

申请日：2019-04-11

Applicant: 苏州大学

Inventor： 白春风 ,  沈星月 ,  司大千 ,  赵鹤鸣 ,  乔东海

IPC: G05F3/26

Abstract: 本发明公开了一种低压降高输出电阻镜像电流源电路，包括第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第三PMOS管P3、第四PMOS管P4、第五PMOS管P5、第六PMOS管P6、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第一参考电流源Iin、电阻R、电压源VDD；输入电流经低压共源共栅电流镜镜像成两路电流，经第五PMOS管P5、第六PMOS管P6流入由第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4组成的另一组镜像电流源，本发明能够在很低的电流源输出压降下实现稳定的输出电流，便利了低电源电压的深亚微米CMOS工艺下的模拟电路设计，使得模拟集成电路也可以从工艺进步中受益，并且促进先进CMOS工艺下片上系统的实现。

公开(公告)号：CN109947172B

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN201910289713.7

申请日：2019-04-11

Applicant: 苏州大学

Inventor： 白春风 ,  沈星月 ,  司大千 ,  赵鹤鸣 ,  乔东海

IPC: G05F3/26

Abstract: 本发明公开了一种低压降高输出电阻镜像电流源电路，包括第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第三PMOS管P3、第四PMOS管P4、第五PMOS管P5、第六PMOS管P6、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第一参考电流源Iin、电阻R、电压源VDD；输入电流经低压共源共栅电流镜镜像成两路电流，经第五PMOS管P5、第六PMOS管P6流入由第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4组成的另一组镜像电流源，本发明能够在很低的电流源输出压降下实现稳定的输出电流，便利了低电源电压的深亚微米CMOS工艺下的模拟电路设计，使得模拟集成电路也可以从工艺进步中受益，并且促进先进CMOS工艺下片上系统的实现。

公开(公告)号：CN109462381B

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN201811250230.8

申请日：2018-10-25

Applicant: 苏州大学

Inventor： 白春风 ,  乔东海 ,  赵鹤鸣 ,  司大千

IPC: H03F3/45

Abstract: 本发明公开了一种适用于深亚微米CMOS工艺的运算电流放大器，包括差分电流缓冲级、源极耦合差分跨导级主电路和源极耦合差分跨导级从电路。本发明具有适用深亚微米CMOS工艺电源电压低、高频性能好的特点，基于本发明搭建的电阻网络负反馈放大器在实现宽带、大输出摆幅的同时仍能维持与基于运算跨导放大器搭建的电阻网络负反馈放大器相当的共模抑制比性能。

公开(公告)号：CN109462381A

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201811250230.8

申请日：2018-10-25

Applicant: 苏州大学

Inventor： 白春风 ,  乔东海 ,  赵鹤鸣 ,  司大千

IPC: H03F3/45

Abstract: 本发明公开了一种适用于深亚微米CMOS工艺的运算电流放大器，包括差分电流缓冲级、源极耦合差分跨导级主电路和源极耦合差分跨导级从电路。本发明具有适用深亚微米CMOS工艺电源电压低、高频性能好的特点，基于本发明搭建的电阻网络负反馈放大器在实现宽带、大输出摆幅的同时仍能维持与基于运算跨导放大器搭建的电阻网络负反馈放大器相当的共模抑制比性能。

公开(公告)号：CN209471392U

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201920487163.5

申请日：2019-04-11

Applicant: 苏州大学

Inventor： 白春风 ,  沈星月 ,  司大千 ,  赵鹤鸣 ,  乔东海

IPC: G05F3/26

Abstract: 本实用新型公开了一种低压降高输出电阻镜像电流源电路，包括第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第三PMOS管P3、第四PMOS管P4、第五PMOS管P5、第六PMOS管P6、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第一参考电流源Iin、电阻R、电压源VDD；输入电流经低压共源共栅电流镜镜像成两路电流，经第五PMOS管P5、第六PMOS管P6流入由第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4组成的另一组镜像电流源，本实用新型能够在很低的电流源输出压降下实现稳定的输出电流，便利了低电源电压的深亚微米CMOS工艺下的模拟电路设计，使得模拟集成电路也可以从工艺进步中受益，并且促进先进CMOS工艺下片上系统的实现。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利