一种用于同时实现激光消融和温度检测的光纤消融针

    公开(公告)号:CN117379174A

    公开(公告)日:2024-01-12

    申请号:CN202310677925.9

    申请日:2023-06-09

    Inventor: 余霞 姜俊杰 方晨

    Abstract: 本发明提供一种用于同时实现激光消融和温度检测的光纤消融针,通过一根光纤即可实现激光消融与光纤消融针在体内位置处的温度检测。包括光纤1,用于通入一定条件的激光,将光纤的一部分插入肿瘤中,实现激光消融;光纤1的外部覆有薄膜热电偶阵列2和绝缘膜3,用于实现光纤消融针在体内位置处的温度检测;留在体外的光纤插在陶瓷插芯4中,陶瓷插芯4顶端的上部光纤侧面留有不覆盖绝缘膜3的分界区,在分界区上利用银胶5将检测导线6与薄膜热电偶阵列2的引脚相连,以实现温度的输出;陶瓷插芯4的外部套有陶瓷套管7。

    纳米级CMOS工艺下高线性度单位增益电压缓冲器

    公开(公告)号:CN110798203A

    公开(公告)日:2020-02-14

    申请号:CN201911210887.6

    申请日:2019-12-02

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了一种纳米级CMOS工艺下高线性度单位增益电压缓冲器,包括运算跨导放大器和源极跟随器;输入电压为下限时,第八NMOS管N8能够充分工作在饱和区,因而能够保证足够的环路增益;输入电压迫近电源电压时,第七PMOS管P7进入线性区,第七PMOS管P7的栅极电压急剧下降,但是只要没有下降到迫使第九NMOS管N9进入线性区,第六PMOS管P6的源极电压(即本发明的输出电压)就能够正常跟随栅极电压(即OTA的输出电压)的变化,进而就能够保证足够的环路增益;本发明的优点在于,能够在较宽输入电压范围内维持较高且恒定的环路增益,保障了较低的电压缓冲误差和非线性失真。

    纳米级CMOS工艺下高线性度单位增益电压缓冲器

    公开(公告)号:CN210724750U

    公开(公告)日:2020-06-09

    申请号:CN201922116968.1

    申请日:2019-12-02

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本实用新型公开了一种纳米级CMOS工艺下高线性度单位增益电压缓冲器,包括运算跨导放大器和源极跟随器;输入电压为下限时,第八NMOS管N8能够充分工作在饱和区,因而能够保证足够的环路增益;输入电压迫近电源电压时,第七PMOS管P7进入线性区,第七PMOS管P7的栅极电压急剧下降,但是只要没有下降到迫使第九NMOS管N9进入线性区,第六PMOS管P6的源极电压(即本实用新型的输出电压)就能够正常跟随栅极电压(即OTA的输出电压)的变化,进而就能够保证足够的环路增益;本实用新型的优点在于,能够在较宽输入电压范围内维持较高且恒定的环路增益,保障了较低的电压缓冲误差和非线性失真。

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