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公开(公告)号：CN100585882C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200510091746.9
申请日：2000-03-29
IPC: H01L31/18
Abstract: 太阳能电池的制造方法，所说的太阳能电池在其一对电极之间具有一种由至少两层杂质浓度和/或种类不同的半导体薄膜组成的积层结构，其特征在于，其中的至少一层半导体薄膜的形成包括下述工序：把含有硅化合物的液体涂料组合物涂布于基板上以形成涂膜的工序、接着对该涂膜进行热处理和/或光处理以获得硅膜的工序。
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公开(公告)号：CN100530760C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200610144630.1
申请日：1999-03-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H05B33/22 , G02B5/201 , H01L27/322 , H01L27/3246 , H01L51/0005 , H01L51/0014 , H01L51/5284 , H01L2251/558 , H05B33/10 , Y10T428/24802
Abstract: 公开了诸如EL器件之类的其像素间薄膜厚度几乎没有变化的显示器件，以及一种滤色器。在衬底上设置的是由喷墨方法在要被涂敷的并由堤所分隔的区域中形成的像素，其满足公式a＞d/4，d/2＜b＜5d，c＞t0和c＞d/(2b)的关系。其中a为堤的宽度，c为堤的高度，b为要被涂敷的区域的宽度，而d为或形成薄膜层的液体材料的液滴直径，t0是薄膜层的膜厚度。还公开了一种修改表面的方法，包括在形成表面的无机物堤上形成有机材料的堤，并在过量氟的条件下进行等离子体处理。还有一种方法，包括对具有由有机材料形成的堤的衬底进行氧气等离子体处理，并进行含氟气体的等离子体处理。
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公开(公告)号：CN100517424C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200410043407.9
申请日：1998-08-20
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 汤田坂一夫
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L27/3211 , H01L27/3276 , H01L51/0005 , H01L51/5203 , H01L51/5284
Abstract: 本发明以实现不会损伤薄膜发光元件并能在该薄膜发光元件的有机半导体膜的周围适当地形成厚的绝缘膜的显示装置为目的，显示装置包括：一个对置电极；以及多个象素，多个象素中各象素包括：象素电极；以及设置在所述象素电极和所述对置电极间的有机半导体膜，其中，除了在形成端子的区域外，所述对置电极的形成作为所述多个象素的共同之用。
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公开(公告)号：CN100405530C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200310119973.9
申请日：1997-05-14
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: G02F1/136227 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , Y10T428/1064 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明提供了一种薄膜器件制造方法，其特征在于：准备具有多个排出口的涂敷液排出喷嘴；相对地改变基板与所述多个涂敷液排出喷嘴的位置，同时使所述涂敷液只排出到基板上的涂敷区上，在基板上形成构图了的涂敷膜。根据本发明方法制造的薄膜器件借助于利用廉价、产量高、涂敷液使用效率高的制造装置来制造TFT，大幅度削减初期投资及液晶显示装置的成本。
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公开(公告)号：CN1322936C
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200410035379.6
申请日：2004-04-22
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 汤田坂一夫
CPC classification number: H01L21/67173 , H01L21/02532 , H01L21/02628 , H01L21/6715 , H01L21/67207 , H01L27/1292 , H01L29/66757 , Y10T29/41
Abstract: 一种在涂敷室中的衬底上涂敷液体原料的涂敷设备。供给液体原料的第一液体供给系统设置在涂敷室。第二液体供给系统设置在第一液体供给系统中，第一液体系统供给液体，所述液体清除残留在涂敷室和/或第一液体供给系统中的液体原料或去除所述液体原料的活性。提供了一种涂敷设备、一种薄膜形成方法、一种电光装置和一种电子仪器，它们能够获得具有极少缺陷和高度再生产性的高性能的薄膜，并允许有效和安全地进行设备的保养，以及能够以低成本制造薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1294626C
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN00800438.2
申请日：2000-03-29
IPC: H01L21/208 , C01B33/02
CPC classification number: C23C18/06 , C08G77/60 , C09D183/16 , C23C18/08 , H01L21/0242 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02628 , H01L21/02636 , H01L29/6675 , H01L51/0005 , Y02P20/582
Abstract: 本发明涉及包括用喷墨头(12)把油墨组合物(11)选择性的喷至基片的预定区域以形成硅前体图案以及其后用热和或光处理把硅前体转变成无定形硅膜或多晶硅膜的硅膜形成方法。该方法可被用来以省能、低价在基片的大面积部分提供硅膜图案。
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公开(公告)号：CN1722475A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510091746.9
申请日：2000-03-29
IPC: H01L31/18
Abstract: 太阳能电池的制造方法，所说的太阳能电池在其一对电极之间具有一种由至少两层杂质浓度和/或种类不同的半导体薄膜组成的积层结构，其特征在于，其中的至少一层半导体薄膜的形成包括下述工序：把含有硅化合物的液体涂料组合物涂布于基板上以形成涂膜的工序、接着对该涂膜进行热处理和/或光处理以获得硅膜的工序。
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公开(公告)号：CN1577894A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410059264.0
申请日：2004-06-15
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 汤田坂一夫
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L27/12 , H01L27/1292 , H01L29/66757
Abstract: 在具有顶端栅极结构的晶体管中，利用涂敷法形成栅极绝缘薄膜的一部分。此时，适当设定其上形成涂敷薄膜的半导体薄膜的尺寸，以对应于涂敷液体，涂敷条件，以及涂敷薄膜中需要的薄膜厚度的特性。改进了晶体管的电特性和可靠性。
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公开(公告)号：CN1529344A
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN200310119973.9
申请日：1997-05-14
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: G02F1/136227 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , Y10T428/1064 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明提供了一种薄膜器件制造方法，其特征在于：准备具有多个排出口的涂敷液排出喷嘴；相对地改变基板与所述多个涂敷液排出喷嘴的位置，同时使所述涂敷液只排出到基板上的涂敷区上，在基板上形成构图了的涂敷膜。根据本发明方法制造的薄膜器件借助于利用廉价、产量高、涂敷液使用效率高的制造装置来制造TFT，大幅度削减初期投资及液晶显示装置的成本。
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公开(公告)号：CN1482584A
公开(公告)日：2004-03-17
申请号：CN03140654.8
申请日：1998-08-25
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 汤田坂一夫
IPC: G09G3/00 , G09G3/20 , G09G3/32 , H01L29/786
CPC classification number: H05B33/26 , H01L27/1255 , H01L27/3246 , H01L51/5253 , H01L51/5284 , H05B33/04 , H05B33/12 , H05B33/22
Abstract: 公开一种显示装置，该显示装置包括：多条扫描线；多条数据线；驱动电路，所述驱动电路连接到所述多条扫描线或所述多条扫描线；和显示部，所述显示部包括所述多条扫描线和所述多条数据线的相交点限定和形成的多个像素，所述多个像素中的每一个像素包括：导通控制电路，所述导通控制电路包括第一晶体管，扫描信号通过所述多条扫描线中相应的一条扫描线提供给所述第一晶体管的栅极，来自所述多条数据线中相应一条数据线的图像信号通过所述第一晶体管提供给所述导通控制电路；像素电极；和发光薄膜，所述发光薄膜位于所述像素电极和对置电极之间，所述对置电极至少覆盖所述显示部，和导电膜，所述导电膜覆盖所述对置电极。
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