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公开(公告)号：CN100530760C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200610144630.1
申请日：1999-03-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H05B33/22 , G02B5/201 , H01L27/322 , H01L27/3246 , H01L51/0005 , H01L51/0014 , H01L51/5284 , H01L2251/558 , H05B33/10 , Y10T428/24802
Abstract: 公开了诸如EL器件之类的其像素间薄膜厚度几乎没有变化的显示器件，以及一种滤色器。在衬底上设置的是由喷墨方法在要被涂敷的并由堤所分隔的区域中形成的像素，其满足公式a＞d/4，d/2＜b＜5d，c＞t0和c＞d/(2b)的关系。其中a为堤的宽度，c为堤的高度，b为要被涂敷的区域的宽度，而d为或形成薄膜层的液体材料的液滴直径，t0是薄膜层的膜厚度。还公开了一种修改表面的方法，包括在形成表面的无机物堤上形成有机材料的堤，并在过量氟的条件下进行等离子体处理。还有一种方法，包括对具有由有机材料形成的堤的衬底进行氧气等离子体处理，并进行含氟气体的等离子体处理。
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公开(公告)号：CN100550472C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200610144631.6
申请日：1999-03-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H05B33/22 , G02B5/201 , H01L27/322 , H01L27/3246 , H01L51/0005 , H01L51/0014 , H01L51/5284 , H01L2251/558 , H05B33/10 , Y10T428/24802
Abstract: 公开了诸如EL器件之类的其像素间薄膜厚度几乎没有变化的显示器件，以及一种滤色器。在衬底上设置的是由喷墨方法在要被涂敷的并由堤所分隔的区域中形成的像素，其满足公式a＞d/4，d/2＜b＜5d，c＞t0和c＞d/(2b)的关系。其中a为堤的宽度，c为堤的高度，b为要被涂敷的区域的宽度，而d为或形成薄膜层的液体材料的液滴直径，t0是薄膜层的膜厚度。还公开了一种修改表面的方法，包括在形成表面的无机物堤上形成有机材料的堤，并在过量氟的条件下进行等离子体处理。还有一种方法，包括对具有由有机材料形成的堤的衬底进行氧气等离子体处理，并进行含氟气体的等离子体处理。
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公开(公告)号：CN101017885A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200610144631.6
申请日：1999-03-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H05B33/22 , G02B5/201 , H01L27/322 , H01L27/3246 , H01L51/0005 , H01L51/0014 , H01L51/5284 , H01L2251/558 , H05B33/10 , Y10T428/24802
Abstract: 公开了诸如EL器件之类的其像素间薄膜厚度几乎没有变化的显示器件，以及一种滤色器。在衬底上设置的是由喷墨方法在要被涂敷的并由堤所分隔的区域中形成的像素，其满足公式a＞d/4，d/2＜b＜5d，c＞t0和c＞d/(2b)的关系。其中a为堤的宽度，c为堤的高度，b为要被涂敷的区域的宽度，而d为或形成薄膜层的液体材料的液滴直径，t0是薄膜层的膜厚度。还公开了一种修改表面的方法，包括在形成表面的无机物堤上形成有机材料的堤，并在过量氟的条件下进行等离子体处理。还有一种方法，包括对具有由有机材料形成的堤的衬底进行氧气等离子体处理，并进行含氟气体的等离子体处理。
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公开(公告)号：CN101005124A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200610144629.9
申请日：1999-03-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H05B33/22 , G02B5/201 , H01L27/322 , H01L27/3246 , H01L51/0005 , H01L51/0014 , H01L51/5284 , H01L2251/558 , H05B33/10 , Y10T428/24802
Abstract: 公开了诸如EL器件之类的其像素间薄膜厚度几乎没有变化的显示器件，以及一种滤色器。在衬底上设置的是由喷墨方法在要被涂敷的并由堤所分隔的区域中形成的像素，其满足公式a＞d/4，d/2＜b＜5d，c＞t0和c＞d/(2b)的关系。其中a为堤的宽度，c为堤的高度，b为要被涂敷的区域的宽度，而d为或形成薄膜层的液体材料的液滴直径，t0是薄膜层的膜厚度。还公开了一种修改表面的方法，包括在形成表面的无机物堤上形成有机材料的堤，并在过量氟的条件下进行等离子体处理。还有一种方法，包括对具有由有机材料形成的堤的衬底进行氧气等离子体处理，并进行含氟气体的等离子体处理。
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公开(公告)号：CN1304198C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200410038149.5
申请日：2004-05-08
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: B41J2/1626 , B41J2/1433 , B41J2/1606 , B41J2/162 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , B41J2002/14419
Abstract: 本发明提供一种部件，包括衬底、形成在衬底表面上的底涂层膜以及形成在所述底涂层膜表面上的金属醇盐疏液膜。本发明还公开了使用上述部件的喷嘴板、液体喷射头和液体喷射装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100530759C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200610144629.9
申请日：1999-03-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H05B33/22 , G02B5/201 , H01L27/322 , H01L27/3246 , H01L51/0005 , H01L51/0014 , H01L51/5284 , H01L2251/558 , H05B33/10 , Y10T428/24802
Abstract: 公开了诸如EL器件之类的其像素间薄膜厚度几乎没有变化的显示器件，以及一种滤色器。在衬底上设置的是由喷墨方法在要被涂敷的并由堤所分隔的区域中形成的像素，其满足公式a＞d/4，d/2＜b＜5d，c＞t0和c＞d/(2b)的关系。其中a为堤的宽度，c为堤的高度，b为要被涂敷的区域的宽度，而d为或形成薄膜层的液体材料的液滴直径，t0是薄膜层的膜厚度。还公开了一种修改表面的方法，包括在形成表面的无机物堤上形成有机材料的堤，并在过量氟的条件下进行等离子体处理。还有一种方法，包括对具有由有机材料形成的堤的衬底进行氧气等离子体处理，并进行含氟气体的等离子体处理。
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公开(公告)号：CN101005123A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200610144628.4
申请日：1999-03-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H05B33/22 , G02B5/201 , H01L27/322 , H01L27/3246 , H01L51/0005 , H01L51/0014 , H01L51/5284 , H01L2251/558 , H05B33/10 , Y10T428/24802
Abstract: 公开了诸如EL器件之类的其像素间薄膜厚度几乎没有变化的显示器件，以及一种滤色器。在衬底上设置的是由喷墨方法在要被涂敷的并由堤所分隔的区域中形成的像素，其满足公式a＞d/4，d/2＜b＜5d，c＞t0和c＞d/(2b)的关系。其中a为堤的宽度，c为堤的高度，b为要被涂敷的区域的宽度，而d为或形成薄膜层的液体材料的液滴直径，t0是薄膜层的膜厚度。还公开了一种修改表面的方法，包括在形成表面的无机物堤上形成有机材料的堤，并在过量氟的条件下进行等离子体处理。还有一种方法，包括对具有由有机材料形成的堤的衬底进行氧气等离子体处理，并进行含氟气体的等离子体处理。
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公开(公告)号：CN100530758C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200610144628.4
申请日：1999-03-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H05B33/22 , G02B5/201 , H01L27/322 , H01L27/3246 , H01L51/0005 , H01L51/0014 , H01L51/5284 , H01L2251/558 , H05B33/10 , Y10T428/24802
Abstract: 公开了诸如EL器件之类的其像素间薄膜厚度几乎没有变化的显示器件，以及一种滤色器。在衬底上设置的是由喷墨方法在要被涂敷的并由堤所分隔的区域中形成的像素，其满足公式a＞d/4，d/2＜b＜5d，c＞t0和c＞d/(2b)的关系。其中a为堤的宽度，c为堤的高度，b为要被涂敷的区域的宽度，而d为或形成薄膜层的液体材料的液滴直径，t0是薄膜层的膜厚度。还公开了一种修改表面的方法，包括在形成表面的无机物堤上形成有机材料的堤，并在过量氟的条件下进行等离子体处理。还有一种方法，包括对具有由有机材料形成的堤的衬底进行氧气等离子体处理，并进行含氟气体的等离子体处理。
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公开(公告)号：CN101005125A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200610144630.1
申请日：1999-03-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H05B33/22 , G02B5/201 , H01L27/322 , H01L27/3246 , H01L51/0005 , H01L51/0014 , H01L51/5284 , H01L2251/558 , H05B33/10 , Y10T428/24802
Abstract: 公开了诸如EL器件之类的其像素间薄膜厚度几乎没有变化的显示器件，以及一种滤色器。在衬底上设置的是由喷墨方法在要被涂敷的并由堤所分隔的区域中形成的像素，其满足公式a＞d/4，d/2＜b＜5d，c＞t0和c＞d/(2b)的关系。其中a为堤的宽度，c为堤的高度，b为要被涂敷的区域的宽度，而d为或形成薄膜层的液体材料的液滴直径，t0是薄膜层的膜厚度。还公开了一种修改表面的方法，包括在形成表面的无机物堤上形成有机材料的堤，并在过量氟的条件下进行等离子体处理。还有一种方法，包括对具有由有机材料形成的堤的衬底进行氧气等离子体处理，并进行含氟气体的等离子体处理。
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公开(公告)号：CN1293784C
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN99800314.X
申请日：1999-03-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H05B33/22 , G02B5/201 , H01L27/322 , H01L27/3246 , H01L51/0005 , H01L51/0014 , H01L51/5284 , H01L2251/558 , H05B33/10 , Y10T428/24802
Abstract: 公开了诸如EL器件之类的其像素间薄膜厚度几乎没有变化的显示器件，以及一种滤色器。在衬底上设置的是由喷墨方法在要被涂敷的并由堤所分隔的区域中形成的像素，其满足公式a＞d/4，d/2＜b＜5d，c＞t0和c＞d/(2b)的关系。其中a为堤的宽度，c为堤的高度，b为要被涂敷的区域的宽度，而d为形成薄膜层的液体材料的液滴直径，t0是薄膜层的膜厚度。还公开了一种修改表面的方法，包括在形成表面的无机物堤上形成有机材料的堤，并在过量氟的条件下进行等离子体处理。还有一种方法，包括对具有由有机材料形成的堤的衬底进行氧气等离子体处理，并进行含氟气体的等离子体处理。
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