一种提高碳纳米管阴极场致电子发射性能的后处理方法

    公开(公告)号:CN102592918A

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN201210041775.4

    申请日:2012-02-23

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明公开了一种提高碳纳米管阴极场致电子发射性能的后处理方法,通过磁场后处理,使阴极表面碳纳米管磁性极化而发生取向,使得阴极表面碳纳米管垂直于衬底表面,从而使碳纳米管阴极的场致电子发射性能得到显著改善,即使碳纳米管薄膜的电流密度提高1倍,阈值强度降低30%以上,电子发射点密度可提高1个数量级以上且均匀性明显提高,本发明的方法简单有效,全面提高碳纳米管阴极的场发射性能,具备显著的经济和社会效益。

    一种氧化锌和碳纳米管场发射复合阴极结构的制备方法

    公开(公告)号:CN102543620A

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN201210032417.7

    申请日:2012-02-14

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明公开了一种氧化锌和碳纳米管场发射复合阴极结构的制备方法,包括:在基底上制备金属电极;在金属电极上制备氧化锌种子层;将碳纳米管均匀分散在生长溶液中;采用水热法制备氧化锌和碳纳米管场发射复合阴极结构,从而实现碳纳米管缠绕或镶嵌在氧化锌表面的结构。本发明制备的碳纳米管缠绕或镶嵌在氧化锌表面的复合阴极结构,能够大大增加碳纳米管尖端外露与直立的几率,氧化锌和碳纳米管同时提供场发射电子,提高场发射效率,该制备方法简单、成本低,具有显著的经济和社会效益。

    阳极氧化铝模板制作方法及利用该模板制作场发射阴极阵列材料方法

    公开(公告)号:CN102262989A

    公开(公告)日:2011-11-30

    申请号:CN201110174169.5

    申请日:2011-06-27

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种阳极氧化铝模板制作方法及利用该氧化铝模板制作场发射阴极阵列材料方法,通过采取一系列表面保护措施,制得形貌规则、表面洁净的阳极氧化铝模板再利用水热等方法向氧化铝模板纳米孔洞中灌注有机物质、金属有机溶液或溶胶,再经过凝胶化、高温碳化、去氧化铝模板等工艺得到场发射垂直纳米线或纳米管阵列阴极材料。由这种方法制得的场发射阴极材料形貌规则、场发射性能测试中开启电压较小,且种方法工艺较简单、易于实现大面积场发射材料的制作。

    发射单元单阴单栅式无介质三极FED装置及其驱动方法

    公开(公告)号:CN102148118A

    公开(公告)日:2011-08-10

    申请号:CN201010561422.8

    申请日:2010-11-27

    Applicant: 福州大学

    CPC classification number: H01J21/20 H01J19/24

    Abstract: 本发明涉及显示器制造技术领域,特别是一种发射单元单阴单栅式无介质三极FED装置及其驱动方法,该装置包括相互平行设置的阳极板和阴栅板,其特征在于:阴栅板上间隔均布有阴极和栅极,所述阴极和栅极在阴栅板上按阴极-栅极结构循环设置,以在阴栅板上形成依次并排的多个阴-栅结构的电子发射单元,各阴、栅电极之间为真空状态,阳极板上对应间隔均布有阳极,该驱动方法阴栅电压起扫描作用,阳极电压起信号调制作用,当阴栅板每根电极固定作为阴极或栅极时,采用固定电压驱动,当阴栅板上的电极可阴栅互换时,采用脉冲扫描的驱动方法。该装置制造工艺简单,制造难度低,相应的驱动方法有利于提高FED显示装置的工作性能。

    一种拼接式大面积场发射平面光源

    公开(公告)号:CN101819915A

    公开(公告)日:2010-09-01

    申请号:CN201010165819.5

    申请日:2010-05-08

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种拼接式大面积场发射平面光源,其包括若干个无真空隔离支柱场发射光源单元,所述若干个无真空隔离支柱场发射光源单元相互独立设于一平面上并排列组合成为大面积场致发射背光源;所述场发射光源单元包括阴极板、与阴极板相对应的阳极板、用于封装阴极和阳极的边封体、吸气剂和排气管。该拼接式大面积场发射平面光源无需真空隔离支柱解决了场发射器件中真空隔离支柱存在电荷积累、真空度难以维持的问题,有效地延长了场发射照明光源的寿命,提高了发光的均匀性,实现了大面积场发射平面光源的照明应用。

    一种基于3D打印技术的透明导电材料的制备方法

    公开(公告)号:CN104409170B

    公开(公告)日:2016-08-24

    申请号:CN201410237598.6

    申请日:2014-05-31

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于3D打印技术的透明导电材料的制备方法,其特征在于:1)建模;利用电脑建模软件设计条形透明导电电极的模型,将该模型的软件指令转化为3D打印的机械设备指令,从而控制3D打印头的移动路径、移动速度、液体喷出速度以及激光头的移动路径、移动速度及激光照射时间;2)打印条形透明导电电极。本发明制备的透明导电电极具有透光性和导电性好的优点,克服碳纳米管膜层和石墨烯膜层与基片附着性差的缺点,并且该方法可实现透明导电电极的厚度和宽度精密可控。

    一种用于碳纳米管膜层或者石墨烯膜层3D打印的溶液制备方法

    公开(公告)号:CN104403343B

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201410237594.8

    申请日:2014-05-31

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种用于碳纳米管膜层或者石墨烯膜层3D打印的溶液制备方法,其特征在于:1)将适量的单壁或双壁或多壁碳纳米管或者石墨烯加入到液态光敏树脂或者UV固化胶中,为增加碳纳米管或者石墨烯的可溶性再在溶液中加入表面活性剂;2)将混合溶液磁力搅拌后,再超声处理0.5h?10h,得到混合均匀的溶液。本发明制备工艺简单实效,且制备的溶液能有效满足3D打印需求,保障碳纳米管膜层或者石墨烯膜层的打印效果。

    一种图形化厚膜银浆导电层的制造方法

    公开(公告)号:CN104411103A

    公开(公告)日:2015-03-11

    申请号:CN201410237615.6

    申请日:2014-05-31

    Applicant: 福州大学

    CPC classification number: H05K3/062 H05K2203/0514

    Abstract: 本发明涉及一种图形化厚膜银浆导电层的制造方法,包含以下步骤:1、选取一平板基底,并对平板基底进行清洗;2、在平板基底表面沉积一层过渡层;3、在过渡层表面涂覆一层厚膜银浆浆料,并高温焙烧形成厚膜银浆导电层;4、在厚膜银浆导电层表面沉积一层保护层;5、光刻胶涂覆、曝光、显影和固膜,在保护层表面形成图形化光刻胶;6、刻蚀无光刻胶覆盖的保护层;7、刻蚀无保护层覆盖的厚膜银浆导电层,得到图形化厚膜银浆导电层;8、去除光刻胶,然后刻蚀图形化厚膜银浆导电层表面的保护层;9、对图形化厚膜银浆导电层进行表面处理,形成最终的图形化厚膜银浆导电层。该方法不仅可以提高图形化厚膜银浆导电层的精细度,还能避免因高温加热而导致图形化导电层收缩。

Patent Agency Ranking