公开(公告)号：CN102592918B

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201210041775.4

申请日：2012-02-23

Applicant: 福州大学

Inventor： 叶芸 ,  郭太良 ,  林金阳 ,  胡利勤 ,  郭凡 ,  洪春燕 ,  蔡寿金

IPC: H01J9/02 ,  B82Y10/00

Abstract: 本发明公开了一种提高碳纳米管阴极场致电子发射性能的后处理方法，通过磁场后处理，使阴极表面碳纳米管磁性极化而发生取向，使得阴极表面碳纳米管垂直于衬底表面，从而使碳纳米管阴极的场致电子发射性能得到显著改善，即使碳纳米管薄膜的电流密度提高一倍，阈值强度降低30%以上，电子发射点密度可提高一个数量级以上且均匀性明显提高，本发明的方法简单有效，全面提高碳纳米管阴极的场发射性能，具备显著的经济和社会效益。

公开(公告)号：CN102592918A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210041775.4

申请日：2012-02-23

Applicant: 福州大学

Inventor： 叶芸 ,  郭太良 ,  林金阳 ,  胡利勤 ,  郭凡 ,  洪春燕 ,  蔡寿金

IPC: H01J9/02 ,  B82Y10/00

Abstract: 本发明公开了一种提高碳纳米管阴极场致电子发射性能的后处理方法，通过磁场后处理，使阴极表面碳纳米管磁性极化而发生取向，使得阴极表面碳纳米管垂直于衬底表面，从而使碳纳米管阴极的场致电子发射性能得到显著改善，即使碳纳米管薄膜的电流密度提高1倍，阈值强度降低30%以上，电子发射点密度可提高1个数量级以上且均匀性明显提高，本发明的方法简单有效，全面提高碳纳米管阴极的场发射性能，具备显著的经济和社会效益。