一种表面化学镀金属碳纳米管场致发射阴极的制备方法

    公开(公告)号:CN101661858B

    公开(公告)日:2010-12-08

    申请号:CN200910306345.9

    申请日:2009-08-31

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明提供一种表面化学镀金属碳纳米管场致发射阴极的制备方法,属于碳纳米管场致发射阴极技术,解决现有技术存在的不足,改善碳纳米管的电子传导和发射能力和碳纳米管薄膜与衬底电极接的触问题。制备方法包括:碳纳米管经过纯化、切短、分散处理,再通过敏化、活化,在碳纳米管表面形成贵金属催化中心,接着利用化学镀法在碳纳米管表面形成金属层,然后将表面化学镀金属的碳纳米管配制成分散均匀、稳定的碳纳米管电泳液,最后采用脉冲电泳沉积制备碳纳米管阴极。这种表面化学镀金属的碳纳米管具有良好的电子传导和发射能力,且碳纳米管场致发射阴极与衬底电极能够形成良好的附着,易实现大面积、图形化、均匀性碳纳米管场致发射阴极的制备。

    纳米碳材料电泳沉积液浓度监测和分析方法

    公开(公告)号:CN102169102B

    公开(公告)日:2014-10-01

    申请号:CN201110006821.2

    申请日:2011-01-13

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种纳米碳材料电泳沉积液浓度监测和分析方法,该方法以电导率法和红外光谱法为分析手段,利用纳米碳材料电泳沉积液的电导率随离子载体浓度的变化规律和纳米碳材料电泳沉积液的吸光度随纳米碳材料浓度的变化规律,实现实时监测和定量分析纳米碳材料电泳沉积液中离子载体和纳米碳材料的浓度变化。本发明的纳米碳材料电泳沉积液浓度监测和分析的方法,具有操作简便、可靠性高、在线监测、成本低、时间简短的优点,能够监测和分析纳米碳材料电泳沉积液的离子载体浓度和纳米碳材料浓度。

    一种拼接式大面积场发射平面光源

    公开(公告)号:CN101819915A

    公开(公告)日:2010-09-01

    申请号:CN201010165819.5

    申请日:2010-05-08

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种拼接式大面积场发射平面光源,其包括若干个无真空隔离支柱场发射光源单元,所述若干个无真空隔离支柱场发射光源单元相互独立设于一平面上并排列组合成为大面积场致发射背光源;所述场发射光源单元包括阴极板、与阴极板相对应的阳极板、用于封装阴极和阳极的边封体、吸气剂和排气管。该拼接式大面积场发射平面光源无需真空隔离支柱解决了场发射器件中真空隔离支柱存在电荷积累、真空度难以维持的问题,有效地延长了场发射照明光源的寿命,提高了发光的均匀性,实现了大面积场发射平面光源的照明应用。

    带有栅控作用的场发射阴极阵列及其制造方法

    公开(公告)号:CN102386045A

    公开(公告)日:2012-03-21

    申请号:CN201110167483.0

    申请日:2011-06-21

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种带有栅控作用的场发射阴极阵列,其特征在于:在玻璃基板同一平面设置相互交替的阴极和栅极,栅极是由多列相互平行的栅极电极构成,栅极电极由纵向电极和数个横向带构成,阴极是由多列相互平行的条状阴极电极以及在各列条状阴极电极上交替设置电子发射层和介质层构成,栅极电极上的横向带与相邻的带有电子发射层的阴极电极平行相对。该带有栅控作用的场发射阴极阵列可以实现低压调控,降低场发射阴极阵列的开启电场,提高电子发射的均匀性和电子发射效率,而且结构简单、制造工艺容易、成本低廉、制造过程稳定可靠的优点。本发明还公开一种带有栅控作用的场发射阴极阵列的制造方法。

    纳米碳材料电泳沉积液浓度监测和分析方法

    公开(公告)号:CN102169102A

    公开(公告)日:2011-08-31

    申请号:CN201110006821.2

    申请日:2011-01-13

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种纳米碳材料电泳沉积液浓度监测和分析方法,该方法以电导率法和红外光谱法为分析手段,利用纳米碳材料电泳沉积液的电导率随离子载体浓度的变化规律和纳米碳材料电泳沉积液的吸光度随纳米碳材料浓度的变化规律,实现实时监测和定量分析纳米碳材料电泳沉积液中离子载体和纳米碳材料的浓度变化。本发明的纳米碳材料电泳沉积液浓度监测和分析的方法,具有操作简便、可靠性高、在线监测、成本低、时间简短的优点,能够监测和分析纳米碳材料电泳沉积液的离子载体浓度和纳米碳材料浓度。

    阳栅同基板的三极结构场致发射显示器

    公开(公告)号:CN102097272B

    公开(公告)日:2012-06-27

    申请号:CN201110003471.4

    申请日:2011-01-10

    Applicant: 福州大学

    CPC classification number: H01J29/085 H01J29/467 H01J31/127 H01J2329/4634

    Abstract: 本发明涉及一种阳栅同基板的三极结构场致发射显示器,包括阳栅基板和阴极基板,阳栅基板上间隔设有数个带状阳极导电层,其上设有阳极汇流电极,阳栅基板上还设有纵横交织状的栅极下介质层,栅极下介质层的纵向组成带与阳极导电层相平行且其上依次设有带状栅极导电层和带状栅极保护介质层,阳极导电层未被栅极下介质层的横向组成带覆盖的部分上设有荧光体层;阴极基板上间隔设有数个带状阴极导电层,其上设有数个限流电阻层和阴极保护介质层,限流电阻层上设有电子发射体;带状阳极导电层和带状栅极导电层均与带状阴极导电层相互垂直;阳栅基板和阴极基板之间设有隔离介质层。该装置不仅结构设计合理,制作简单,而且电子色散小,图像显示效果好。

    一种动态调光大面积场致发射背光源

    公开(公告)号:CN101835298B

    公开(公告)日:2012-06-27

    申请号:CN201010165818.0

    申请日:2010-05-08

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种动态调光大面积场致发射背光源,其包括若干个场致发射背光单元,所述若干个场致发射背光单元相互独立设于一平面上并排列组合成为大面积场致发射背光源。本发明解决了采用CCFL作为背光源时存在的色域窄、亮度均匀度不够、寿命短、体积大、功耗高且含有对环境有害的金属汞的问题,还解决了采用LED作为大面积背光源存在的散热难,亮度不均的问题,大大降低了生产成本的问题。另外,本发明动态调光大面积场致发射背光源的背光区域分成若干个小区域,每个小区域可根据对应部分的图像亮度进行独立调整,有效提高了被动式大面积显示器显示的对比度。

    阳栅同基板的三极结构场致发射显示器

    公开(公告)号:CN102097272A

    公开(公告)日:2011-06-15

    申请号:CN201110003471.4

    申请日:2011-01-10

    Applicant: 福州大学

    CPC classification number: H01J29/085 H01J29/467 H01J31/127 H01J2329/4634

    Abstract: 本发明涉及一种阳栅同基板的三极结构场致发射显示器,包括阳栅基板和阴极基板,阳栅基板上间隔设有数个带状阳极导电层,其上设有阳极汇流电极,阳栅基板上还设有纵横交织状的栅极下介质层,栅极下介质层的纵向组成带与阳极导电层相平行且其上依次设有带状栅极导电层和带状栅极保护介质层,阳极导电层未被栅极下介质层的横向组成带覆盖的部分上设有荧光体层;阴极基板上间隔设有数个带状阴极导电层,其上设有数个限流电阻层和阴极保护介质层,限流电阻层上设有电子发射体;带状阳极导电层和带状栅极导电层均与带状阴极导电层相互垂直;阳栅基板和阴极基板之间设有隔离介质层。该装置不仅结构设计合理,制作简单,而且电子色散小,图像显示效果好。

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