公开(公告)号：CN102169102B

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201110006821.2

申请日：2011-01-13

Applicant: 福州大学

Inventor： 叶芸 ,  郭太良 ,  林志贤 ,  肖晓晶 ,  游玉香

IPC: G01N27/06 ,  G01N21/3577

Abstract: 本发明涉及一种纳米碳材料电泳沉积液浓度监测和分析方法，该方法以电导率法和红外光谱法为分析手段，利用纳米碳材料电泳沉积液的电导率随离子载体浓度的变化规律和纳米碳材料电泳沉积液的吸光度随纳米碳材料浓度的变化规律，实现实时监测和定量分析纳米碳材料电泳沉积液中离子载体和纳米碳材料的浓度变化。本发明的纳米碳材料电泳沉积液浓度监测和分析的方法，具有操作简便、可靠性高、在线监测、成本低、时间简短的优点，能够监测和分析纳米碳材料电泳沉积液的离子载体浓度和纳米碳材料浓度。

公开(公告)号：CN102243973B

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201110142206.4

申请日：2011-05-30

Applicant: 福州大学

Inventor： 郭太良 ,  叶芸 ,  洪春燕 ,  林贺 ,  肖晓晶

IPC: H01J29/02 ,  H01J9/02

Abstract: 本发明公开了一种碳纳米材料复合场致电子发射膜，其包括碳纳米材料，含量为10%-70%；至少一种选自ZnO，SnO2、In2O3、PdO、Sb2O3、ZrC、HfC、WC、HfB2、ZrB2、LaB6、CeB6、YB4、GdB4、ZrN、Al-AlN和HfN的半导体金属氧化物纳米颗粒，含量为30%-90%。该碳纳米材料复合场致电子发射膜能够防止在印刷过程中由于栅极边沿毛刺而导致的栅阴短路现象。采用所述碳纳米材料复合场致电子发射膜形成的场致发射显示器，可以简化生产工艺，降低制造成本，提高工作可靠性，提高分辨率。本发明还公开一种碳纳米材料复合场致电子发射膜的制备方法。

公开(公告)号：CN102243973A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201110142206.4

申请日：2011-05-30

Applicant: 福州大学

Inventor： 郭太良 ,  叶芸 ,  洪春燕 ,  林贺 ,  肖晓晶

IPC: H01J29/02 ,  H01J9/02

Abstract: 本发明公开了一种碳纳米材料复合场致电子发射膜，其包括碳纳米材料，含量为10%-70%；至少一种选自ZnO，SnO2、In2O3、PdO、Sb2O3、ZrC、HfC、WC、HfB2、ZrB2、LaB6、CeB6、YB4、GdB4、ZrN、Al-AlN和HfN的半导体金属氧化物纳米颗粒，含量为30%-90%。该碳纳米材料复合场致电子发射膜能够防止在印刷过程中由于栅极边沿毛刺而导致的栅阴短路现象。采用所述碳纳米材料复合场致电子发射膜形成的场致发射显示器，可以简化生产工艺，降低制造成本，提高工作可靠性，提高分辨率。本发明还公开一种碳纳米材料复合场致电子发射膜的制备方法。

公开(公告)号：CN102169102A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201110006821.2

申请日：2011-01-13

Applicant: 福州大学

Inventor： 叶芸 ,  郭太良 ,  林志贤 ,  肖晓晶 ,  游玉香

IPC: G01N27/06 ,  G01N21/35

Abstract: 本发明涉及一种纳米碳材料电泳沉积液浓度监测和分析方法，该方法以电导率法和红外光谱法为分析手段，利用纳米碳材料电泳沉积液的电导率随离子载体浓度的变化规律和纳米碳材料电泳沉积液的吸光度随纳米碳材料浓度的变化规律，实现实时监测和定量分析纳米碳材料电泳沉积液中离子载体和纳米碳材料的浓度变化。本发明的纳米碳材料电泳沉积液浓度监测和分析的方法，具有操作简便、可靠性高、在线监测、成本低、时间简短的优点，能够监测和分析纳米碳材料电泳沉积液的离子载体浓度和纳米碳材料浓度。