公开(公告)号：CN108538918A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810393551.7

申请日：2018-04-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 章文通 ,  蒲松 ,  叶力 ,  赖春兰 ,  乔明 ,  李肇基 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种耗尽型超结MOSFET器件及其制造方法，包括至少一个元胞结构，每个元胞结构包括衬底、第二掺杂类型阱区、两个第一掺杂类型重掺杂区、第二掺杂类型重掺杂区、第一掺杂类型轻掺杂耗尽型沟道区；交替排列的第二掺杂类型条和第一掺杂类型条；本发明半导体器件在漂移区中引入第一掺杂类型条与第二掺杂类型条，利用第二掺杂类型条与第一掺杂类型条一一对应相互耗尽的原理，使得第一掺杂类型条掺杂浓度得以提高，进而降低器件漂移区导通电阻，在开态时，第一掺杂类型条中更多的载流子参与导电，提高了器件的电流能力。本发明半导体器件为结型耐压器件，相比阻型耐压器件，本发明半导体器件有更大的耐压能力，可节省芯片面积。

公开(公告)号：CN107275388A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710496712.0

申请日：2017-06-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  余洋 ,  章文通 ,  王正康 ,  詹珍雅 ,  张波

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0611 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/7394 ,  H01L29/7824

Abstract: 本发明提供一种横向高压器件，包括介质槽，介质槽的下方、左侧、右侧至少一个位置设有不同掺杂类型交替设置的掺杂条交叠结构，还包括介质层、体场板、多晶硅栅、栅下氧化层、第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区、P型重掺杂区，P阱区、第一N型掺杂条、第二N型掺杂条、第三N型掺杂条、第一P型掺杂条、第二P型掺杂条，导电通路的底部为P型衬底；本发明通过在漂移区内引入介质槽，保持器件耐压的同时降低了器件表面面积，有效降低器件比导通电阻；在器件漂移区中引入层叠的重掺杂N条与重掺杂P条，为器件开态提供低阻导电通路，进一步降低器件比导通电阻，最终达到有效减小器件面积、降低导通电阻的目的。

公开(公告)号：CN107195683A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201710495848.X

申请日：2017-06-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  余洋 ,  章文通 ,  王正康 ,  詹珍雅 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/0611 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/7394 ,  H01L29/7824

Abstract: 本发明提供一种横向高压器件，包括介质槽区域，介质槽区域包括下部分的介质槽区和上部分的低K介质槽，还包括介质层、体场板、多晶硅栅、栅下氧化层、介质层、漏极接触电极、第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区、源极金属、P型重掺杂区，P阱区，介质槽区域的两侧和底部分别设有第一、第二、第三N型掺杂条构成的导电通路，导电通路的两侧分别有P型掺杂区，导电通路的底部为P型衬底；本发明通过在漂移区内引入介质槽区域，保持器件耐压的同时降低了器件表面面积，有效降低器件比导通电阻；在介质槽区上设低K介质槽，不同介电常数介质相交会引入新的电场峰值，进一步提高器件击穿电压。

公开(公告)号：CN103022134B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201210518182.2

申请日：2012-12-06

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  章文通 ,  许琬 ,  李燕妃 ,  张昕 ,  吴文杰 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种超低比导通电阻的SOI横向高压功率器件，属于功率半导体器件技术领域。包括纵向超结元胞结构和终端结构，终端结构位于整体元胞结构的外侧或外围；器件制作于SOI材料的SOI层上。纵向超结元胞结构在提高击穿电压的同时降低了比导通电阻，并减小了版图面积；单个或多个元胞集成，多个并联元胞可共用同一个终端，并通过漏极引出结构将漏电极横向引出，使漏极、栅极和源极都在表面，不仅易于和常规电路集成，而且大大减小版图面积，进一步降低工艺成本；另外，采用较薄的埋氧层可增加器件纵向电场，同时可有效减缓器件自热效应。

公开(公告)号：CN102969358B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201210516539.3

申请日：2012-12-06

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  章文通 ,  李燕妃 ,  许琬 ,  蔡林希 ,  吴文杰 ,  陈涛 ,  胡利志 ,  黄健文 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种横向高压功率半导体器件，属于功率半导体器件技术领域。包括纵向超结元胞结构和终端结构；终端结构位于整体元胞结构的外侧或外围。纵向超结元胞结构在提高击穿电压的同时降低导通电阻，相比传统横向超结器件，纵向超结元胞结构减小了版图面积，进一步降低了导通电阻；单个或多个元胞集成，多个并联元胞可共用同一个终端，并通过终端结构将漏电极横向引出，不仅易于和常规电路集成，而且大大减小版图面积，进一步降低工艺成本。本发明具有导通电阻低、耐压高、版图面积小等诸多优点，采用本发明可获得各种性能优良的横向半导体功率器件，具有高速、高集成度、低导通损耗的特点。

公开(公告)号：CN103022134A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210518182.2

申请日：2012-12-06

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  章文通 ,  许琬 ,  李燕妃 ,  张昕 ,  吴文杰 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种超低比导通电阻的SOI横向高压功率器件，属于功率半导体器件技术领域。包括纵向超结元胞结构和终端结构，终端结构位于整体元胞结构的外侧或外围；器件制作于SOI材料的SOI层上。纵向超结元胞结构在提高击穿电压的同时降低了比导通电阻，并减小了版图面积；单个或多个元胞集成，多个并联元胞可共用同一个终端，并通过漏极引出结构将漏电极横向引出，使漏极、栅极和源极都在表面，不仅易于和常规电路集成，而且大大减小版图面积，进一步降低工艺成本；另外，采用较薄的埋氧层可增加器件纵向电场，同时可有效减缓器件自热效应。

公开(公告)号：CN113823694B

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202110956767.1

申请日：2021-08-19

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 章文通 ,  吴旸 ,  唐宁 ,  乔明 ,  李肇基 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种集成亚微米超结的横向功率半导体器件及其制造方法，包括第一导电类型埋层和第二导电类型埋层使用高能注入形成体内微米级超结，表面亚微米超结在埋层注入后使用较低能量的高能注入透过场氧化层形成，亚微米超结位于第二导电类型埋层上方；第一导电类型埋层和第二导电类型埋层在关态时优化器件表面电场保证器件耐压的同时，提高第一导电类型漂移区掺杂浓度。体内埋层超结主要起改善体内电场的作用，提高器件的耐压。亚微米超结的引入主要起提供表面低阻通路的作用，超结的条宽越窄，掺杂浓度越高，比导通电阻越低，在亚微米的条件下超结的浓度可以达到1e17量级，大幅提高超结第一导电类型条的掺杂浓度，降低器件比导通电阻。

公开(公告)号：CN114823872B

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202210447123.4

申请日：2022-04-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 章文通 ,  张科 ,  唐宁 ,  田丰润 ,  乔明 ,  何乃龙 ,  张森 ,  李肇基 ,  张波

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/06 ,  H01L23/34 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种全隔离衬底耐压功率半导体器件及其制造方法，包括第一导电类型衬底，第一导电类型阱区，第一导电类型重掺杂区，第二导电类型漂移区，第二导电类型阱区，第二导电类型源端重掺杂发射区，第二导电类型漏端重掺杂集电区，第二导电类型掺杂岛，纵向介质氧化层和纵向多晶硅电极构成纵向浮空场板分布在整个第二导电类型漂移区中，纵向多晶硅电极穿通埋氧层深入第二导电类型掺杂岛内，还包括介质氧化层形成场氧化层和栅氧化层，介质氧化层形成埋氧层，第二导电类型多晶硅栅电极，纵向场板金属，源端金属，漏端金属。本发明在关态时，通过纵向电极深入第二导电类型掺杂岛，将横向高压引入衬底反向PN结，使衬底参与耐压，提高器件耐压。

公开(公告)号：CN113611750B

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202110952823.4

申请日：2021-08-19

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 章文通 ,  吴旸 ,  张科 ,  何乃龙 ,  乔明 ,  李肇基 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种SOI横向匀场高压功率半导体器件及其制造方法和应用，包括第一导电类型衬底，第二导电类型漂移区，第一导电类型电场钳位层，第一和第二导电类型阱区，第一介质氧化层形成场氧化层，第二介质氧化层形成栅氧化层，第二导电类型埋层，第二导电类型源端重掺杂区，第二导电类型漏端重掺杂区，第一介质氧化层和浮空场板多晶硅电极构成纵向浮空场板，分布在整个第二导电类型漂移区中，形成纵向浮空等势场板阵列；本发明在器件开态时，纵向浮空场板表面能够形成积累层，提高了器件的饱和电流。同时电极深入介质层，电极自适应在氧化层内部产生电荷，增加介质电场，实现ENDIF效果，提高器件的击穿电压。

公开(公告)号：CN115000151A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210599285.X

申请日：2022-05-30

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 章文通 ,  何佳敏 ,  赵泉钰

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种耗尽自连续的匀场低阻器件及制造方法，包括：第一导电类型半导体衬底、第一导电类型阱区、第一导电类型半导体接触区，第二导电类型漂移区、第二导电类型阱区、第二导电类型半导体接触区，第一介质氧化层、第二介质氧化层、第三介质氧化层、第四介质氧化层，浮空场板多晶硅电极、控制栅多晶硅电极，通孔，金属条；第一介质氧化层和多晶硅电极构成纵向浮空场板，形成一种连续耗尽元胞。在漏极加压时，多晶硅电极上会耦合出浮空电位来钳位电势，由于耗尽元胞之间存在交叠区能对漂移区同时进行耗尽。对耗尽元胞中第一介质氧化层的形状进行调节，增强耗尽连续性，提高耐压。还可以将漂移区注入剂量提高，降低比导通电阻。