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公开(公告)号：CN108598166A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810395835.X
申请日：2018-04-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于超结自隔离的耗尽型增强型集成功率器件及其制造方法，其元胞结构包括第一掺杂类型衬底，第一掺杂类型衬底上设置有增强型超结MOSFET、耗尽型超结MOSFET和一个隔离结构，两种超结MOSFET器件共用漏极，隔离结构设置于增强型超结MOSFET和耗尽型超结MOSFET之间；本发明在传统的集成功率器件中引入介质岛与超结，介质岛可以作为掩模板通过自对准形成耗尽型沟道，在传统的耗尽型功率器件工艺流程的基础上节省一张版次，介质岛位于两个相邻的第二掺杂类型阱区之间的上表面位置，可以有效降低增强型超结MOSFET器件的栅电容，进一步改善增强型超结功率器件的开关特性。
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公开(公告)号：CN108538918A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810393551.7
申请日：2018-04-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种耗尽型超结MOSFET器件及其制造方法，包括至少一个元胞结构，每个元胞结构包括衬底、第二掺杂类型阱区、两个第一掺杂类型重掺杂区、第二掺杂类型重掺杂区、第一掺杂类型轻掺杂耗尽型沟道区；交替排列的第二掺杂类型条和第一掺杂类型条；本发明半导体器件在漂移区中引入第一掺杂类型条与第二掺杂类型条，利用第二掺杂类型条与第一掺杂类型条一一对应相互耗尽的原理，使得第一掺杂类型条掺杂浓度得以提高，进而降低器件漂移区导通电阻，在开态时，第一掺杂类型条中更多的载流子参与导电，提高了器件的电流能力。本发明半导体器件为结型耐压器件，相比阻型耐压器件，本发明半导体器件有更大的耐压能力，可节省芯片面积。
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公开(公告)号：CN109166925A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810994727.4
申请日：2018-08-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种垂直型功率半导体器件及其制造方法，以达到能够提升夹断稳定性、降低器件比导通电阻、避免热载流子注入以及节省工艺成本的目的，本发明通过超结结构及介质岛结构，在保证耗尽型功率器件耐压的同时降低器件的导通损耗，提升器件的开关速度，降低器件栅电容，降低工艺成本等，实现了相同频率下，器件开关损耗更低，沟道区上表面低于硅表面，无热载流子注入，可靠性更好，调整介质岛的宽度可以控制沟道区长度实现增强型、低阈值、耗尽型之间相互切换，设计灵活。
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公开(公告)号：CN109148444A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810960849.1
申请日：2018-08-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/06 , H01L21/8258 , H01L21/784
Abstract: 本发明提供一种BCD半导体器件及其制造方法，能够在一块芯片上同时集成两类JFET、两类VDMOS、LIGBT、七类LDMOS、低压NMOS、低压PMOS、低压NPN、低压PNP及二极管等十七类半导体器件，将应用在模拟电路中的Bipolar器件、开关电路中的功率器件、逻辑电路中的CMOS器件等各类横纵向器件集成到一起，节约成本的同时极大提高芯片集成度，所集成的两类VDMOS、两类JFET器件与常规高压半导体器件相比，在相同芯片面积的情况下具有更小的导通电阻，通过超结自然形成的槽状隔离结构贯穿整个漂移区将各个器件完全隔离，所述制造方法简单，工艺难度相对较低，构成的BCD器件可以用于消费电子、显示驱动等多种产品中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109166925B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201810994727.4
申请日：2018-08-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种垂直型功率半导体器件及其制造方法，以达到能够提升夹断稳定性、降低器件比导通电阻、避免热载流子注入以及节省工艺成本的目的，本发明通过超结结构及介质岛结构，在保证耗尽型功率器件耐压的同时降低器件的导通损耗，提升器件的开关速度，降低器件栅电容，降低工艺成本等，实现了相同频率下，器件开关损耗更低，沟道区上表面低于硅表面，无热载流子注入，可靠性更好，调整介质岛的宽度可以控制沟道区长度实现增强型、低阈值、耗尽型之间相互切换，设计灵活。
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公开(公告)号：CN108389895A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810394937.X
申请日：2018-04-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L27/088 , H01L29/78 , H01L21/8236
Abstract: 本发明提供一种基于超结的集成功率器件及其制造方法，其元胞结构包括第一掺杂类型衬底，所述第一掺杂类型衬底上设置有增强型超结MOSFET、耗尽型超结MOSFET和一个隔离结构，两种超结MOSFET器件共用漏极，隔离结构设置于增强型超结MOSFET和耗尽型超结MOSFET之间；本发明在传统的集成功率器件中引入超结，一方面，超结条形成的增强型、耗尽型器件，提高了芯片的电流能力、耐压能力及开关态特性；另一方面，将超结MOSFET器件集成在一起，可独立或组合使用，可集成多种功率器件，不仅应用灵活多变，且更有利于系统集成化和小型化；能有效防止器件表面发生穿通，可靠性高。
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公开(公告)号：CN108389895B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201810394937.X
申请日：2018-04-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L27/088 , H01L29/78 , H01L21/8236
Abstract: 本发明提供一种基于超结的集成功率器件及其制造方法，其元胞结构包括第一掺杂类型衬底，所述第一掺杂类型衬底上设置有增强型超结MOSFET、耗尽型超结MOSFET和一个隔离结构，两种超结MOSFET器件共用漏极，隔离结构设置于增强型超结MOSFET和耗尽型超结MOSFET之间；本发明在传统的集成功率器件中引入超结，一方面，超结条形成的增强型、耗尽型器件，提高了芯片的电流能力、耐压能力及开关态特性；另一方面，将超结MOSFET器件集成在一起，可独立或组合使用，可集成多种功率器件，不仅应用灵活多变，且更有利于系统集成化和小型化；能有效防止器件表面发生穿通，可靠性高。
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公开(公告)号：CN108598166B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201810395835.X
申请日：2018-04-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于超结自隔离的耗尽型增强型集成功率器件及其制造方法，其元胞结构包括第一掺杂类型衬底，第一掺杂类型衬底上设置有增强型超结MOSFET、耗尽型超结MOSFET和一个隔离结构，两种超结MOSFET器件共用漏极，隔离结构设置于增强型超结MOSFET和耗尽型超结MOSFET之间；本发明在传统的集成功率器件中引入介质岛与超结，介质岛可以作为掩模板通过自对准形成耗尽型沟道，在传统的耗尽型功率器件工艺流程的基础上节省一张版次，介质岛位于两个相邻的第二掺杂类型阱区之间的上表面位置，可以有效降低增强型超结MOSFET器件的栅电容，进一步改善增强型超结功率器件的开关特性。
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公开(公告)号：CN109148444B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201810960849.1
申请日：2018-08-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/06 , H01L21/8258 , H01L21/784
Abstract: 本发明提供一种BCD半导体器件及其制造方法，能够在一块芯片上同时集成两类JFET、两类VDMOS、LIGBT、七类LDMOS、低压NMOS、低压PMOS、低压NPN、低压PNP及二极管等十七类半导体器件，将应用在模拟电路中的Bipolar器件、开关电路中的功率器件、逻辑电路中的CMOS器件等各类横纵向器件集成到一起，节约成本的同时极大提高芯片集成度，所集成的两类VDMOS、两类JFET器件与常规高压半导体器件相比，在相同芯片面积的情况下具有更小的导通电阻，通过超结自然形成的槽状隔离结构贯穿整个漂移区将各个器件完全隔离，所述制造方法简单，工艺难度相对较低，构成的BCD器件可以用于消费电子、显示驱动等多种产品中。
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