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公开(公告)号：CN111933711A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010831004.X
申请日：2020-08-18
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种集成了SBD的超结MOSFET。本发明相对与传统结构，具有以下几个特点：一、器件采用双槽结构，分别为槽栅结构和肖特基槽型结构，肖特基槽型结构的槽侧壁引入肖特基接触，能够有效节省版图面积和增大续流能力；二、双槽下方引入横向伸长的P型屏蔽层对双槽进行保护，可以抑制集成肖特基二极管的反向泄漏电流，并避免肖特基接触和槽栅底部提前击穿，有效提高击穿电压；三、漂移区采用了超结结构，有效地克服了P型屏蔽层带来的小电流能力问题。本发明的有益效果为，相对于传统集成SBD的SiC MOSFET结构，本发明能够节省版图面积、增强续流能力和抑制体二极管开启能力，同时具有更低的导通压降和更高的击穿电压。
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公开(公告)号：CN108712351B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201810509357.0
申请日：2018-05-24
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04L12/937 , H04L12/865 , H04J3/06
Abstract: 本发明公开了一种基于双平面的时间触发以太网交换机及分组交换方法，主要解决现有时间触发以太网交换机转发时间触发TT业务确定性与实时性差的问题。其装置包括：输入分流模块(1)、时钟同步器(2)、时间触发TT交换平面(3)、事件触发ET交换平面(4)和输出仲裁模块(5)。输入分流模块分别与时钟同步器、TT交换平面、ET交换平面连接，以分别完成交换机时钟同步、转发TT业务帧与ET业务帧；TT交换平面和ET交换平面均与输出仲裁模块连接，以选择优先发送的业务帧，完成数据发送。本发明能保证时间触发TT业务的绝对优先级转发，减小了时间触发TT业务的转发时延，可应用于高速低延迟的时间触发交换网络。
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公开(公告)号：CN108429707B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810110044.8
申请日：2018-02-05
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04L12/935 , H04L12/861 , H04L12/931 , H04L12/851 , H04L12/823
Abstract: 一种适应不同传输速率的时间触发业务转发器及方法，其转发器包括过滤模块、全互联交换网络模块、调度模块、缓存区模块。方法包括：获取当前窗口信息，预取下一个窗口信息，开启接收窗口，接收数据帧，判断业务识别号正确性，将数据帧写入缓存区，循环冗余校验数据帧，丢弃校验错误和帧长过长的数据帧，关闭接收窗口，将数据帧从缓存区读出并向外部输出，修改当前窗口信息。本发明在时间触发以太网标准下，对交换节点接收的不同传输速率的时间触发业务数据帧进行过滤与转发，同时采用预取下一个窗口调度信息的方式，降低转发器对外部调度信息输入速率的需求。
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公开(公告)号：CN107819539B
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201711143817.4
申请日：2017-11-17
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种实现时间触发以太网端系统的装置及方法，本发明基于以太网技术，通过增加时间同步和时间触发的功能，实现了能够传输时间触发数据和事件触发数据的时间触发以太网端系统。本发明装置的专用协议处理模块，能够更方便的处理管理数据。本发明装置的发送处理模块，能够保证数据传输过程中的可靠性和网络的稳健性。本发明的方法通过采用精确时钟同步协议IEEE 1588，降低了在硬件上实现时间同步的难度，具有更高的时间同步稳定度和同步精度。
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公开(公告)号：CN108650051A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810442277.8
申请日：2018-05-10
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04J3/06
CPC classification number: H04J3/0661
Abstract: 一种通用全硬件一步式1588的时钟同步装置及方法，其装置包括组帧模块，MAC发送控制模块，MAC接收控制模块，解析模块，时间戳生成模块，先入先出队列时间戳FIFO模块，本地时钟模块，偏差计算模块和时间戳插入模块。本发明方法的步骤为：记录时间戳信息，识别同步报文，存入时间戳信息，识别同步广播报文Sync，插入时间戳信息，计算主从时钟时间偏差，校正从时钟时间。本发明采用纯硬件一步式的同步方法，利用数据链路层MAC与物理层PHY间的精简吉比特介质独立接口RGMII处数据有效信号ctrl，采集精确时间戳信息，提高了系统的通用性与同步精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107872403A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201711102124.0
申请日：2017-11-10
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04L12/869 , H04L12/873 , H04L12/851
Abstract: 本发明公开了一种实现层次化QoS的五级队列调度装置及方法，其装置包括流分类模块、入队级调度模块、共享缓存模块、业务流级调度模块、用户级调度模块、子网级调度模块、输出端口级调度模块、调度算法配置模块、流量控制模块和CPU接口模块。方法包括：对数据分组进行流分类，通过计算队列的入队门限来判断数据分组能否入队。依据待调度队列的权值属性，利用调度算法配置模块来配置各级调度算法，同时结合流量控制算法共同完成数据分组的出队调度过程。本发明通过选择合适的调度算法和流量控制算法，结合五级队列调度装置，能够更灵活的分配带宽。
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公开(公告)号：CN104036720A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410202230.6
申请日：2014-05-12
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种3D显示的方法和装置。本发明包括LED显示阵列、驱动电路模块、控制模块、电源模块、MP3模块和存储模块，LED显示阵列由多个单色、双色或者彩色的LED以相互搭接或者焊接在灯架上构成三维显示装置的主体，采用LED灯珠搭建各种形状的立体显示屏，控制器从存储器中读取需要显示的信息，控制LED灯按照编译好的图形进行动态三维显示。本发明不仅能显示3D动态图案和3D动态频谱，作为景观灯，还能插入SD卡或U盘，配合音乐展现动态效果。
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公开(公告)号：CN119853398A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411606977.8
申请日：2024-11-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种融合AI优化算法的双有源全桥变换器优化控制方法，同时对双有源全桥变换器的工作状态(V1,V2,Po)和移相控制量(D1,D2,Dφ)进行线下训练，以获得双有源全桥变换器在最低均方根电流和电流应力下的多组三重移相控制变量，并整合成深度强化学习模型，最后，在实际使用中，通过对双有源全桥直流变换器的V1，V2，Po进行采样，根据采样值的实际大小调用深度强化学习模型，映射出匹配于最佳电流性能的移相角(D1,D2,Dφ)，并根据最终的三重移相控制变量实现双有源全桥变换器的电流特性优化控制。
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公开(公告)号：CN117791720A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202310928783.9
申请日：2023-07-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02J3/46 , H02J3/38 , H02J3/00 , G06F30/20 , G06Q50/06 , G06F111/10 , G06F111/04
Abstract: 本发明公开了一种分布式能源系统的低碳运行优化方法，在考虑电能供应限制和碳排放约束条件下，先建立分布式能源系统的模型和约束条件，再建立分布式能源系统低碳运行的优化目标函数，最后基于分布式能源系统的模型和约束条件，采用迭代求解的方式求解目标函数，得到分布式能源系统低碳运行的优化方案。
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公开(公告)号：CN114823856B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210447055.1
申请日：2022-04-26
Applicant: 电子科技大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种高压集成横向半导体器件及其制造方法，包括：第一导电类型半导体衬底、第一导电类型阱区、第一导电类型半导体接触区、第二导电类型漂移区、第二导电类型阱区、第二导电类型半导体接触区、第二导电类型埋层、第一介质层、第二介质氧化层、第三介质氧化层、多晶硅栅电极，第二导电类型埋层位于衬底内，通过刻槽注入后扩散推结形成，所刻槽采用介质填充；所述第二导电类型埋层在关态时在器件体内引入电场峰，增加器件的纵向耐压。
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