一种光伏板表面积尘检测方法、装置以及存储介质

    公开(公告)号:CN119180788A

    公开(公告)日:2024-12-24

    申请号:CN202411200140.3

    申请日:2024-08-29

    Abstract: 本发明提供一种光伏板表面积尘检测方法、装置以及存储介质,属于光伏板积尘检测技术领域,方法包括:将待检测光伏电站划分为多个积尘检测区域;对积尘检测区域进行坐标标记得到原始光伏板坐标信息;从红外成像仪中获得原始实体光伏板图像;通过粉尘沉积数据、气象数据以及光伏板状态数据构建得到虚拟光伏电站;对虚拟光伏电站进行图像提取得到原始虚拟光伏板图像。本发明能够准确地实现对光伏板表面积尘的检测,有效地提高了光伏板表面积尘的检测效率,实现了对待检测光伏电站的故障诊断和健康管理,有效地提升了待检测光伏电站的使用寿命,同时节省了大量人力、物力和时间成本,降低了电站员工的劳动强度。

    一种实时检测森林火灾的超轻量化模型、设计方法及系统

    公开(公告)号:CN118097452A

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202410389617.0

    申请日:2024-04-02

    Abstract: 本发明属于森林火灾检测技术领域,公开了一种实时检测森林火灾的超轻量化模型、设计方法及系统,采集森林火灾图像样本;对样本进行预处理,并标注预处理后的图像样本;将标注后的图像样本划分为训练集和测试集;设计轻量化模型,并作为教师模型;使用训练集对教师模型进行训练,获取教师模型中间层的全局特征和局部特征;剔除教师模型中的冗余通道,并将剪枝后的模型作为学生模型;将教师模型的中间层特征传递给学生模型;使用训练集对学生模型进行训练;对蒸馏后的学生模型进行量化感知训练。本发明的模型不仅占用较少的计算资源,还具备高准确性和实时检测的特性,提供可在资源受限环境中有效运行的森林火灾检测解决方案。

    一种基于深度学习的反无人机跟踪方法

    公开(公告)号:CN113808170B

    公开(公告)日:2023-06-27

    申请号:CN202111119157.2

    申请日:2021-09-24

    Inventor: 叶润 张成 景晓康

    Abstract: 本发明属于无人机识别技术领域,具体涉及一种基于深度学习的反无人机跟踪方法。本发明基于目前的检测技术现状并考虑到检测精度、距离、成本等因素,采用视觉相关技术实现无人机的探测,视觉探测分为检测和跟踪两个阶段,通使用深度学习的方法得到一种更加适合用于对无人机进行跟踪的方法。为了保证最终的跟踪速度,设计了一个轻量级的检测网络,整个检测网路在保证速度的同时拥有很高的检测精度,同时设计的跟踪网络是对原有网络的进一步改进。整体上而言,最后的跟踪网络能够有效快速地实现对无人机的跟踪。

    一种集成续流二极管的GaN HEMT器件

    公开(公告)号:CN113690311B

    公开(公告)日:2023-04-25

    申请号:CN202111000737.X

    申请日:2021-08-30

    Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域,涉及一种集成续流二极管的GaN HMET器件。本发明主要特征在于:器件正向导通时,肖特基二极管处于关断状态,一方面利用肖特基金属与半导体之间的功函数差,耗尽阳极区域的二维电子气,另一方面利用阳极区域部分保留的介质层,降低肖特基二极管关断时的泄漏电流;器件反向续流时,肖特基阳极侧壁与二维电子气(2DEG)直接接触,有利于降低反向传导损耗;绝缘栅极结构允许器件在具有较厚势垒层的情况下,实现增强型HEMT,有利于降低正向导通电阻以及增强器件的栅控能力;集成的肖特基二极管与GaN HEMT在漏极一侧共享漂移区,相较于并联二极管实现续流,有利于减小器件面积和寄生参数以及降低正向传导与反向传导时的导通电阻。

    一种集成肖特基管的GaN功率器件

    公开(公告)号:CN113611742B

    公开(公告)日:2023-04-25

    申请号:CN202110907784.6

    申请日:2021-08-09

    Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域,涉及一种集成肖特基管的GaN功率器件。在正向导通时,集成肖特基管处于关断状态;在反向续流时,集成肖特基管导通,具有低的导通压降及快的反向恢复特性,同时减少了器件面积;P型GaN栅极耗尽栅下二维电子气,结合具有孔隙的P型高掺杂GaN阻挡层,实现增强型垂直器件;P型高掺杂GaN阻挡层调制电场分布,实现高耐压;三栅结构可以提供更强的栅控能力,提高器件开关速度。

    一种用于登机桥自动对接飞机舱门的控制装置及方法

    公开(公告)号:CN114802797A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202210326333.8

    申请日:2022-03-30

    Inventor: 张成 黄磊 陈星筑

    Abstract: 本发明公开了一种用于登机桥自动对接飞机舱门的控制装置及方法,包含原登机桥的PLC控制按钮部分、控制器部分和传感器部分三大部分,将控制器部分与原登机桥的PLC控制按钮相连接,从而使得本申请的控制系统可以控制登机桥的人工操作面板,实现登机桥全自动对接飞机舱门,且计算过程简单,无需对不同登机桥不同机型做出各种预设值,通用性更强,增加了活动踏板调平和调平轮压合检测及打滑检测,更加细致了登机桥实际对接舱门的应用流程,且对调平轮结构进行了监测使得对接后登机桥的运行更加安全可靠。

    一种基于深度学习的反无人机跟踪方法

    公开(公告)号:CN113808170A

    公开(公告)日:2021-12-17

    申请号:CN202111119157.2

    申请日:2021-09-24

    Inventor: 叶润 张成 景晓康

    Abstract: 本发明属于无人机识别技术领域,具体涉及一种基于深度学习的反无人机跟踪方法。本发明基于目前的检测技术现状并考虑到检测精度、距离、成本等因素,采用视觉相关技术实现无人机的探测,视觉探测分为检测和跟踪两个阶段,通使用深度学习的方法得到一种更加适合用于对无人机进行跟踪的方法。为了保证最终的跟踪速度,设计了一个轻量级的检测网络,整个检测网路在保证速度的同时拥有很高的检测精度,同时设计的跟踪网络是对原有网络的进一步改进。整体上而言,最后的跟踪网络能够有效快速地实现对无人机的跟踪。

    一种具有集成续流二极管的双异质结GaN HEMT器件

    公开(公告)号:CN113594248A

    公开(公告)日:2021-11-02

    申请号:CN202110879952.5

    申请日:2021-08-02

    Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域,涉及一种具有集成续流二极管的双异质结GaN HEMT器件。通过嵌入具有极化结的肖特基势垒二极管(SBD)进行反向续流,与外部反向并联续流二极管的器件相比,该结构在降低器件反向导通压降和寄生效应的同时,显著减小了整个器件的面积;在正向阻断状态,AlGaN/GaN HEMT两个异质界面处留下带有正/负电性的固定极化电荷削弱电场尖峰,改善电场集中效应,调制器件漂移区电场,实现漂移区电场近似矩形的分布,提高器件击穿电压;在器件导通状态,利用二维电子气(2DEG)传输电流,降低导通电阻。

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