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公开(公告)号：CN117352979A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311471533.3
申请日：2023-11-07
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于微波技术领域，公开了一种三维立体集成的GCPW‑SIW的垂直过渡结构。传统的GCPW‑SIW过渡结构为单层平面的过渡结构，无法实现更高集成度的三维立体集成结构。本发明通过将GCPW、层间垂直过渡结构、SIW整体集成设计，实现了底层GCPW至顶层SIW的低损耗的垂直过渡转换。本发明结构简单、加工精度要求低、工作带宽较宽、插入损耗低。本发明适用于有源器件的三维立体集成应用，能够实现更高的系统集成度和更小的系统整体尺寸。同时，该过渡结构具有低过渡损耗、实现结构简单和较宽工作带宽的特点，能够广泛应用于微波毫米波前端的系统集成中。仿真结果显示该过渡结构在89.7‑99GHz频段内，具有低传输损耗和低反射系数的良好工作特性。
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公开(公告)号：CN116914398A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202311009865.X
申请日：2023-08-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P5/18
Abstract: 本发明公开了一种小型化高方向性耦合器，属于微波通信技术领域；包括由上腔体、中间腔体和下腔体连接组成的腔体主体结构，以及腔体主体结构内部设置的第一内导体和第二内导体；第一内导体水平设置在中间腔体内作为主线电路，第一内导体与上腔体、中间腔体和下腔体之间共同组成类同轴封闭腔，其两端头外部分别连接输入和输出端口；第二内导体由平行段和垂直连接平行段的两个连接段组成，且位于上腔体和下腔体中对角对应的两个连接段的端部分别连接正向耦合端口和反向耦合端口，其余两个连接段的端部均连接匹配负载。本发明的耦合器能够实现对正向、反向信号的有效提取，快速精准做出反射故障判断，以满足地面测控通信设备小型化、可靠性的需要。
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公开(公告)号：CN116315648A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310548793.X
申请日：2023-05-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于天线技术领域，具体涉及一种高隔离双频双馈四臂螺旋天线。包括四臂螺旋天线主体、底部馈电板，四臂螺旋天线主体设于底部馈电板上；四臂螺旋天线主体包括圆柱型衬底、贴附于圆柱型衬底柱体表面的辐射体；辐射体包括四组螺旋天线单元，四组螺旋天线单元按同一方向等间隔旋转排布形成四臂螺旋天线；每组螺旋天线单元均包括第一螺旋天线和第二螺旋天线，第一螺旋天线与第二螺旋天线之间设有隔离线，隔离线的一端连接第一螺旋天线，另一端连接第二螺旋天线。通过每个单元中增设隔离线实现第一螺旋天线与第二螺旋天线之间、以及相邻单元之间的去耦；使其在实现高隔离度的同时，有效保证低频与高频辐射点的辐射效果。
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公开(公告)号：CN115833817A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202310118271.6
申请日：2023-02-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K17/687 , H03M1/66
Abstract: 本发明公开了一种具有功分器和开关双工作模式的射频电路，属于射频集成电路技术领域。本发明包括三个射频端口：端口1、端口2和端口3；五个电阻：电阻R1、电阻R2、电阻RG1、电阻RG2和电阻RG3；两段90°传输线：第一90°传输线、第二90°传输线；通过控制三个晶体管的工作状态，来完成功分工作模式和开关工作模式的切换，达到降低链路损耗、减小电路面积的作用。此外，通过引入高精度可调谐电阻作为功分器的隔离电路，提高了电路的鲁棒性，使其更适合在硅基半导体工艺中集成和实现。相较于现有的功分器和开关电路独立的结构，本发明避免了现有技术中能量损失一半的问题，从而大幅度降低电路插损。
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公开(公告)号：CN115548621B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211506225.5
申请日：2022-11-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P5/18
Abstract: 本发明公开了一种基于硅基工艺的片上平行线耦合器，属于射频集成电路技术领域。包括自下而上依次层叠的硅衬底层、屏蔽导体层和绝缘体层；屏蔽导体层包括两个接地导体和设置在两个接地体之间的孤立屏蔽导体，三者互不接触；绝缘体层的上表面设有并列且互不接触的第一耦合线和第二耦合线，两个耦合线彼此电磁耦合；绝缘体层内部设有用于增加第一耦合线和第二耦合线之间电磁耦合的孤立耦合导体,通过设置的孤立耦合导体和屏蔽层改变耦合器中的各部分电磁耦合特性，实现耦合器奇模阻抗、偶模阻抗准确和独立的设计，解决耦合器各个指标之间相互制约的问题，使插入损耗、耦合度、平衡度、反射系数、隔离度多个指标同时得到优化和提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115548621A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211506225.5
申请日：2022-11-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P5/18
Abstract: 本发明公开了一种基于硅基工艺的片上平行线耦合器，属于射频集成电路技术领域。包括自下而上依次层叠的硅衬底层、屏蔽导体层和绝缘体层；屏蔽导体层包括两个接地导体和设置在两个接地体之间的孤立屏蔽导体，三者互不接触；绝缘体层的上表面设有并列且互不接触的第一耦合线和第二耦合线，两个耦合线彼此电磁耦合；绝缘体层内部设有用于增加第一耦合线和第二耦合线之间电磁耦合的孤立耦合导体,通过设置的孤立耦合导体和屏蔽层改变耦合器中的各部分电磁耦合特性，实现耦合器奇模阻抗、偶模阻抗准确和独立的设计，解决耦合器各个指标之间相互制约的问题，使插入损耗、耦合度、平衡度、反射系数、隔离度多个指标同时得到优化和提升。
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公开(公告)号：CN114614257A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210508578.2
申请日：2022-05-11
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种平面式高隔离度K/Ka频段共口径相控阵天线,属于毫米波圆极化共口径天线技术领域。该天线包括多层介质基板，多层介质基板的第十介质层为天线单元，其上设有K频段金属贴片阵列结构和Ka频段金属贴片阵列结构；第一金属地层为金属地，连接有用于实现与后续芯片多层介质基板电信连接的BGA金属植球；第十介质层和第一金属地层之间的各层为射频信号走线、K/Ka频段滤波结构、天线金属地、滤波金属地。所述K频段滤波结构包括两个K频段滤波结构和两个Ka频段滤波结构，各频段两个滤波结构设置位置不同。通过上述方式，本发明克服了毫米波共口径相控阵天线的滤波结构难以集成，不同频率单元间隔离度难以提升的问题。
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公开(公告)号：CN113271566A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110368920.9
申请日：2021-04-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高速磁悬浮列车通信场强时隙检测方法及装置，该方法通过获取高速磁悬浮列车的实时列车位置信息和各基站的位置信息，计算高速磁悬浮列车与各基站之间的通信距离作为实际通信距离；并通过实际通信距离和预设通信距离确定目标基站；当确定目标基站后，开启目标基站，以使目标基站在时分多址通信协议中的每个时隙对应的帧同步头和正常通信数据之间嵌入场强测试码，形成场强测试信号并发送给高速磁浮列车，以启动高速磁浮列车上的场强测试设备根据场强测试信号计算出目标基站的场强值，实现高速磁悬浮列车正常运营时便能采集到沿线各路基站的场强数据，无需人工参与，降低测量成本，同时也可以确保场强值测试的准确性。
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公开(公告)号：CN110880632B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201911171738.3
申请日：2019-11-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于基片集成波导腔的宽带宽角频率选择表面，属于频率选择表面的技术领域。本发明在每个基于基片集成波导腔宽带宽角频率选择表面单元中，通过开设在第一金属层与第二金属层上的方环缝隙，构成完整的四分之一模基片集成波导腔。腔体是完整的，不受缝隙尺寸的影响，从而使得该结构的腔体主模和缝隙模式的谐振频率能够分别独立控制，进而实现对四分之一模基片集成波导谐振腔模式与方环缝隙模式频率间距的调整，完成宽带设计，以此增加带宽。解决了现有技术中基片集成波导频率选择表面高入射角稳定性与宽工作带宽无法同时兼顾的问题，在保证入射角度稳定的同时，大幅度提高了工作带宽。
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公开(公告)号：CN118971996B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411441803.0
申请日：2024-10-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于相控阵天线通道校准技术领域，具体为一种相位检测装置、相位自校准方法及相控阵单片集成电路。相位检测装置包括第一分频器、第二分频器、第一混频器、第二混频器、N位计数器和N位边沿触发器，其中，第二混频器输出信号S5的相位是由被检测输入信号S4的相位决定，而信号S5的相位决定N位边沿触发器的时延tp，时延tp决定N位边沿触发器的输出信号S7的输出结果，故相位检测装置的输出信号S7能够用来表征被检测输入信号S4的相对相位,基于此相对相位便可实现对射频通道进行相位高精度检测和自校准。与现有技术相比，本发明的装置及方法更加简单，检测精度也更高。
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