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公开(公告)号：CN110212295A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910515918.2
申请日：2019-06-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种产生准贝塞尔波束的缝隙阵天线，包括下金属覆铜层、介质基板层及上金属覆铜层，介质基板层内开设若干金属化通孔以形成基片集成波导，上金属覆铜层上开设有垂直贯穿上金属覆铜层的若干缝隙，横向上相邻两个天线横向缝隙之间的横向间距各不相同，以调制生成准贝塞尔波束所需的相位分布，本发明提出一种产生准贝塞尔波束的缝隙阵天线，可以实现准贝塞尔波束的频率扫描并且具备高集成能力，突破了传统准贝塞尔波束天线无法扫描的难题。
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公开(公告)号：CN110112573A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910317276.5
申请日：2019-04-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于共口径天线的技术领域，提供一种低剖面双频二维宽角扫描共口径相控阵天线，用以克服传统共口径相控阵天线设计中高低频天线无法同时实现二维大角度扫描的问题。本发明包括从下至上依次层叠的背馈结构、中层介质层、第二中层金属敷铜层、上层介质层与上层金属敷铜层，以及第一金属化过孔与第二金属化过孔；第一金属化过孔贯穿第二中层金属敷铜层、中层介质层及背馈结构，共同构成低频天线；第二金属化过孔与第一金属化过孔一一对应，第二金属化过孔穿过第一金属化过孔、并贯穿上层介质层与上层金属敷铜层连接，共同构成高频天线。本发明共口径天线能够满足双频布阵间距均满足二维大角度，同时还采用了结构复用技术简化了结构，使得天线整体剖面极低。
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公开(公告)号：CN108832244A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810674472.3
申请日：2018-06-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/26
Abstract: 本发明一种用于毫米波的基片集成波导匹配负载，介质基板层中设有金属化通孔，金属化通孔包括两排纵向金属化通孔以及横向金属化通孔，横向金属化通孔封闭两排纵向金属化通孔的一端以形成封闭面，上金属覆铜层上设有匹配缝隙，匹配缝隙包括若干缝隙单元和一个横向单缝，每个缝隙单元包括两个关于该缝隙单元中点180度旋转对称的纵向双缝，每个纵向双缝包括两个分布在匹配负载中心线上下两侧的不同长度的纵向缝隙，且上下两侧的纵向缝隙偏移匹配负载中心线的距离相同，横向单缝垂直于匹配负载中心线；本发明为多端口基片集成波导器件提供了一种新颖的可工作在高频的一体化集成匹配负载，该高频匹配负载设计结构简单，集成度高且加工成本低。
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公开(公告)号：CN110112573B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201910317276.5
申请日：2019-04-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于共口径天线的技术领域，提供一种低剖面双频二维宽角扫描共口径相控阵天线，用以克服传统共口径相控阵天线设计中高低频天线无法同时实现二维大角度扫描的问题。本发明包括从下至上依次层叠的背馈结构、中层介质层、第二中层金属敷铜层、上层介质层与上层金属敷铜层，以及第一金属化过孔与第二金属化过孔；第一金属化过孔贯穿第二中层金属敷铜层、中层介质层及背馈结构，共同构成低频天线；第二金属化过孔与第一金属化过孔一一对应，第二金属化过孔穿过第一金属化过孔、并贯穿上层介质层与上层金属敷铜层连接，共同构成高频天线。本发明共口径天线能够满足双频布阵间距均满足二维大角度，同时还采用了结构复用技术简化了结构，使得天线整体剖面极低。
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公开(公告)号：CN108832244B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201810674472.3
申请日：2018-06-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/26
Abstract: 本发明一种用于毫米波的基片集成波导匹配负载，介质基板层中设有金属化通孔，金属化通孔包括两排纵向金属化通孔以及横向金属化通孔，横向金属化通孔封闭两排纵向金属化通孔的一端以形成封闭面，上金属覆铜层上设有匹配缝隙，匹配缝隙包括若干缝隙单元和一个横向单缝，每个缝隙单元包括两个关于该缝隙单元中点180度旋转对称的纵向双缝，每个纵向双缝包括两个分布在匹配负载中心线上下两侧的不同长度的纵向缝隙，且上下两侧的纵向缝隙偏移匹配负载中心线的距离相同，横向单缝垂直于匹配负载中心线；本发明为多端口基片集成波导器件提供了一种新颖的可工作在高频的一体化集成匹配负载，该高频匹配负载设计结构简单，集成度高且加工成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114614257A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210508578.2
申请日：2022-05-11
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种平面式高隔离度K/Ka频段共口径相控阵天线,属于毫米波圆极化共口径天线技术领域。该天线包括多层介质基板，多层介质基板的第十介质层为天线单元，其上设有K频段金属贴片阵列结构和Ka频段金属贴片阵列结构；第一金属地层为金属地，连接有用于实现与后续芯片多层介质基板电信连接的BGA金属植球；第十介质层和第一金属地层之间的各层为射频信号走线、K/Ka频段滤波结构、天线金属地、滤波金属地。所述K频段滤波结构包括两个K频段滤波结构和两个Ka频段滤波结构，各频段两个滤波结构设置位置不同。通过上述方式，本发明克服了毫米波共口径相控阵天线的滤波结构难以集成，不同频率单元间隔离度难以提升的问题。
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公开(公告)号：CN109273835B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201811002125.2
申请日：2018-08-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于共口径天线的技术领域，具体提供一种基于结构复用的大频比共口径天线，用以克服现有大频比天线设计当中不同频段天线阵面分离、口径利用效率低、天线间隔离效果不明显的问题。本发明利用基片集成波导的低剖面及金属化的封闭结构，设计天线辐射结构既作为SIW缝隙阵天线，又作为贴片天线；再分别利用波导馈电结构馈送高频信号，微带馈电结构馈送低频信号，实现同一辐射结构下的大频比双频率辐射；同时，利用基片集成波导对低频信号的截止特性以及光子带隙结构对高频信号的带阻作用，使得高频信号与低频信号在高口径利用率高的前提下仍能达到高隔离度。
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公开(公告)号：CN114784523B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210701549.8
申请日：2022-06-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多频共口径端射圆极化相控阵天线，属于天线技术领域。包括沿x方向周期排布的若干个线性阵列组，每个线性阵列组由沿x方向等间距排列的N种频率不同的圆极化端射天线线性阵列组成，且N种频率不同的圆极化端射天线线性阵列融入同一天线口径面中；圆极化端射天线线性阵列包括若干个沿y方向周期设置的圆极化端射天线单元，辐射方向为z方向；相邻圆极化端射天线线性阵列之间设置有矩形金属块作为频间去耦合结构。本发明通过将多种频率不同的圆极化端射天线线性阵列平行排列，融入同一天线口径面中，利用线性阵列在纵向长度上的分布换取平面布局密度下降，具有小型化、易实现、易接驳后端电路的优势。
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公开(公告)号：CN114614257B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210508578.2
申请日：2022-05-11
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种平面式高隔离度K/Ka频段共口径相控阵天线,属于毫米波圆极化共口径天线技术领域。该天线包括多层介质基板，多层介质基板的第十介质层为天线单元，其上设有K频段金属贴片阵列结构和Ka频段金属贴片阵列结构；第一金属地层为金属地，连接有用于实现与后续芯片多层介质基板电信连接的BGA金属植球；第十介质层和第一金属地层之间的各层为射频信号走线、K/Ka频段滤波结构、天线金属地、滤波金属地。所述K频段滤波结构包括两个K频段滤波结构和两个Ka频段滤波结构，各频段两个滤波结构设置位置不同。通过上述方式，本发明克服了毫米波共口径相控阵天线的滤波结构难以集成，不同频率单元间隔离度难以提升的问题。
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公开(公告)号：CN114784523A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210701549.8
申请日：2022-06-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多频共口径端射圆极化相控阵天线，属于天线技术领域。包括沿x方向周期排布的若干个线性阵列组，每个线性阵列组由沿x方向等间距排列的N种频率不同的圆极化端射天线线性阵列组成，且N种频率不同的圆极化端射天线线性阵列融入同一天线口径面中；圆极化端射天线线性阵列包括若干个沿y方向周期设置的圆极化端射天线单元，辐射方向为z方向；相邻圆极化端射天线线性阵列之间设置有矩形金属块作为频间去耦合结构。本发明通过将多种频率不同的圆极化端射天线线性阵列平行排列，融入同一天线口径面中，利用线性阵列在纵向长度上的分布换取平面布局密度下降，具有小型化、易实现、易接驳后端电路的优势。
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