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公开(公告)号：CN114726395B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202210200082.9
申请日：2022-03-02
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: H04B1/40 , H04L27/12 , H04W72/044 , H02J50/20
Abstract: 本发明公开了一种基于可调频率源的无线信能同传系统，包括可调频率源、功率放大电路、功率分配器、整流电路、滤波电路、信息解调电路、负载，所述可调频率源与功率放大电路相连，所述功率放大电路通过发射天线将信号和能量以电磁波的形式发射到接收天线，所述接收天线接收发射端发射的信号和能量，所述接收天线与功率分配器相连，所述功率分配器分别与整流电路、信息解调电路连接，所述整流电路与滤波电路相连，所述滤波电路与负载相连。本发明采用微波式无线信能传输，且没有采用开关进行信号的切换，与现有技术相比，不仅灵活性强，能较少系统的损耗，提高使用寿命，而且抗干扰性强，具有极强的使用价值，可大力推广应用。
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公开(公告)号：CN114726395A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210200082.9
申请日：2022-03-02
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种基于可调频率源的无线信能同传系统，包括可调频率源、功率放大电路、功率分配器、整流电路、滤波电路、信息解调电路、负载，所述可调频率源与功率放大电路相连，所述功率放大电路通过发射天线将信号和能量以电磁波的形式发射到接收天线，所述接收天线接收发射端发射的信号和能量，所述接收天线与功率分配器相连，所述功率分配器分别与整流电路、信息解调电路连接，所述整流电路与滤波电路相连，所述滤波电路与负载相连。本发明采用微波式无线信能传输，且没有采用开关进行信号的切换，与现有技术相比，不仅灵活性强，能较少系统的损耗，提高使用寿命，而且抗干扰性强，具有极强的使用价值，可大力推广应用。
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公开(公告)号：CN113851822B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202110974687.9
申请日：2021-08-24
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种大功率频分空间选择性天线，包含辐射体、多工馈电网络、金属柱和金属腔，所述辐射体为金属化窄带辐射体；所述多工馈电网络连接辐射体为其馈能，多工馈电网络使用厚金属结构并悬空；所述金属柱将辐射体与金属腔连接起来；所述的金属柱支撑辐射体悬空。本发明所采用的大功率频分空间选择性天线由纯金属结构够成，具有设计简单、制备周期短和耐受功率高等优点；同时，因为采用了多工器特性与天线特性结合，提高天线之间的高独立特性，实现天线辐射间的互不影响。
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公开(公告)号：CN113851822A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202110974687.9
申请日：2021-08-24
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种大功率频分空间选择性天线，包含辐射体、多工馈电网络、金属柱和金属腔，所述辐射体为金属化窄带辐射体；所述多工馈电网络连接辐射体为其馈能，多工馈电网络使用厚金属结构并悬空；所述金属柱将辐射体与金属腔连接起来；所述的金属柱支撑辐射体悬空。本发明所采用的大功率频分空间选择性天线由纯金属结构够成，具有设计简单、制备周期短和耐受功率高等优点；同时，因为采用了多工器特性与天线特性结合，提高天线之间的高独立特性，实现天线辐射间的互不影响。
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公开(公告)号：CN118659744B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411148648.3
申请日：2024-08-21
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: H03F1/02 , H03F1/56 , H03F1/32 , H03F3/20 , G06F30/367
Abstract: 本发明属于功率放大器技术领域，公开了一种GaAs MMIC高功率高效率功率放大器芯片，包括输入匹配网络、稳定性网络、偏置电路、低损耗级间匹配网络、低损耗输出匹配网络；输入匹配网络包括有耗元件、隔直电容、输入匹配电路、偏置电路以及稳定性网络，输入匹配网络连接至功率放大器的输入端；低损耗级间匹配网络位于功率放大器的不同放大级之间；低损耗输出匹配网络连接至功率放大器的输出端，包括一组并联电容和串联电感；偏置电路连接至功率放大器的各个放大级；稳定性网络与输入匹配网络和偏置电路连接。本发明大大提高了功率放大器的输出功率以及功率附加效率，且工作带宽覆盖整个Ku波段。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118449482A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410709263.3
申请日：2024-06-03
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于射频声学谐振器技术领域，公开了一种新型层状结构的高性能兰姆波谐振器，包括衬底、功率补偿层、第一温度补偿层、压电薄膜、电极、第二温度补偿层；衬底位于谐振器最底端，功率补偿层在衬底上方，第一温度补偿层位于功率补偿层上方，压电薄膜设置在第一温度补偿层上方，压电薄膜上方设置有第二温度补偿层，第二温度补偿层内含有电极。衬底材料为Si；功率补偿层材料为SiC、GaN；第一温度补偿层材料为SiO2；压电薄膜材料选自铌酸锂LiNbO3、钽酸锂LiTaO3，氮化铝AlN，掺钪氮化铝AlScN压电材料；电极为IDT电极，材料选自钛Ti、铝Al、铜Cu、金Au、铂Pt、银Ag中的至少一种；电极上方的第二温度补偿层材料为SiO2；衬底采用底部刻蚀。
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公开(公告)号：CN113675620B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202110930390.2
申请日：2021-08-13
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明提供了一种双极化太赫兹硅基喇叭天线阵列，由若干刻蚀硅基片堆叠组成，堆叠的所述刻蚀硅基片形成四个喇叭天线单元，包括第一喇叭天线单元、第二喇叭天线单元、第三喇叭天线单元和第四喇叭天线单元，四个所述喇叭天线单元以刻蚀硅基片的中心点为参考点旋转对称排列。
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公开(公告)号：CN117559917A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311520328.1
申请日：2023-11-15
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: H03B19/14
Abstract: 一种新型毫米波高次倍频技术，主要包括雪崩器件高次倍频的工作机理和等效模型、工作模式、半导体结构、倍频器的电路模型、倍频器实际电路结构和测试系统。利用雪崩效应中强烈的非线性电感特性，使毫米波频段的高次倍频得以实现，这极大降低了输入信号的频率，因而能够方便的获得低成本、高性能的微波参考源。同时雪崩效应中基波和各次谐波间具有不同的电流电压特性和阻抗特性，由于高次谐波具有较大的相位延迟，器件在高次谐波上容易形成等效负阻，提高高次谐波能量，利于最大功率的提取高次谐波，降低倍频损耗。
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公开(公告)号：CN117543223A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311656678.0
申请日：2023-12-05
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明属于宽带镜向电磁散射模拟技术领域，公开了一种宽带镜向电磁散射模拟表面及其设计方法。本发明所提出的宽带镜向电磁散射模拟表面通过多种具有不同谐振频率和吸波率的窄带电磁吸波单元按一定比例的组合能够在宽频带上实现对真实地面环境镜向电磁散射幅频响应曲线的模拟；所提出的宽带镜向电磁散射模拟表面可通过控制组成表面的各种吸波单元的吸波率有效模拟真实地面环境的部分吸波效应；用于构造所提出的宽带镜向电磁散射模拟面的吸波单元都只需具备窄带特性，因此单元乃至整个表面的剖面高度得以大大降低，有助于实现雷达伪装表面的轻薄化。
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公开(公告)号：CN117352979A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311471533.3
申请日：2023-11-07
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于微波技术领域，公开了一种三维立体集成的GCPW‑SIW的垂直过渡结构。传统的GCPW‑SIW过渡结构为单层平面的过渡结构，无法实现更高集成度的三维立体集成结构。本发明通过将GCPW、层间垂直过渡结构、SIW整体集成设计，实现了底层GCPW至顶层SIW的低损耗的垂直过渡转换。本发明结构简单、加工精度要求低、工作带宽较宽、插入损耗低。本发明适用于有源器件的三维立体集成应用，能够实现更高的系统集成度和更小的系统整体尺寸。同时，该过渡结构具有低过渡损耗、实现结构简单和较宽工作带宽的特点，能够广泛应用于微波毫米波前端的系统集成中。仿真结果显示该过渡结构在89.7‑99GHz频段内，具有低传输损耗和低反射系数的良好工作特性。
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