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公开(公告)号：CN115189150B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202210643586.8
申请日：2022-06-08
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种低副瓣波导缝隙阵列天线及设计方法。本发明将波导缝隙阵列天线中的辐射缝隙部分缝隙进行反向偏移，使缝隙单元分为同相单元和反相单元。同相单元和反相单元之间具有180°的相位差。通过对同相单元和反相单元的位置进行优化，同时实现波导缝隙阵列天线在平行于电场方向的平面和平行于磁场方向的平面的二维低副瓣赋形。本发明具有设计简单、容易实现的特点。
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公开(公告)号：CN117559917A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311520328.1
申请日：2023-11-15
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: H03B19/14
Abstract: 一种新型毫米波高次倍频技术，主要包括雪崩器件高次倍频的工作机理和等效模型、工作模式、半导体结构、倍频器的电路模型、倍频器实际电路结构和测试系统。利用雪崩效应中强烈的非线性电感特性，使毫米波频段的高次倍频得以实现，这极大降低了输入信号的频率，因而能够方便的获得低成本、高性能的微波参考源。同时雪崩效应中基波和各次谐波间具有不同的电流电压特性和阻抗特性，由于高次谐波具有较大的相位延迟，器件在高次谐波上容易形成等效负阻，提高高次谐波能量，利于最大功率的提取高次谐波，降低倍频损耗。
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公开(公告)号：CN117478198A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311377326.1
申请日：2023-10-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十七研究所 , 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种X频段固态发射机电路、高功率射频信号产生方法及发射机。包括：依次连接的上变频器、X频段固态功放电路、波导微带转换电路、耦合环形组件、滤波器组件，上变频器用于对外部输入的中频输入信号进行变频以产生X频段的射频信号，X频段固态功放电路用于进行射频信号的功率放大，波导微带转换电路用于进行信号传输模式由微带线到波导传输介质的变换，耦合环形组件用于进行射频信号的单向传输及射频耦合，滤波器组件包括收阻滤波器和谐波滤波器，抑制接收带内噪声电平，最终通过天线发射经处理后的高功率射频信号。本发明采用模块化设计，实现了200W的X频段射频信号输出，同时结构紧凑、功能完善、工作稳定及性能优越。
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公开(公告)号：CN117352979A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311471533.3
申请日：2023-11-07
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于微波技术领域，公开了一种三维立体集成的GCPW‑SIW的垂直过渡结构。传统的GCPW‑SIW过渡结构为单层平面的过渡结构，无法实现更高集成度的三维立体集成结构。本发明通过将GCPW、层间垂直过渡结构、SIW整体集成设计，实现了底层GCPW至顶层SIW的低损耗的垂直过渡转换。本发明结构简单、加工精度要求低、工作带宽较宽、插入损耗低。本发明适用于有源器件的三维立体集成应用，能够实现更高的系统集成度和更小的系统整体尺寸。同时，该过渡结构具有低过渡损耗、实现结构简单和较宽工作带宽的特点，能够广泛应用于微波毫米波前端的系统集成中。仿真结果显示该过渡结构在89.7‑99GHz频段内，具有低传输损耗和低反射系数的良好工作特性。
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公开(公告)号：CN116914398A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202311009865.X
申请日：2023-08-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P5/18
Abstract: 本发明公开了一种小型化高方向性耦合器，属于微波通信技术领域；包括由上腔体、中间腔体和下腔体连接组成的腔体主体结构，以及腔体主体结构内部设置的第一内导体和第二内导体；第一内导体水平设置在中间腔体内作为主线电路，第一内导体与上腔体、中间腔体和下腔体之间共同组成类同轴封闭腔，其两端头外部分别连接输入和输出端口；第二内导体由平行段和垂直连接平行段的两个连接段组成，且位于上腔体和下腔体中对角对应的两个连接段的端部分别连接正向耦合端口和反向耦合端口，其余两个连接段的端部均连接匹配负载。本发明的耦合器能够实现对正向、反向信号的有效提取，快速精准做出反射故障判断，以满足地面测控通信设备小型化、可靠性的需要。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114566778B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202210063080.X
申请日：2022-01-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P5/107
Abstract: 本发明公开了一种基于宽导带的直通式波导微带过渡结构，包括波导，覆盖宽导带的介质基片和微带线。波导由标准波导、减高波导、减高减宽波导、减宽波导、约束腔、微带屏蔽腔由左往右紧贴级联而成，介质基片位于减宽波导下壁上，并与下壁紧密贴合，上方紧密覆盖宽导带。利用减高波导和减高减宽波导促使电场集中在宽导带与减高波导、减高减宽波导的下壁之间，逐渐把电场集中到微带线介质内，利用减高减宽波导和减宽波导抑制微带线端口可能出现的高次模，最后实现直通式、无隔直问题、无谐振、低反射、低损耗的波导微带过渡结构。同时本发明结构紧凑，体积小，易加工，适合在微波集成电路中推广应用。
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公开(公告)号：CN114614257A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210508578.2
申请日：2022-05-11
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种平面式高隔离度K/Ka频段共口径相控阵天线,属于毫米波圆极化共口径天线技术领域。该天线包括多层介质基板，多层介质基板的第十介质层为天线单元，其上设有K频段金属贴片阵列结构和Ka频段金属贴片阵列结构；第一金属地层为金属地，连接有用于实现与后续芯片多层介质基板电信连接的BGA金属植球；第十介质层和第一金属地层之间的各层为射频信号走线、K/Ka频段滤波结构、天线金属地、滤波金属地。所述K频段滤波结构包括两个K频段滤波结构和两个Ka频段滤波结构，各频段两个滤波结构设置位置不同。通过上述方式，本发明克服了毫米波共口径相控阵天线的滤波结构难以集成，不同频率单元间隔离度难以提升的问题。
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公开(公告)号：CN110880632B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201911171738.3
申请日：2019-11-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于基片集成波导腔的宽带宽角频率选择表面，属于频率选择表面的技术领域。本发明在每个基于基片集成波导腔宽带宽角频率选择表面单元中，通过开设在第一金属层与第二金属层上的方环缝隙，构成完整的四分之一模基片集成波导腔。腔体是完整的，不受缝隙尺寸的影响，从而使得该结构的腔体主模和缝隙模式的谐振频率能够分别独立控制，进而实现对四分之一模基片集成波导谐振腔模式与方环缝隙模式频率间距的调整，完成宽带设计，以此增加带宽。解决了现有技术中基片集成波导频率选择表面高入射角稳定性与宽工作带宽无法同时兼顾的问题，在保证入射角度稳定的同时，大幅度提高了工作带宽。
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公开(公告)号：CN109193154B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201810855528.5
申请日：2018-07-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于毫米波圆极化多波束天线技术领域，具体提供一种毫米波圆极化多波束平板圆柱介质透镜天线；用以克服多波束天线实现圆极化的问题：对于球形介质不易加工以及平板圆柱介质透镜的圆极化馈源难以设计；本发明天线包括透镜及若干个馈源天线，馈源天线由八木天线、喇叭天线及馈电网络构成；本发明使用八木天线和喇叭天线对透镜天线进行馈电，解决了圆柱介质透镜因平板空间有限枝节加入圆极化馈源困难得问题；3dB耦合器通过垂直转换结构连接八木天线和喇叭天线，实现了透镜天线的双圆极化。
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公开(公告)号：CN110085980B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201910390328.1
申请日：2019-05-10
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种用于前馈单脉冲反射面天线的低剖面宽带馈源天线，包括：2×2低剖面宽带线极化天线和低剖面宽带单脉冲比较器，2×2低剖面宽带线极化天线包括四个低剖面宽带线极化天线单元，低剖面宽带线极化天线单元包括自下而上依次堆叠的馈电波导、馈电缝隙和低剖面阶梯喇叭；低剖面宽带单脉冲比较器包括第一准平面化宽带波导魔T、第二准平面化宽带波导魔T，还包括第一低剖面宽带波导魔T、第二低剖面宽带波导魔T，本发明提供的低剖面宽带高效率线极化单脉冲馈源天线，基于低损耗的空气金属波导结构适用于W波段；在其他性能指标优良的情况下其整体剖面厚度为2.65mm，仅约为中心频点0.8个自由空间波长。
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