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公开(公告)号:CN114566778B
公开(公告)日:2023-03-10
申请号:CN202210063080.X
申请日:2022-01-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P5/107
Abstract: 本发明公开了一种基于宽导带的直通式波导微带过渡结构,包括波导,覆盖宽导带的介质基片和微带线。波导由标准波导、减高波导、减高减宽波导、减宽波导、约束腔、微带屏蔽腔由左往右紧贴级联而成,介质基片位于减宽波导下壁上,并与下壁紧密贴合,上方紧密覆盖宽导带。利用减高波导和减高减宽波导促使电场集中在宽导带与减高波导、减高减宽波导的下壁之间,逐渐把电场集中到微带线介质内,利用减高减宽波导和减宽波导抑制微带线端口可能出现的高次模,最后实现直通式、无隔直问题、无谐振、低反射、低损耗的波导微带过渡结构。同时本发明结构紧凑,体积小,易加工,适合在微波集成电路中推广应用。
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公开(公告)号:CN115732932A
公开(公告)日:2023-03-03
申请号:CN202211526961.7
申请日:2022-12-01
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01Q13/02
Abstract: 本发明涉及天线技术领域,公开了一种太赫兹波段的高斯波束光壁接收天线及其设计方法,包括沿接收信号传输方向依次设置的接收段、喇叭段以及输入段,所述接收段用于接收天线信号,所述输入段与所述喇叭段之间设有内部轮廓曲线采用高斯轮廓曲线函数设计的过渡段,通过所述过渡段使得所述输入段与喇叭段的连接呈光滑曲线。本发明通过在输入段和喇叭段中间添加高斯曲线轮廓的过渡段减小能量反射,降低反射系数与驻波比;与传统Pickett Potter天线相比,本天线从接收的角度出发,保证了天线的低副瓣电平和低交叉极化且消除了输入段与喇叭段之间的半径突变,反射系数减小且易于制造。
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公开(公告)号:CN114597642A
公开(公告)日:2022-06-07
申请号:CN202210212563.1
申请日:2022-03-04
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01Q1/38 , H01Q1/50 , H01Q1/48 , H01Q5/10 , H01Q5/20 , H01Q5/42 , H01Q5/307 , H01Q7/00 , H01Q19/30
Abstract: 本发明公开了一种基于开口谐振环的双频微带准八木天线,对起到引向器聚集能量作用的两列低频谐振环进行改进:靠近引向器侧一列的四个侧方开口的开口谐振环将进行磁场耦合,通过内侧凸起可以增加开口谐振环等效电路中的电感,电感增大则耦合的磁场能量增多。在经过第一次耦合之后,能量大多汇聚于两两开口谐振环间隔处,远离引向器侧的一列为三个右侧方开口的开口谐振环放置于间隔处右侧,通过阶梯形状排列进行电场和磁场的耦合,将能量再次汇聚于天线的纵向,使得主瓣张角更小,这样提高增益至7。此外,在微带馈线上下两侧的高频开口谐振环通过电磁耦合的方式使得输入端口传输的能量被高频开口谐振环耦合,电磁能量能产生不同的高频发射至自由空间中,从而实现天线的双频工作。
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公开(公告)号:CN114566778A
公开(公告)日:2022-05-31
申请号:CN202210063080.X
申请日:2022-01-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P5/107
Abstract: 本发明公开了一种基于宽导带的直通式波导微带过渡结构,包括波导,覆盖有宽导带的介质基片和微带线。波导由标准波导、减高波导、减高减宽波导、减宽波导、约束腔、微带屏蔽腔由左往右紧贴级联而成,介质基片位于减宽波导下壁上,并与下壁紧密贴合,上方紧密覆盖宽导带。利用减高波导和减高减宽波导促使电场集中在宽导带与减高波导、减高减宽波导的下壁之间,逐渐把电场集中到微带线介质内,利用减高减宽波导和减宽波导抑制微带线端口可能出现的高次模,最后形成实现直通式、无隔直问题、无谐振、低反射、低损耗的波导微带过渡结构。同时本发明结构紧凑,体积小,易加工,适合在微波集成电路中推广应用。
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