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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115833817A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202310118271.6
申请日：2023-02-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K17/687 , H03M1/66
Abstract: 本发明公开了一种具有功分器和开关双工作模式的射频电路，属于射频集成电路技术领域。本发明包括三个射频端口：端口1、端口2和端口3；五个电阻：电阻R1、电阻R2、电阻RG1、电阻RG2和电阻RG3；两段90°传输线：第一90°传输线、第二90°传输线；通过控制三个晶体管的工作状态，来完成功分工作模式和开关工作模式的切换，达到降低链路损耗、减小电路面积的作用。此外，通过引入高精度可调谐电阻作为功分器的隔离电路，提高了电路的鲁棒性，使其更适合在硅基半导体工艺中集成和实现。相较于现有的功分器和开关电路独立的结构，本发明避免了现有技术中能量损失一半的问题，从而大幅度降低电路插损。
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公开(公告)号：CN115548621B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211506225.5
申请日：2022-11-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P5/18
Abstract: 本发明公开了一种基于硅基工艺的片上平行线耦合器，属于射频集成电路技术领域。包括自下而上依次层叠的硅衬底层、屏蔽导体层和绝缘体层；屏蔽导体层包括两个接地导体和设置在两个接地体之间的孤立屏蔽导体，三者互不接触；绝缘体层的上表面设有并列且互不接触的第一耦合线和第二耦合线，两个耦合线彼此电磁耦合；绝缘体层内部设有用于增加第一耦合线和第二耦合线之间电磁耦合的孤立耦合导体,通过设置的孤立耦合导体和屏蔽层改变耦合器中的各部分电磁耦合特性，实现耦合器奇模阻抗、偶模阻抗准确和独立的设计，解决耦合器各个指标之间相互制约的问题，使插入损耗、耦合度、平衡度、反射系数、隔离度多个指标同时得到优化和提升。
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公开(公告)号：CN115548621A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211506225.5
申请日：2022-11-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P5/18
Abstract: 本发明公开了一种基于硅基工艺的片上平行线耦合器，属于射频集成电路技术领域。包括自下而上依次层叠的硅衬底层、屏蔽导体层和绝缘体层；屏蔽导体层包括两个接地导体和设置在两个接地体之间的孤立屏蔽导体，三者互不接触；绝缘体层的上表面设有并列且互不接触的第一耦合线和第二耦合线，两个耦合线彼此电磁耦合；绝缘体层内部设有用于增加第一耦合线和第二耦合线之间电磁耦合的孤立耦合导体,通过设置的孤立耦合导体和屏蔽层改变耦合器中的各部分电磁耦合特性，实现耦合器奇模阻抗、偶模阻抗准确和独立的设计，解决耦合器各个指标之间相互制约的问题，使插入损耗、耦合度、平衡度、反射系数、隔离度多个指标同时得到优化和提升。
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公开(公告)号：CN118971996B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411441803.0
申请日：2024-10-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于相控阵天线通道校准技术领域，具体为一种相位检测装置、相位自校准方法及相控阵单片集成电路。相位检测装置包括第一分频器、第二分频器、第一混频器、第二混频器、N位计数器和N位边沿触发器，其中，第二混频器输出信号S5的相位是由被检测输入信号S4的相位决定，而信号S5的相位决定N位边沿触发器的时延tp，时延tp决定N位边沿触发器的输出信号S7的输出结果，故相位检测装置的输出信号S7能够用来表征被检测输入信号S4的相对相位,基于此相对相位便可实现对射频通道进行相位高精度检测和自校准。与现有技术相比，本发明的装置及方法更加简单，检测精度也更高。
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公开(公告)号：CN118971996A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411441803.0
申请日：2024-10-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于相控阵天线通道校准技术领域，具体为一种相位检测装置、相位自校准方法及相控阵单片集成电路。相位检测装置包括第一分频器、第二分频器、第一混频器、第二混频器、N位计数器和N位边沿触发器，其中，第二混频器输出信号S5的相位是由被检测输入信号S4的相位决定，而信号S5的相位决定N位边沿触发器的时延tp，时延tp决定N位边沿触发器的输出信号S7的输出结果，故相位检测装置的输出信号S7能够用来表征被检测输入信号S4的相对相位,基于此相对相位便可实现对射频通道进行相位高精度检测和自校准。与现有技术相比，本发明的装置及方法更加简单，检测精度也更高。
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