公开(公告)号：CN103811350A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310018246.7

申请日：2013-01-17

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 郑永均 ,  洪坰国 ,  李钟锡 ,  千大焕

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/049 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/7827

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法。一种制造半导体器件的方法，包括：在n+型碳化硅衬底的第一表面上顺序地形成n-型外延层、p型外延层和第一n+区域；以及穿过所述第一n+区域和所述p型外延层形成沟道；其中，所述沟道的形成包括：在所述第一n+区域上形成感光层图形；通过应用所述感光层图形作为掩模来蚀刻所述第一n+区域和所述p型外延层；在移除所述感光层图形之后，通过在所述第一n+区域上应用非晶碳来形成缓冲层；通过蚀刻所述缓冲层以形成缓冲层图形；应用所述缓冲层图形作为掩模来蚀刻；各向同性地蚀刻以形成所述沟道的第二部分；以及移除所述缓冲层图形。

公开(公告)号：CN107958936B

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN201710119656.9

申请日：2017-03-02

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 千大焕 ,  郑永均 ,  周洛龙 ,  朴正熙 ,  李钟锡

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括n+型碳化硅基板、n‑型层、n型层、多个沟槽、p型区域、n+型区域、栅极绝缘膜、栅电极、源电极、漏电极和沟道。多个沟槽被布置为平面矩阵形状。n+型区域被布置为具有开口的平面网格类型、围绕沟槽中的每一个、并且在平面对角线方向上彼此相邻的沟槽之间与源电极接触。p型区域被布置在平面网格类型的n+型区域的开口中。

公开(公告)号：CN113871452A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202111138971.9

申请日：2016-11-22

Applicant: 现代自动车株式会社 ,  起亚株式会社

Inventor： 周洛龙 ,  郑永均 ,  朴正熙 ,  李钟锡 ,  千大焕

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了半导体器件。一种半导体器件，包含：n‑型层，布置在n+型碳化硅衬底的第一表面上；第一沟槽和第二沟槽，形成在n‑型层中并且彼此分离；n+型区，布置在第一沟槽的侧面与第二沟槽的侧面之间并且布置在n‑型层上；栅极绝缘层，布置在第一沟槽内；源极绝缘层，布置在第二沟槽内；栅极，布置在栅极绝缘层上；氧化层，布置在栅极上；源极，布置在氧化层、n+型区、及源极绝缘层上；以及漏极，布置在n+型碳化硅衬底的第二表面上。

公开(公告)号：CN103904131B

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201310757047.8

申请日：2013-12-12

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 李钟锡 ,  洪坰国 ,  千大焕 ,  郑永均

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L21/04

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606

Abstract: 本发明涉及—种肖特基二极管，包括：设置在n+型碳化硅衬底的第一表面的n‑型外延层；设置在n‑型外延层内，且设置在n+型碳化硅衬底的第一表面的第一部分上的多个n型柱区；设置在n‑型外延层内，且在垂直于n型柱区的方向上延伸的p型区域；多个P+区域，n‑型外延层被设置在其表面，且它们与n型柱区和p型区域分隔；设置在n‑型外延层和P+区域上的肖特基电极；设置在n+型碳化硅衬底的第二表面的欧姆电极。

公开(公告)号：CN103872130B

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201310438998.9

申请日：2013-09-24

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 李钟锡 ,  洪坰国 ,  千大焕 ,  郑永均

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，包括布置在n+型碳化硅衬底的第一表面上的多个n型柱区和n‑型外延层；布置在多个n型柱区和n‑型外延层上的p型外延层和n+区；穿过n+区和p型外延层并布置在多个n型柱区和n‑型外延层上的沟槽；布置在沟槽内的栅极绝缘膜；布置在栅极绝缘膜上的栅电极；布置在栅电极上的氧化膜；布置在p型外延层，n+区，和氧化膜上的源极电极；以及布置在n+型碳化硅衬底的第二表面上的漏极电极，其中沟槽的每个角部接触对应的n型柱区。

公开(公告)号：CN107579121A

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201611149881.9

申请日：2016-12-13

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 千大焕 ,  郑永均 ,  周洛龙 ,  朴正熙 ,  李钟锡

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L21/046 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/08 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606

Abstract: 本公开提供了肖特基势垒二极管及其制造方法。根据本公开示范性实施方式的肖特基势垒二极管包括：设置在n+型碳化硅基底的第一表面上的n-型层；设置在n-型层上的p+型区域和p型区域，p+型区域和p型区域相互分离；设置在n-型层、p+型区域和p型区域上的阳极；以及设置在n+型碳化硅基底的第二表面上的阴极，其中p型区域有多个，在平面上具有六角形形状，并且以矩阵形状设置，以及设置在p+型区域和p型区域之间的n-型层在平面上具有六角形形状而且围绕p型区域。

公开(公告)号：CN107546268A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201611077777.3

申请日：2016-11-30

Applicant: 现代自动车株式会社 ,  现代奥特劳恩株式会社

Inventor： 千大焕 ,  郑永均 ,  李钟锡 ,  金英俊 ,  金台曅 ,  禹赫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，包括：n-型层，其设置在n+型碳化硅衬底的第一表面上；第一沟槽，其在n-型层中形成；p型区域，其设置在第一沟槽的两个侧表面上；n+型区域，其设置在第一沟槽的两个侧表面上，并且设置在n-型层和p型区域上；栅极绝缘层，其设置在第一沟槽内侧；栅电极，其设置在栅极绝缘层上；氧化物层，其设置在栅电极上；源电极，其设置在氧化物层和n+区域上；以及漏电极，其设置在n+型碳化硅衬底的第二表面上，其中作为累积层沟道的第一沟道和作为反型层沟道的第二沟道设置在第一沟槽的两个侧表面中，并且第一沟道和第二沟道被设置成在n+型碳化硅衬底的第一表面的水平方向上相邻。

公开(公告)号：CN106876390A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201610561758.1

申请日：2016-07-15

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 千大焕 ,  郑永均 ,  周洛龙 ,  朴正熙 ,  李钟锡

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/8222

CPC classification number: H01L29/7805 ,  H01L21/047 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7813 ,  H01L27/0635 ,  H01L21/8222

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。该器件包括具有设置在n+型碳化硅衬底的第一表面中的沟槽的n‑型层。n+型区和第一p型区设置在n‑型层和沟槽的侧面处。多个第二p型区设置在n‑型层处并与第一p型区隔开。栅极包括分别设置在沟槽处的第一栅极和从第一栅极延伸的多个第二栅极。源极设置在栅极上并与其绝缘。漏极设置在n+型碳化硅衬底的第二表面上。源极接触彼此隔开的多个第二p型区，在第二p型区中设置有n‑型层。

公开(公告)号：CN103915511A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201310542137.5

申请日：2013-11-05

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 洪坰国 ,  李钟锡 ,  千大焕 ,  郑永均

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/10 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3083 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及一种肖特基势垒二极管，其包括：n+型碳化硅衬底；布置在n+型碳化硅衬底的第一表面上的n-型外延层，其包括电极区以及位于电极区的外部的端接区；布置在端接区中的n-型外延层上的第一沟槽和第二沟槽；布置在第一沟槽和第二沟槽的下方的p区；布置在电极区中的n-型外延层上的肖特基电极；以及布置在n+型碳化硅衬底的第二表面上的欧姆电极，其中第一沟槽和第二沟槽位置相邻以形成台阶。

公开(公告)号：CN103872147A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310661032.1

申请日：2013-12-09

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 千大焕 ,  李钟锡 ,  洪坰国 ,  郑永均

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/36

Abstract: 本发明涉及一种肖特基势垒二极管及其制造方法，该肖特基势垒二极管包括n-型外延层，设置在n+型碳化硅基板的第一表面，多个n型支柱区域，设置在n+型碳化硅基板的第一表面的第一部分的n-型外延层中，多个p+区域，设置在n-型外延层的表面且与n型支柱区域分离，肖特基电极，设置在n-型外延层和p+区域上，以及欧姆电极，设置在n+型碳化硅基板的第二表面。n型支柱区域的掺杂密度大于n-型外延层的掺杂密度。