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公开(公告)号：CN118051086A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410192063.5
申请日：2024-02-21
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供了一种四相NMOS开关型LDO，所述四相NMOS开关型LDO包括准三型补偿模块、四相PWM控制模块、功率管模块、辅助恒定电流控制模块。本发明通过单反馈环路和辅助恒定电流控制模块，解决了开关型LDO功率管面积过大，动态电压范围，负载瞬态恢复速度受慢反馈环路影响；本发明利用辅助恒定电流控制模块电路降低了工艺、电压、温度变化对流经功率管电流的影响以及其功率管波动造成的环路稳定性问题，获得一个低输出纹波，小输出电容，稳定性高的开关型LDO，满足系统级集成电路应用需求。
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公开(公告)号：CN108899314B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201810502138.X
申请日：2018-05-23
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种静电保护器件，包括衬底，在衬底内设有深N阱，在深N阱内从左到右依次设有第一N阱、第一P阱以及第二N阱，第一N阱内设有第一N+注入区、第一P+注入区以及第二N+注入区，第二N+注入区跨接在第一N阱与第一P阱之间，在第一P阱内设有第三N+注入区、第二P+注入区以及第四N+注入区，在第二N阱内设有第五N+注入区、第三P+注入区以及第六N+注入区，第五N+注入区跨接在第一P阱与第二N阱之间，第一N阱、第一P阱、以及第二N阱组成第一NPN结构，第二N+注入区、第一P阱以及第三N+注入区组成第二NPN结构。本发明提出的静电保护器件，可提高维持电压，降低触发电压，增强静电泄放能力。
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公开(公告)号：CN112968127B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202110199553.4
申请日：2021-02-22
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L51/00
Abstract: 本发明公开了一种制备多孔有机半导体薄膜的方法，分别将有机半导体和有机铵盐溶于有机溶剂中，并按照一定的比例混合得混合液，将所述混合液旋涂于衬底上，随后退火，即可得到多孔有机半导体薄膜。由于有机溶剂挥发过程中有机铵盐会促进有机半导体结晶，有机半导体结晶时释放出的空间形成均匀的多孔。本发明制备工艺简单，所得多孔有机半导体薄膜孔径均匀，重复性良好，对设备要求较低，能够快速获得大面积的多孔有机薄膜。本发明所得的多孔有机薄膜可广泛用于新型光电器件和气相传感器等领域。
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公开(公告)号：CN113364599A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110658063.6
申请日：2021-06-15
Applicant: 湖南大学
IPC: H04L9/32
Abstract: 本发明涉及物理不可克隆函数技术领域，尤其涉及一种双态物理不可克隆函数电路，所述电路包括：信号驱动电路将接收的串行激励信号和串行配置信号分别转换为并行信号；若干个双态物理不可克隆函数电路单元，每个单元根据激励信号和配置信号获取响应；时序控制电路确保本电路按设计的时序工作；并行/串行转换器电路实现多比特响应的串行输出。其中每个双态物理不可克隆函数电路单元包括：状态配置电路根据配置信号切换本电路的工作状态；放大器链电路对带有工艺偏差的信号进行放大；响应读出电路根据激励信号选择单元并输出响应。通过设置本电路生成了高可靠性的密钥。
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公开(公告)号：CN112968127A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110199553.4
申请日：2021-02-22
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L51/00
Abstract: 本发明公开了一种制备多孔有机半导体薄膜的方法，分别将有机半导体和有机铵盐溶于有机溶剂中，并按照一定的比例混合得混合液，将所述混合液旋涂于衬底上，随后退火，即可得到多孔有机半导体薄膜。由于有机溶剂挥发过程中有机铵盐会促进有机半导体结晶，有机半导体结晶时释放出的空间形成均匀的多孔。本发明制备工艺简单，所得多孔有机半导体薄膜孔径均匀，重复性良好，对设备要求较低，能够快速获得大面积的多孔有机薄膜。本发明所得的多孔有机薄膜可广泛用于新型光电器件和气相传感器等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109346462B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201811162796.5
申请日：2018-09-30
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种ESD保护器件，主要由衬底P‑SUB，双阱工艺中的第一N阱、第二N阱和P阱，第一P+注入区，第一N+注入区，第二P+注入区，第二N+注入区，第三P+注入区，第四P+注入区，薄栅氧和多晶硅栅构成。本发明的ESD保护器件的阴极嵌入PMOS的SCR结构，形成了一条电流的泄放路径，这条泄放路径削弱了SCR结构的正反馈，以此来抬高静电防护应用中的SCR结构的维持电压。
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公开(公告)号：CN108899313B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201810495782.9
申请日：2018-05-22
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供一种静电保护器件，包括衬底、在所述衬底内设有深N阱，在深N阱内从左到右依次设有第一P阱、第一N阱以及第二P阱，第一P阱内从左到右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区以及第二N+注入区，第二P阱内从左到右依次设有第三N+注入区、第四N+注入区以及第四P+注入区，第二P+注入区跨接在第一P阱与第一N阱之间，第三P+注入区跨接在第一N阱与第二P阱之间，第一P+注入区以及第一N+注入区均与阳极连接，第四P+注入区以及第四N+注入区均与阴极连接。本发明提出的静电保护器件，可提高维持电压，降低触发电压，提高器件的ESD鲁棒性。
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公开(公告)号：CN109411468B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201811253429.6
申请日：2018-10-25
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种可控硅静电保护器件，包括衬底、埋氧层、N阱以及P阱，在N阱内设有第一P+注入区、第一多晶硅栅、第二P+注入区以及第四N+注入区，在P阱内设有第一N+注入区、第二多晶硅栅、第二N+注入区以及第四P+注入区，第三P+注入区与第三N+注入区跨接在N阱与P阱之间的交界处，第一P+注入区与阳极相连，第一N+注入区与阴极相连，第一P+注入区、第一多晶硅栅、第二P+注入区与N阱构成PMOS管，第一N+注入区、第二多晶硅栅、第二N+注入区与P阱构成NMOS管。本发明具有低触发电压、高维持电压、结构简单、易于集成以及鲁棒性高等优点，适用于器件以及电路的静电保护。
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公开(公告)号：CN109166941A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810388951.9
申请日：2018-04-26
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L31/078 , H01L31/0224 , H01L31/02
Abstract: 本发明提供了一种能源转换器件，具有衬底，在衬底上形成电极3，在电极3上形成介电层，在介电层上分别形成电极1和电极2，在电极1和2以及介电层上形成半导体层，其中电极1与所述半导体层形成欧姆接触，电极2与所述半导体层形成肖特基接触，在衬底硅电极3与电极1之间施加交流信号，在电极1和电极2之间就会形成稳定的直流输出，该能源转换器件不仅制备工艺简单，而且可以收集具有任意幅值的电磁波信号用于转化成直流电，并且无衰减，能长期工作，工艺性能稳定。
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公开(公告)号：CN108899315A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810662973.X
申请日：2018-06-25
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种多叉指静电保护器件，包括衬底，衬底上设有深N阱，深N阱内设有第一P阱、第二P阱、第三P阱，第二P阱位于第一P阱和第三P阱的中间，第一P阱内设有第一P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区，第一P阱与第二P阱之间设有第二P+注入区、第三N+注入区、第三P+注入区，第二P阱内设有第四P+注入区、第四N+注入区、N+/P+掺杂注入区、第五N+注入区、第五P+注入区，第四P+注入区以及第五P+注入区均与深N阱跨接，N+/P+掺杂注入区内设有多个交替设置的N+注入区和P+注入区，该多叉指静电保护器件以N+/P+掺杂注入区为对称中心对称设置。本发明能够解决导通不均匀的问题。
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