公开(公告)号：CN87202679U

公开(公告)日：1988-01-13

申请号：CN87202679

申请日：1987-03-05

Applicant: 清华大学

Inventor： 钱佩信 ,  侯东彦 ,  陈必贤 ,  马腾阁 ,  林惠旺 ,  李志坚

IPC: H01L21/324

Abstract: 半导体快速热处理系统的石英腔属于集成电路和半导体器件制造技术的工艺设备。其要点是采用了双层石墨板作红外辐射源，并解决了双层石墨板加热半导体片测温问题，双层石墨板外加装了涂有介质膜的红外反射板，使半导体片的升温速率加快，并使能耗降低了70％以上。

公开(公告)号：CN201518299U

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200820233705.8

申请日：2008-12-19

Applicant: 清华大学 ,  上海得倍电子技术有限公司

Inventor： 刘泽文 ,  侯智昊 ,  李志坚 ,  刘红超

IPC: H01H59/00 ,  H01P1/10

Abstract: 本实用新型涉及一种欧姆接触式射频开关，包括信号电极、下电极、衬底及固定端固支于所述信号电极的悬臂梁，还包括斜拉梁，所述斜拉梁与所述悬臂梁的自由端连接，并通过锚点固支于所述衬底。采用本实用新型的技术方案，在RF开关的悬臂梁自由端加入斜拉梁，形成非对称桥式结构，使之同时具备金属膜桥式电容耦合RF开关对应力敏感度低和悬臂梁欧姆接触式RF开关可应用于较低频段的优点，从而提高欧姆接触式开关的成品率和可靠性。

公开(公告)号：CN2412341Y

公开(公告)日：2000-12-27

申请号：CN00231331.6

申请日：2000-03-31

Applicant: 清华大学

Inventor： 任天令 ,  张林涛 ,  李志坚 ,  刘理天

IPC: H04R7/04

Abstract: 本实用新型涉及用于微麦克风和扬声器的悬臂式振膜结构,该结构依次由:硅衬底、氮化硅层、低温淀积的二氧化硅层、底层Pt/Ti电极、PZT铁电薄膜、顶层Pt/Ti电极相互排列而成,所述的氮化硅层、低温淀积的二氧化硅层、底层Pt/Ti电极、PZT铁电薄膜、顶层Pt/Ti电极排列而成的薄层,从硅衬底上伸出,形成悬臂结构。采用本实用新型制备的悬臂式振膜结构,集成微麦克风和扬声器,其灵敏度和声输出有了明显提高。

公开(公告)号：CN2638246Y

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：CN03266116.9

申请日：2003-06-26

Applicant: 清华大学

Inventor： 李志坚 ,  田立林 ,  何平 ,  林羲

IPC: H01L29/78

Abstract: 本实用新型公开了属于微电子器件范围的一种沟道有热、电通道的SOI MOSFET器件。在传统的SOI MOSFET器件中的掩埋绝缘层上设置了一个通道，将器件的沟道区和衬底相连在一起。该通道大大降低了器件的衬底热阻，克服了SOI器件的自热效应；完全消除了SOI器件的浮体效应。还使该器件保持了SOI器件漏区、源区寄生电容小的优点，并且保证了器件的隔离，保证SOI MOSFET器件的热稳定性和器件稳定工作的可靠性。

公开(公告)号：CN2414513Y

公开(公告)日：2001-01-10

申请号：CN00231330.8

申请日：2000-03-31

Applicant: 清华大学

Inventor： 任天令 ,  张林涛 ,  刘理天 ,  李志坚

IPC: H01L41/00 ,  C04B35/01

Abstract: 本实用新型涉及一种用于电子元器件的硅基铁电夹心结构,包括顶层Pt/Ti电极、PZT铁电薄膜、底层Pt/Ti电极、二氧化硅层、硅衬底,上述各层依次排列,还包括PT层,所述的PT层分别置于顶层Pt/Ti电极与PZT铁电薄膜之间以及PZT铁电薄膜与底层Pt/Ti电极之间。本实用新型的夹心结构,降低了铁电薄膜的退火温度,从而提高了铁电薄膜的制备工艺与微电子工艺的兼容性。