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公开(公告)号：CN114093765A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202210051840.5
申请日：2022-01-18
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/324 , H01L21/26 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及碳化硅领域，公开了一种提高碳化硅薄膜少子寿命的方法，通过先对碳化硅薄膜进行热处理，激活碳化硅薄膜中的碳空位和氢杂质，然后利用紫外光照射碳化硅薄膜，控制碳化硅的准费米能级位置，使得氢杂质由负电调整为正电，利用带正电的氢杂质钝化带负电的碳空位，消除碳空位的缺陷能级，从而提高碳化硅薄膜少子寿命，且不会额外增加其他的缺陷。
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公开(公告)号：CN113774484A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111069487.5
申请日：2021-09-13
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明提供了一种氧化镓晶体生长方法及生长氧化镓晶体的组合坩埚，涉及氧化镓晶体生长的技术领域，通过采用组合坩埚来制备氧化镓晶体，使氧化镓熔体和铱金坩埚不直接接触，避免铱元素进入氧化镓熔体从而影响氧化镓晶体质量的问题，通过抽空炉内原本气体并充入保护性气体来抑制氧化镓的高温分解，同时也解决了采用铱金坩埚进行氧化镓晶体生长时，坩埚的侧壁和底部会出现密集腐蚀坑，导致铱金坩埚损耗严重的问题，最后制得的氧化镓单晶呈透明状，无明显开裂和气泡，相比采用现有方法制得的氧化镓单晶具有较高的晶体结晶质量的优点。
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公开(公告)号：CN113594368A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110661417.2
申请日：2021-06-15
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种宽带隙钙钛矿活性层的制备方法，通过在第一步制备卤化铅层的同时引入卤化铯盐，通过调节制备参数使其优先形成少量的全无机铯铅卤钙钛矿，第二步覆盖卤化甲脒甲胺混合盐制备形成钙钛矿活性层，解决了由于宽带隙钙钛矿Br含量增加，使得钙钛矿容易相分离的问题，从而大幅度提高了宽带隙钙钛矿太阳电池的性能和稳定性，同时，提高了高性能宽带隙钙钛矿太阳电池制备的重复性。本发明还提供了一种基于宽带隙钙钛矿活性层的太阳电池制备方法，所涉及的器件结构从下至上分别为透明导电玻璃、电子传输层、钙钛矿活性层、空穴传输层和金属电极层，利用本发明，极大地促进了低成本宽带隙钙钛矿太阳电池在叠层电池里的应用及商业化。
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公开(公告)号：CN111564523B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010235305.6
申请日：2020-03-30
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0368 , H01L31/04
Abstract: 本发明公开了一种抑制多晶硅太阳电池在高温下光致衰减的方法，包括：(1)将导电金属板放置在加热设备上，温度设置成120～200℃；(2)待导电金属板的温度稳定后，将多晶硅太阳电池放置在导电金属板上，反向连接恒流电压源，然后打开恒流电压源，调节电压为1～2V，进行反向偏压处理5～15分钟；(3)待反向偏压处理完后，取下电池，将加热设备的温度设置成200～320℃；(4)待导电金属板的温度稳定后，将多晶硅太阳电池放置在导电金属板上，正向连接恒压电流源；然后打开恒压电流源，调节电流为10～20A，进行正向大电流处理，10～20分钟后得到所需的多晶硅太阳电池。本发明方法的处理时间短，可以有效抑制PERC结构多晶硅太阳电池在较高温度下的光致衰减。
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公开(公告)号：CN113279065A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110475998.0
申请日：2021-04-29
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明通过在4H‑SiC中掺入铝原子与IVB族原子，有效地降低了碳化硅晶体中铝的电离能，实现了低阻p型4H‑SiC的制备。本发明利用IVB族原子掺杂后引入一个空的杂质轨道e能级，与Al的3/4占据的e轨道形成有效的库伦排斥，从而降低Al杂质的电离能。IVB族原子的掺杂浓度保证在1017cm‑3以上，铝原子的掺杂浓度在1020cm‑3左右。本发明解决了4H‑SiC中铝原子电离能较高的问题，增加了碳化硅中载流子有效浓度，降低4H‑SiC碳化硅晶体电阻率，对电力电子领域中各类电子器件的制造有重要的意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113193057A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110619945.1
申请日：2021-06-03
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种用于硅太阳电池的复合减反射薄膜及其制备方法。本发明在太阳电池片钝化层和封装材料之间制备具有一定纳米结构的减反射层。从太阳电池表面向上依次是SiNx层，ZnO种子层，ZnO纳米结构层和电池封装材料。本发明所制备的减反射结构位于电池片电极外侧，可在现有电池制备工艺上叠加，能够在宽波段内有效降低太阳电池表面对入射光的反射，从而提高太阳电池的光电转换效率。本发明所采用的制备方法步骤简单，成本较低，能制备大面积的均匀减反射薄膜，有一定商业应用前景。
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公开(公告)号：CN110323127B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201910482155.6
申请日：2019-06-04
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种利用PEALD在硅衬底上生长石墨烯的方法，将干净硅衬底置于反应室中进行PEALD循环，每个循环包括步骤：(1)进行碳源或辅助源吸附；所述碳源选自苯系物、甲烷中的至少一种；所述辅助源为含氧有机物；(2)清洗吸附后的硅衬底，进行等离子体脉冲；(3)清洗等离子体脉冲后的硅衬底。本发明可在硅衬底上大面积生长石墨烯，与目前硅基半导体技术良好的相容性。本发明通过使用含氧小分子促进生长，一方面作为小分子碳弥补了空位型缺陷，减小了反应后的缺陷峰D峰，另一方面氧元素的参与促进了生长过程中苯的脱氢过程，减少了成膜后的皱褶大小，提高硅衬底上原子层沉积生长大面积生长石墨烯的质量。
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公开(公告)号：CN113026106A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110544234.2
申请日：2021-05-19
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种新型的碳化硅晶体的生长工艺。通过这种方法生长碳化硅单晶，既解决了单独使用PVT方法所带来的源料无法持续供给及C/Si比失衡问题，也解决了PVT方法初期籽晶上面沉积成成核困难的问题。另外，通过调节出气管的挡板角度，既解决了单独使用HTCVD生长成本过大的问题，提高了源料的利用率，也解决了长时间的生长中排气口会发生封堵的问题。而且通过在炉体内部跟进气管道上端口平行处添加过滤网，保证了在整个生长过程中，防止了料粉中的固体颗粒进入到籽晶上面而形成固体粒子包裹。
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公开(公告)号：CN111403616A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010235696.1
申请日：2020-03-30
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种溴无机盐钙钛矿薄膜及其制备方法，该溴无机盐钙钛矿薄膜的分子式为[PbBr2-MBr-CsBr-MBr]n-PbBr2；其中，MBr为NaBr、LiBr或KBr；n为1-10；该制备方法，包括：将需要沉积的基材置于真空密闭腔室中；依次开启PbBr2、CsBr和MBr的蒸发源，并分层沉积到基材上形成[PbBr2-MBr-CsBr-MBr]钙钛矿层，循环沉积若干周期，最上层沉积单层PbBr2，退火处理，形成溴无机盐钙钛矿薄膜。本发明所提供的溴无机盐钙钛矿薄膜具有良好的导电性，其光致发光量子产率较高，适用于制备电致发光器件，以溴无机盐钙钛矿薄膜为发光层的钙钛矿发光二极管具有载流子迁移率高、激子束缚能高、发光效率高、元素丰度高和成本低等特点。
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公开(公告)号：CN110444644A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910683206.1
申请日：2019-07-26
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种增强硅基铒掺杂ZnO薄膜电致发光的器件及制备方法，属于硅基光电子技术领域。所述器件，包括硅衬底，硅衬底正面依次设有发光层、透明电极层，硅衬底背面设有欧姆接触电极，所述硅衬底表面具有氧化硅层，所述发光层为锆、铒共掺杂的ZnO薄膜。本发明在带有～10nm SiOx层的n+型硅片表面沉积锆、铒共掺杂ZnO薄膜，进而制备的电致发光器件有且仅有Er3+离子在可见和红外区的特征发光峰，相比于不掺锆只单掺Er的电致发光器件，本发明提出的共掺锆、铒器件的电致发光强度要增强5倍以上，增强方式简单便捷易操作，而且制备器件所用的方法与现行硅基CMOS工艺兼容。
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