公开(公告)号：CN111403616A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN202010235696.1

申请日：2020-03-30

Applicant: 浙江大学

Inventor： 方彦俊 ,  秦丰尤 ,  田鸿君 ,  闫敏行 ,  杨德仁

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公开了一种溴无机盐钙钛矿薄膜及其制备方法，该溴无机盐钙钛矿薄膜的分子式为[PbBr2-MBr-CsBr-MBr]n-PbBr2；其中，MBr为NaBr、LiBr或KBr；n为1-10；该制备方法，包括：将需要沉积的基材置于真空密闭腔室中；依次开启PbBr2、CsBr和MBr的蒸发源，并分层沉积到基材上形成[PbBr2-MBr-CsBr-MBr]钙钛矿层，循环沉积若干周期，最上层沉积单层PbBr2，退火处理，形成溴无机盐钙钛矿薄膜。本发明所提供的溴无机盐钙钛矿薄膜具有良好的导电性，其光致发光量子产率较高，适用于制备电致发光器件，以溴无机盐钙钛矿薄膜为发光层的钙钛矿发光二极管具有载流子迁移率高、激子束缚能高、发光效率高、元素丰度高和成本低等特点。

公开(公告)号：CN111370591A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN202010170771.0

申请日：2020-03-12

Applicant: 浙江大学

Inventor： 方彦俊 ,  闫敏行 ,  田鸿君 ,  秦丰尤 ,  杨德仁

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公开了一种顶发射硅基钙钛矿发光二极管，以硅片作为器件衬底，在硅片上依次设有底部金属电极、过渡层、空穴传输层、钙钛矿发光层及修饰层、电子传输层、透明电极和增透介质层。本发明还公开了该发光二极管的制备方法：以硅片作为器件衬底，在此基础上蒸镀底部金属电极，之后利用磁控溅射的方法制备一层过渡层，再在过渡层上依次旋涂空穴传输层、钙钛矿发光层、修饰层，旋涂完成后利用真空蒸镀的方式依次制备电子传输层、透明电极及增透介质。该发光二极管解决了p型硅片能带不够匹配的问题；克服了空穴传输层在不同衬底上性状不统一的困难；在保证电流正常注入、不损害钙钛矿层的前提下尽可能提高出光率从而提升器件的外量子效率。

公开(公告)号：CN111403616B

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202010235696.1

申请日：2020-03-30

Applicant: 浙江大学

Inventor： 方彦俊 ,  秦丰尤 ,  田鸿君 ,  闫敏行 ,  杨德仁

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公开了一种溴无机盐钙钛矿薄膜及其制备方法，该溴无机盐钙钛矿薄膜的分子式为[PbBr2‑MBr‑CsBr‑MBr]n‑PbBr2；其中，MBr为NaBr、LiBr或KBr；n为1‑10；该制备方法，包括：将需要沉积的基材置于真空密闭腔室中；依次开启PbBr2、CsBr和MBr的蒸发源，并分层沉积到基材上形成[PbBr2‑MBr‑CsBr‑MBr]钙钛矿层，循环沉积若干周期，最上层沉积单层PbBr2，退火处理，形成溴无机盐钙钛矿薄膜。本发明所提供的溴无机盐钙钛矿薄膜具有良好的导电性，其光致发光量子产率较高，适用于制备电致发光器件，以溴无机盐钙钛矿薄膜为发光层的钙钛矿发光二极管具有载流子迁移率高、激子束缚能高、发光效率高、元素丰度高和成本低等特点。