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公开(公告)号：CN103943226A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410193892.1
申请日：2014-05-09
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开的具有镍-石墨烯复相护层的电线电缆，包括导电线芯和包裹在导电线芯外的镍-石墨烯复相护层，或者在护层外还有一层绝缘层。其制备包括：将硫酸镍、氯化镍、硼酸和表面活性剂配制成镍镀液；将石墨烯纳米片加入到镍镀液中，得到含石墨烯纳米片的电镀液；以镍片为阳极，去除表面氧化物的导电线芯为阴极，置于电镀液中电镀，得到具有镍-石墨烯复相护层的电线电缆，或在其外再包塑一层绝缘层。本发明的电线电缆具有重量轻、机械强度高、抗腐蚀性能优异等优点。
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公开(公告)号：CN115605021B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202211266716.7
申请日：2022-10-17
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明涉及半导体器件领域，特别涉及了一种兴奋‑抑制神经形态晶体管、制作方法及工作方法。本发明使用金属‑栅极电介质‑惰性电极构成易失性忆阻器，将易失性忆阻器和场效应管通过惰性电极耦合在一起，可以低成本的完成兴奋‑抑制神经形态晶体管器件的构建，总体形成一个结构紧凑的、可用于同时接受兴奋、抑制输入调控功能的兴奋‑抑制神经形态晶体管。本发明还包括具有多个漏极的兴奋‑抑制神经形态晶体管，可实现同时接受多端兴奋性刺激输入的调控。本发明所涉及的沟道层与惰性电极分别采用二维材料，实现对器件尺寸的极限缩微，使得兴奋‑抑制神经形态晶体管结构紧凑，具有强缩微性，同时降低器件的功耗。
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公开(公告)号：CN119522036A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202510080307.5
申请日：2025-01-20
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明提供一种复合多层忆阻器及其制备方法，本发明的复合多层忆阻器设有具有阵列化通孔的活性电极调制层，使得活性电极层原子在穿过功能层前，预先经活性电极调制层进行了活性电极的阵列化优化，实现了导电细丝形成位点的阵列化调控，因此显著提升了忆阻器的均一性和稳定性。不同于专门的活性电极阵列化制备工艺，本方法通过调控功能层的制备工艺，可直接实现功能层和活性电极调制层的连续制备，无需复杂的制备工艺，成本低廉，可大规模制备。
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公开(公告)号：CN118968523A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410998538.X
申请日：2024-07-24
Applicant: 浙江大学
IPC: G06V30/19 , G06V30/226 , G06F30/27 , G06N3/04 , G06N3/084 , G06N3/063 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种基于随机阈值开关忆阻器的手写数字图像分类识别方法，包括：获取手写数字图像分类识别数据集，将手写数字图像灰度值归一化后展平为一维矩阵，构造对应数字图像原始通道的泊松编码器；构建手写数字图像分类识别脉冲神经网络，将泊松编码器通过突触连接至随机阈值开关忆阻器模型组成的神经元，由输出神经元输出对应于手写图像的识别结果；通过数据集对手写数字图像分类识别脉冲神经网络进行训练；将手写数字图像展平后输入训练好的手写数字图像分类识别脉冲神经网络，得到手写数字图像分类识别结果。本发明对于解决手写数字图像识别应用领域中与高性能、低能耗存算一体网络架构相关的一系列技术问题具有重要的实际应用价值。
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公开(公告)号：CN112420810B
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202011249244.5
申请日：2020-11-10
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/423 , H01L29/768 , H01L27/148
Abstract: 本发明公开了一种基于单层石墨烯/绝缘层/硅/锗结构的电荷注入器件，包括栅极、锗、硅衬底、氧化物绝缘层、源极、漏极和单层石墨烯薄膜；入射光照射到器件表面时，可见光被半导体硅吸收，其产生的少数载流子被积累到硅衬底中的深耗尽势阱；红外光穿过硅层，被锗，以及锗与硅形成的异质结所吸收，在电场的作用下，产生的少数载流子被注入到体硅的深耗尽势阱中。由于电容耦合效应，器件表面的石墨烯会耦合出与势阱中的空穴对应的等量电子，从石墨烯的电流中能够实时读出硅势阱中电荷。锗作为窄带隙半导体，对红外波段光线的吸收能力卓越。本发明通过使用石墨烯和锗，拓展了传统CCD器件的光谱响应范围，极大提高了传统CCD器件在红外波段的吸收效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118678875A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410708682.5
申请日：2024-06-03
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种无亚阈值摆幅的阻变场效应晶体管及其制备方法。本发明将易失性阻变开关集成至晶体管的漏端，设计易失性阻变开关与沟道的电阻匹配关系，使得晶体管以近零摆幅的切换斜率从关态直接进入线性区/饱和区，亚阈值电流被抑制，开启电压增大至接近于工作电压，打破驱动系数的限制，实现无亚阈值切换行为，并具有大的开关比和超低关态电流。本发明公开的集成结构在满足电阻匹配的设计要求下，适配于多种沟道，实现小电压无亚阈值工作，且与CMOS工艺兼容，适用于大规模阵列和电路的设计及制备。
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公开(公告)号：CN118016590A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410075239.9
申请日：2024-01-18
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/762 , H01L29/10 , H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明公开了一种远程掺杂二维材料的方法及应用，该方法在二维材料表面先利用原子层沉积法制备高介电常数的中间介质，再利用磁控溅射法制备多缺陷密度的顶层介质。顶层介质中的带正电的电离杂质透过中间介质引起二维材料的电荷重新分布，从而实现远程静电调控二维材料的电子浓度。该方法将掺杂源与二维材料进行空间上的隔离，解决二维材料在掺杂过程中受到带电杂质引起的散射问题。利用该方法可以在提高二维材料场效应晶体管电子浓度的同时，不引起迁移率的退化，并且兼容目前的硅基加工工艺，可应用于大规模集成电路加工。
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公开(公告)号：CN114411148B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202111641991.8
申请日：2021-12-29
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明提供了一种二维材料、二维材料合金以及二维材料异质结制备方法，属于二维材料制备的技术领域。通过热蒸发镀膜方法在硅片上制备金属薄膜或者金属氧化物薄膜作为前驱体薄膜，将镀有前驱体薄膜的硅片与衬底面对面放置于蒸发舟中，利用化学气相沉积方法硫化前驱体薄膜，在衬底上生长二维过渡金属硫族化物。通过改变前驱体薄膜的厚度、硅片与衬底面对面的间距，能够得到厚度和尺寸可控的二维材料。本发明提供的制备方法普遍适用于二维材料的生长，包括二维过渡金属硒族化物和二维过渡金属碲族化物，同时能够用于二维材料合金以及异质结构材料的制备，制备工艺简单且可重复性高，能够有效的改善二维材料生长过程中的可控性和稳定性。
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公开(公告)号：CN117628015A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311559120.0
申请日：2023-11-21
Abstract: 本发明公开了一种面向非光滑负载轨迹的阀控液压驱动器参数匹配及优化方法，该方法包括：根据液压系统有效压力，确定液压驱动器缩回工况负载向伸出工况负载等效的表达式；根据负载功率分布，确定负载等效表达式的待求参数，进行负载等效；基于等效后负载轨迹，确定液压驱动器输出特性曲线对等效后负载轨迹的紧密包络方法，匹配液压驱动器参数；基于液压驱动器的速度平方刚度，优化获得适用于加工和选型的液压驱动器参数。采用本发明的方法可拓宽现有液压驱动器参数匹配方法的适用范围，对非光滑负载轨迹进行参数匹配；与此同时，提供了一种面向加工和选型的液压驱动器参数优化方法，以确保工程使用的液压驱动器能满足驱动负载的需求。
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公开(公告)号：CN114582985B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202210066651.5
申请日：2022-01-20
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0224 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种硅基石墨烯光电二极管阵列及其CMOS集成方法，该阵列由下至上依次包括p型半导体硅衬底、二氧化硅层、透明隔离保护层；衬底上形成阵列排布的N阱，每个N阱配置一个通过欧姆接触连接的硅基石墨烯CMOS读出电路；二氧化硅层开有硅窗口和硅通孔；硅通孔上端设有金属电极，读出电路通过硅通孔与金属电极电连接；硅窗口上覆盖与N阱接触的单层石墨烯薄膜，单层石墨烯薄膜一端搭接在二氧化硅层上，另一端搭接在金属电极上，形成一个光电二极管的像素单元；各像素单元间通过隔离阱进行串扰隔离。本发明充分利用石墨烯的宽光谱吸收特性，以及硅基技术的低噪声、低成本等优势，有利于拓宽光谱响应范围、提高成像质量以及拓展应用场景。
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