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公开(公告)号：CN113594368A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110661417.2
申请日：2021-06-15
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种宽带隙钙钛矿活性层的制备方法，通过在第一步制备卤化铅层的同时引入卤化铯盐，通过调节制备参数使其优先形成少量的全无机铯铅卤钙钛矿，第二步覆盖卤化甲脒甲胺混合盐制备形成钙钛矿活性层，解决了由于宽带隙钙钛矿Br含量增加，使得钙钛矿容易相分离的问题，从而大幅度提高了宽带隙钙钛矿太阳电池的性能和稳定性，同时，提高了高性能宽带隙钙钛矿太阳电池制备的重复性。本发明还提供了一种基于宽带隙钙钛矿活性层的太阳电池制备方法，所涉及的器件结构从下至上分别为透明导电玻璃、电子传输层、钙钛矿活性层、空穴传输层和金属电极层，利用本发明，极大地促进了低成本宽带隙钙钛矿太阳电池在叠层电池里的应用及商业化。
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公开(公告)号：CN111564523B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010235305.6
申请日：2020-03-30
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0368 , H01L31/04
Abstract: 本发明公开了一种抑制多晶硅太阳电池在高温下光致衰减的方法，包括：(1)将导电金属板放置在加热设备上，温度设置成120～200℃；(2)待导电金属板的温度稳定后，将多晶硅太阳电池放置在导电金属板上，反向连接恒流电压源，然后打开恒流电压源，调节电压为1～2V，进行反向偏压处理5～15分钟；(3)待反向偏压处理完后，取下电池，将加热设备的温度设置成200～320℃；(4)待导电金属板的温度稳定后，将多晶硅太阳电池放置在导电金属板上，正向连接恒压电流源；然后打开恒压电流源，调节电流为10～20A，进行正向大电流处理，10～20分钟后得到所需的多晶硅太阳电池。本发明方法的处理时间短，可以有效抑制PERC结构多晶硅太阳电池在较高温度下的光致衰减。
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公开(公告)号：CN110323127B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201910482155.6
申请日：2019-06-04
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种利用PEALD在硅衬底上生长石墨烯的方法，将干净硅衬底置于反应室中进行PEALD循环，每个循环包括步骤：(1)进行碳源或辅助源吸附；所述碳源选自苯系物、甲烷中的至少一种；所述辅助源为含氧有机物；(2)清洗吸附后的硅衬底，进行等离子体脉冲；(3)清洗等离子体脉冲后的硅衬底。本发明可在硅衬底上大面积生长石墨烯，与目前硅基半导体技术良好的相容性。本发明通过使用含氧小分子促进生长，一方面作为小分子碳弥补了空位型缺陷，减小了反应后的缺陷峰D峰，另一方面氧元素的参与促进了生长过程中苯的脱氢过程，减少了成膜后的皱褶大小，提高硅衬底上原子层沉积生长大面积生长石墨烯的质量。
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公开(公告)号：CN110323127A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910482155.6
申请日：2019-06-04
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种利用PEALD在硅衬底上生长石墨烯的方法，将干净硅衬底置于反应室中进行PEALD循环，每个循环包括步骤：(1)进行碳源或辅助源吸附；所述碳源选自苯系物、甲烷中的至少一种；所述辅助源为含氧有机物；(2)清洗吸附后的硅衬底，进行等离子体脉冲；(3)清洗等离子体脉冲后的硅衬底。本发明可在硅衬底上大面积生长石墨烯，与目前硅基半导体技术良好的相容性。本发明通过使用含氧小分子促进生长，一方面作为小分子碳弥补了空位型缺陷，减小了反应后的缺陷峰D峰，另一方面氧元素的参与促进了生长过程中苯的脱氢过程，减少了成膜后的皱褶大小，提高硅衬底上原子层沉积生长大面积生长石墨烯的质量。
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公开(公告)号：CN109116209A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810857480.1
申请日：2018-07-31
Applicant: 浙江大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种氧化硅-硅界面态密度和俘获界面的测试方法，包括以下步骤：(1)在硅片表面单面生长氧化硅薄膜，然后在氧化硅薄膜表面生长金属薄膜，最后在硅片另一表面刮擦InGa溶液，进而制得适用于电学测试的MIS结构器件；(2)在不同测试温度T下进行电容瞬态测试，获得电容在载流子发射过程中的变化，经过转化变为电荷密度为Nit的瞬态电容。对Nit关于时间t进行求导，求得在不同测试温度下电荷的发射速率ep；(3)在不同测试温度T获得的电荷密度下，作ln(ep/T2)关于1/T的函数，由斜率和截距分别求得界面态密度和俘获截面随能级的分布。利用本发明，可以获取俘获截面与界面态密度随能级位置的分布，应用广泛。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109097827A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810769506.7
申请日：2018-07-13
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种双晶向多晶硅铸锭及其制备方法。包括如下步骤：分别将 晶向单晶棒的标准{100}晶面顺时针及逆时针旋转相同的角度，沿着旋转后的晶面切割，得到对称晶向的单晶籽晶，将对称晶向的单晶籽晶相邻间隔排列形成籽晶层，铺设在坩埚底部；再将硅料置于籽晶层上，加热控制坩埚温度，使得硅料完全融化而籽晶层部分融化，诱导部分熔化的籽晶层生长，通过定向凝固得到了 和 双晶向的多晶硅铸锭。该方法避免了由于籽晶摆放形成的晶向差而导致的位错，规则的双晶向多晶硅铸锭上部的位错密度低于5×104/cm2，有效的提高了多晶硅铸锭的质量。
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公开(公告)号：CN109061430A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810857911.4
申请日：2018-07-31
Applicant: 浙江大学
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2601
Abstract: 本发明公开了一种半导体间界面态密度和俘获截面的测试方法，包括以下步骤：(1)在半导体薄片表面生长同质或异质的半导体薄膜，进而形成同质结或异质结；(2)对上述同质结或异质结上生长金属薄膜后，在不同测试温度T下进行电容瞬态测试，获得电容在载流子发射过程中的变化，经过转化变为电荷Nit的瞬态电容；(3)对上述电荷Nit关于时间t求导，求得在不同测试温度下电荷的发射速率ep；(4)在不同的电荷密度下，作ln(ep/T2)关于1/T的函数，由斜率和截距分别求得界面态密度和俘获截面随能级的分布。利用本发明，可以获取俘获截面与界面态密度随能级位置的分布，应用广泛。
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公开(公告)号：CN108796605A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810688397.6
申请日：2018-06-28
Applicant: 浙江大学
IPC: C30B28/06 , C30B29/06 , C23C16/455 , C23C16/40
CPC classification number: C30B28/06 , C23C16/403 , C23C16/45525 , C30B29/06
Abstract: 本发明公开了一种使用氧化铝薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚，所述坩埚的底座内表面设有氮化硅涂层和阻挡层，所述阻挡层为表面沉积有Al2O3薄膜的太阳能级单晶硅片。通过本发明提供的准单晶硅铸锭用坩埚铸造的准单晶硅铸锭底部红区宽度可限制到约5mm左右，铸锭的少子寿命大于2μs；有效提高了准单晶硅锭的利用率。将本发明提供的准单晶锭切割成硅片，硅片中的杂质浓度较低，硅片的少子寿命较高，制成电池后的效率较高，其平均转换效率为18％～18.5％。
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公开(公告)号：CN102560685B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201210031456.5
申请日：2012-02-13
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于金刚线切割的单晶硅片的湿法制绒方法，包括：(1)将所述的单晶硅片经清洗、晾干，于60-80℃条件下在由重量比为10-20∶0.8-12∶100-200的NaOH、异丙醇和去离子水组成的混合溶液中浸泡腐蚀20-400s，得预处理后的单晶硅片；(2)将预处理后的单晶硅片清洗后，用常规单晶硅制绒工艺进行制绒。本发明的方法成功的将金刚线切割的单晶硅片应用于现有的制绒工艺中进行制绒，绒面大小合适、分布更均匀，且不增加制绒时间和成本。
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公开(公告)号：CN101935869B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201010284947.1
申请日：2010-09-17
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种用于生长铸造单晶硅的坩埚及衬底片，能够有效减少铸造单晶硅时籽晶的用量，结构简单，成本低廉。所述坩埚的底部设有若干个连续的斗冠形结构、若干个连续的胞形结构或若干个连续的半球形结构。所述衬底片的外壁为方形结构，内壁为若干个连续的斗冠形结构、若干个连续的胞形结构或若干个连续的半球形结构。
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