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公开(公告)号：CN101935869B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201010284947.1
申请日：2010-09-17
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种用于生长铸造单晶硅的坩埚及衬底片，能够有效减少铸造单晶硅时籽晶的用量，结构简单，成本低廉。所述坩埚的底部设有若干个连续的斗冠形结构、若干个连续的胞形结构或若干个连续的半球形结构。所述衬底片的外壁为方形结构，内壁为若干个连续的斗冠形结构、若干个连续的胞形结构或若干个连续的半球形结构。
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公开(公告)号：CN102560641A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210073813.4
申请日：2012-03-20
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种掺杂电阻率均匀的N型铸造硅多晶及其制备方法，其中方法包括如下步骤：将多晶硅料、磷掺杂剂和镓混合后熔融，再利用铸造法生长硅多晶体。本发明可以将90％左右高度的N型磷掺杂多晶硅铸锭的电阻率控制在1.0-2.0Ω.cm范围内，有利于增加N型多晶硅材料在制备高效太阳能电池过程中的利用率，从而使得高效太阳能电池的制造成本大幅度降低，而且操作简单，易于在光伏产业大规模应用。
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公开(公告)号：CN102560627A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210073865.1
申请日：2012-03-20
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种掺杂电阻率均匀的N型直拉硅单晶及其制备方法，其中方法包括如下步骤：将多晶硅料、磷掺杂剂和镓混合后熔融，再利用直拉法生长硅单晶体。利用本发明方法制备得到的掺杂电阻率均匀的N型直拉硅单晶可以将N型直拉硅单晶的整根晶体的电阻率控制在1.0～2.0Ω.cm范围内，有效提高N型硅晶体在制备太阳能电池过程中的利用率，从而显著降低太阳能电池的制造成本，操作简单，易于在光伏产业推广应用。
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公开(公告)号：CN101935869A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010284947.1
申请日：2010-09-17
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种用于生长铸造单晶硅的坩埚及衬底片，能够有效减少铸造单晶硅时籽晶的用量，结构简单，成本低廉。所述坩埚的底部设有若干个连续的斗冠形结构、若干个连续的胞形结构或若干个连续的半球形结构。所述衬底片的外壁为方形结构，内壁为若干个连续的斗冠形结构、若干个连续的胞形结构或若干个连续的半球形结构。
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公开(公告)号：CN102560627B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201210073865.1
申请日：2012-03-20
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种掺杂电阻率均匀的N型直拉硅单晶及其制备方法，其中方法包括如下步骤：将多晶硅料、磷掺杂剂和镓混合后熔融，再利用直拉法生长硅单晶体。利用本发明方法制备得到的掺杂电阻率均匀的N型直拉硅单晶可以将N型直拉硅单晶的整根晶体的电阻率控制在1.0～2.0Ω.cm范围内，有效提高N型硅晶体在制备太阳能电池过程中的利用率，从而显著降低太阳能电池的制造成本，操作简单，易于在光伏产业推广应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102142359A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201010584771.1
申请日：2010-12-13
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/322
Abstract: 本发明公开了一种硅片外吸杂方法，包括以下步骤：将铟源涂布在硅片表面，在氧气气氛下，将硅片放入常规热处理炉或快速热处理炉中保温一段时间，冷却至室温，在氢氟酸中浸泡以去除表面玻璃层；其中，所述的保温温度为700℃-1000℃，在所述的常规热处理炉保温的时间为30-120分钟，在所述的快速热处理炉保温的时间为1-10分钟。本发明方法操作简单、成本低廉，且吸杂效果非常好。
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公开(公告)号：CN102560646B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201210073988.5
申请日：2012-03-20
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种掺杂电阻率均匀的N型铸造硅单晶及其制备方法，其中方法包括如下步骤：将无位错的原料单晶硅块铺满坩埚底部，再将多晶硅料、磷掺杂剂和镓放入坩埚中，升温熔融多晶硅料、磷掺杂剂、镓和靠近多晶硅的部分原料单晶硅块，利用铸造法生长硅单晶体。本发明可以将90％左右高度的N型磷掺杂单晶硅铸锭的电阻率控制在1.0～2.0Ω.cm范围内，有效提高N型单晶硅在制备太阳能电池过程中的利用率，从而显著降低太阳能电池的制造成本，操作简单，易于在光伏产业推广应用。
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公开(公告)号：CN102593263A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210073816.8
申请日：2012-03-20
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种N型晶体硅背发射结太阳能电池的制备方法及该方法中所用到的腐蚀液，其中方法包括如下步骤：先对N型晶体硅片采用腐蚀液进行化学减薄，厚度减薄到50～150μm，然后利用标准工艺制备太阳能电池。本发明还公开了所述的N型晶体硅背发射结太阳能电池的制备方法中所用的腐蚀液，腐蚀液由硝酸，氢氟酸，水和/或醋酸组成。本发明方法制备的N型晶体硅背发射结太阳能电池的电池效率高，当衬底材料为多晶硅片或低质量的单晶硅片，电池效率显著提升，并且涉及到的工艺设备都是P型太阳能电池生产线上的已有设备，无需额外投入较大成本，操作简单，利于在光伏产业实现大规模应用。
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公开(公告)号：CN101935867A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010284738.7
申请日：2010-09-17
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种生长大晶粒铸造多晶硅的方法，包括：将中心开孔的石英片铺在坩埚底部；其中石英片为梯形体结构，石英片的两平行底面中面积较小的底面与所述坩埚底部接触；先将单晶硅块填入所述石英片的开孔位置，再依次放入多晶硅原料和掺杂元素；加热使多晶硅原料和掺杂元素完全融化，而坩埚底部的单晶硅块部分融化；热交换从坩埚底部开始，单晶硅块作为籽晶诱导生长，硅熔体从底部向上定向凝固形成大晶粒铸造多晶硅。本发明解决了铸锭时单晶硅块作为籽晶完全融化的问题，有利于硅熔体主要通过籽晶诱导生长；大大减少了籽晶的用量，降低了生产成本；同时，操作过程简单，可在不改变目前生长工艺的条件下生长大晶粒铸造多晶硅。
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