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公开(公告)号：CN102659115A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210119526.2
申请日：2012-04-20
申请人： 中国恩菲工程技术有限公司 , 洛阳中硅高科技有限公司
IPC分类号： C01B33/107
CPC分类号： Y02P20/124
摘要： 本发明提供了用于处理四氯化硅氢化副产物的方法。该方法包括以下步骤：将四氯化硅氢化副产物供给到气固分离装置，以便进行气固分离以得到含有三氯氢硅、四氯化硅、二氯二氢硅、氢气的第一气体混合物和固体颗粒；以及将所述第一气体混合物与第二气体混合物在热交换装置中进行热交换，其中，所述第二气体混合物为四氯化硅和氢气的混合物。根据本发明实施例的用于处理四氯化硅氢化副产物的方法能耗低，成本低，热量回收率高。并且可以避免固体颗粒堵塞管道，提高固体物料利用率，从而保证管道和设备的正常运行。
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公开(公告)号：CN113244738B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202110501874.5
申请日：2021-05-08
申请人： 洛阳中硅高科技有限公司 , 中国恩菲工程技术有限公司
IPC分类号： B01D53/04
摘要： 本发明涉及物料的分离和回收技术领域，具体涉及一种吸附装置。所述吸附装置包括吸附塔和加热装置，所述吸附塔具有容纳腔以及与所述容纳腔连通的吸附气进口、吸附气出口、气体进口和尾气出口，所述容纳腔内装填有吸附剂，所述吸附剂在上下方向上位于所述吸附气进口和所述吸附气出口之间。所述加热装置的至少一部分设在所述容纳腔的内部，所述加热装置与所述吸附剂配合以便加热再生所述吸附剂。该吸附装置具有物料处理工艺过程简单、吸附剂可以完全重复使用以及分离出的物料可以实现回收等优点。
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公开(公告)号：CN112944205B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202110270910.1
申请日：2021-03-12
申请人： 中国恩菲工程技术有限公司 , 洛阳中硅高科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种氯硅烷充装系统和氯硅烷充装方法，氯硅烷充装系统包括充装管、保护气源、氯硅烷储罐、气液分离装置、真空泵和冷却装置，充装管具有保护气口、氯硅烷进口、抽真空口和充装接口，保护气源与保护气口连通，氯硅烷储罐与氯硅烷进口连通，气液分离装置设在充装管上，气液分离装置位于氯硅烷进口和充装接口之间，真空泵与抽真空口连通，冷却装置设在充装管上且位于气液分离装置和充装接口之间，冷却装置用于将气态氯硅烷冷却为液态氯硅烷并分离和排出氯硅烷中的不凝气体。本发明的氯硅烷充装系统，避免了氯硅烷中杂质和颗粒度超标的情况，提升了氯硅烷的充装品质。
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公开(公告)号：CN115607998A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211182971.3
申请日：2022-09-27
申请人： 洛阳中硅高科技有限公司 , 天津大学 , 中国恩菲工程技术有限公司
摘要： 本发明提供了一种硅基电子化学品的提纯装置与方法。该硅基电子化学品的提纯装置，包括依次连通的脱重单元、共沸萃取单元和脱轻单元，其中，脱重单元用于将硅基化合物粗品进行重组分脱除处理，得到脱重硅基化合物粗品；共沸萃取单元用于将脱重硅基化合物粗品和水混合进行共沸萃取，得到硅基化合物馏分和液态混合物；脱轻单元，用于将硅基化合物馏分进行轻组分脱除，得到硅基电子化学品。本申请提供的提纯装置将硅基化合物粗品依次通过脱重单元、共沸萃取单元和脱轻单元依次进行重组分脱除、与水共沸萃取以及轻组分脱除，将硅基化合物粗品中的金属离子去除，制备得到的硅基电子产品能够满足集成电路等领域对于硅基化合物纯度的要求。
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公开(公告)号：CN113797568B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202110963725.0
申请日：2021-08-20
申请人： 洛阳中硅高科技有限公司 , 中国恩菲工程技术有限公司
摘要： 本发明提供了一种电子级三(二甲氨基)硅烷的合成装置及合成方法。电子级三硅烷的合成装置包括：原料预混合装置、反应单元、加压装置和纯化单元，原料预混合装置设置有氯接收剂入口、氯化二甲胺入口、溶剂入口和混合液出口；反应单元设置有惰性气氛入口、混合液入口、三氯氢硅入口和粗产品出口，混合液入口与混合液出口连通设置；加压装置用于调节反应单元中的压力；及纯化单元设置有纯化入口和排料口，纯化入口与粗产品出口通过粗产品输送管路连通设置。采用上述合成装置对反应原料种类和加料方式进行改变，同时设置加压装置能够降低反应装置中反应温度的波动性，并降低工艺成本。
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公开(公告)号：CN115159528A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210820176.6
申请日：2022-07-13
申请人： 洛阳中硅高科技有限公司 , 中国恩菲工程技术有限公司
IPC分类号： C01B33/035
摘要： 本发明提供了一种多晶硅还原炉用石墨组件，包括：夹持体，中部设置有贯穿的硅芯安装孔，用于固定硅芯；石墨基座，一侧端面与电极相接，另一侧端面与所述夹持体相接，且与硅芯的一侧端部抵接；紧固件，中部设有固定孔，所述固定孔的下端套设在所述石墨基座上，所述固定孔的中部抵接在所述夹持体的侧面，以将所述夹持体固定在所述石墨基座上。使用该多晶硅还原炉用石墨组件，可以有效避免石墨组件被包覆嵌入硅棒内部，同时，硅棒与石墨组件分离时，将主要在石墨组件整体的上平面处形成断面，能够彻底实现石墨配件与硅棒的分离，同时降低剔除碳头料的难度，从而有利于质量控制，提高多晶硅成品质量控制水平。
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公开(公告)号：CN114180578A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202210141190.3
申请日：2022-02-16
申请人： 中国恩菲工程技术有限公司 , 洛阳中硅高科技有限公司
IPC分类号： C01B33/035 , C07F7/04 , C01B33/107 , C01B3/56
摘要： 本发明提出一种超高纯多晶硅及硅衍生物生产工艺及生产系统，通过开发吸附络合‑高效精馏三氯氢硅纯化技术制备电子级三氯氢硅，以电子级三氯氢硅为原料进一步制备电子级二氯二氢硅，开发光催化反应‑高效精馏纯化技术制备光纤四氯化硅，并以光纤四氯化硅为原料进一步制备电子级正硅酸乙酯。本发明以高纯区熔级多晶硅制造为中心，将物料流进行内循环和再利用，实现副产物的减量化和资源化，形成协同产品链，发挥协同效应，对公辅系统进行集成，相关产品制造装置实现共享，减少装置数量和系统投资。
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公开(公告)号：CN113363457A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110614765.4
申请日：2021-06-02
申请人： 洛阳中硅高科技有限公司 , 中国恩菲工程技术有限公司
摘要： 本发明提供了一种金属氧化物/碳纤维复合膜材料及其制备方法和应用。该金属氧化物/碳纤维复合膜材料包括铜箔基体和负载在铜箔基体表面上的静电纺丝纤维膜，静电纺丝纤维膜直接附着在铜箔基体上，该静电纺丝纤维膜包括碳纤维和金属氧化物，金属氧化物负载在碳纤维中。通过静电纺丝技术得到初纺纤维后，不需将初纺纤维从铜箔接收基体上剥离，直接在管式炉中采用一步热处理法，即可得到紧密附着于铜箔基体上的金属氧化物/碳纤维复合膜。直接裁剪后作为锂离子电池负极使用，无需额外添加粘结剂，也不需再与铜箔集流体进行复合，简化了电极的制备过程。此外，纤维膜与铜箔之间牢固的结合可有效减少在充放电过程中的活性物质脱落，提高材料循环寿命。
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公开(公告)号：CN113019265A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110281394.2
申请日：2021-03-16
申请人： 中国恩菲工程技术有限公司 , 洛阳中硅高科技有限公司
IPC分类号： B01J8/04 , B01D3/14 , B01D3/32 , C01B33/107
摘要： 本发明属于化工领域，具体涉及一种反应装置，还涉及一种使用该反应装置制备最终产物的方法。所述反应装置包括中间产物制备器和最终产物制备器，中间产物制备器具有第一容纳腔、原料进口和中间产物出口，其中，第一容纳腔内设有第一催化剂层和第一精馏层，第一精馏层位于第一催化剂层的上方，中间产物出口位于第一精馏层的上方；最终产物制备器具有第二容纳腔、中间产物进口和第一最终产物出口，中间产物进口与中间产物出口连通，第二容纳腔内设有第二催化剂层和第二精馏层，第二精馏层位于第二催化剂层的上方，第一最终产物出口位于第二精馏层的上方。本发明实施例的反应装置具有反应条件宽松、反应容易控制、杂质生成少、反应成本低等优点。
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公开(公告)号：CN112157055A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202010843753.4
申请日：2020-08-20
申请人： 洛阳中硅高科技有限公司 , 中国恩菲工程技术有限公司
摘要： 本申请提出一种清洗处理方法、酸温度控制设备和清洗处理设备，其中，方法包括：对硅晶对象进行水洗，对经过水洗的硅晶对象，采用经过温控的酸液进行酸洗，并在酸洗过程中，对硅晶对象进行抖动，对经过酸洗的硅晶对象进行漂洗，对经过漂洗的硅晶对象顺序进行超声处理和干燥处理，本申请在执行酸洗的过程中，通过温控使得酸液保持在设定温度，提高了酸洗的效率，而对硅晶对象的抖动使得硅晶对象和酸液可以充分接触，提高了酸洗的效果，同时，结合水洗和超声波洗，有效去除了硅晶对象表面的金属残留，以及其它杂质，提高了清洗处理的效果。
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