公开(公告)号：CN115159528A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202210820176.6

申请日：2022-07-13

申请人： 洛阳中硅高科技有限公司 ,  中国恩菲工程技术有限公司

发明人： 孙强 ,  贠俊辉 ,  万烨 ,  严大洲 ,  杨涛 ,  孙金照 ,  聂冬冬 ,  常卓明

IPC分类号： C01B33/035

摘要： 本发明提供了一种多晶硅还原炉用石墨组件，包括：夹持体，中部设置有贯穿的硅芯安装孔，用于固定硅芯；石墨基座，一侧端面与电极相接，另一侧端面与所述夹持体相接，且与硅芯的一侧端部抵接；紧固件，中部设有固定孔，所述固定孔的下端套设在所述石墨基座上，所述固定孔的中部抵接在所述夹持体的侧面，以将所述夹持体固定在所述石墨基座上。使用该多晶硅还原炉用石墨组件，可以有效避免石墨组件被包覆嵌入硅棒内部，同时，硅棒与石墨组件分离时，将主要在石墨组件整体的上平面处形成断面，能够彻底实现石墨配件与硅棒的分离，同时降低剔除碳头料的难度，从而有利于质量控制，提高多晶硅成品质量控制水平。

公开(公告)号：CN217921499U

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202221796117.1

申请日：2022-07-13

申请人： 洛阳中硅高科技有限公司 ,  中国恩菲工程技术有限公司

发明人： 孙强 ,  贠俊辉 ,  万烨 ,  严大洲 ,  杨涛 ,  孙金照 ,  聂冬冬 ,  常卓明

IPC分类号： C01B33/03

摘要： 本实用新型提供了一种多晶硅还原炉用石墨组件，包括：夹持体，中部设置有贯穿的硅芯安装孔，用于固定硅芯；石墨基座，一侧端面与电极相接，另一侧端面与所述夹持体相接，且与硅芯的一侧端部抵接；紧固件，中部设有固定孔，所述固定孔的下端套设在所述石墨基座上，所述固定孔的中部抵接在所述夹持体的侧面，以将所述夹持体固定在所述石墨基座上；其中，所述夹持体远离所述石墨基座的一侧的顶部为平面或者锥面。使用该多晶硅还原炉用石墨组件，可以有效避免石墨组件被包覆嵌入硅棒内部，从而有利于质量控制，提高多晶硅成品质量控制水平。

公开(公告)号：CN117966264A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202410150732.2

申请日：2024-02-02

申请人： 洛阳中硅高科技有限公司

发明人： 万烨 ,  陈辉 ,  张邦洁 ,  常卓明 ,  严大洲

IPC分类号： C30B25/14 ,  C30B29/36

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种化学气相沉积制备高纯碳化硅的方法，包括以下步骤：(1)将原料一甲基三氯硅烷进行精馏提纯，使其纯度大于99.99％，杂质含量低于5ppm；(2)将提纯后的一甲基三氯硅烷和氢气混合、汽化后，进行反应；(3)将反应后的尾气经过冷却降温至室温，然后对其加压至0.6～1.0MPa，并与冷媒换热，进一步降温至‑40℃，形成冷凝液，将冷凝液送入精馏提纯工序，分离得到高纯的一甲基三氯氢硅；(4)将步骤(3)中未冷凝的尾气送入鼓泡淋洗、蒸馏分离，从吸附饱和的氯硅烷液体中分离出氯化氢；(5)鼓泡淋洗后的尾气经活性炭变压吸附，分离出高纯的氢气。

公开(公告)号：CN221254691U

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202323097407.4

申请日：2023-11-16

申请人： 洛阳中硅高科技有限公司

发明人： 张邦洁 ,  陈辉 ,  万烨 ,  常卓明 ,  严大洲

IPC分类号： C23C16/32 ,  C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  C23C16/455 ,  C01B32/963

摘要： 本实用新型公开了一种棒状碳化硅沉积装置，该装置包括炉筒和底盘，炉筒和底盘封围成炉腔，所述底盘上贯通设有进气管、出气管以及沉积组件；炉筒为双层侧壁结构，炉筒的外壁下部设有进口I、上部设有出口I，炉筒内壁的外表面上螺旋形隔板；由进口I进入炉筒侧壁空腔内的冷却介质能够螺旋向上流动并经出口I流出。底盘的内部中空，底盘上设有进口II和出口II，由进口II进入的冷却介质能够在底盘的中空区域内流动并经出口II流出，出口I和出口II连接有能量回收系统。利用该装置能够制备出棒状碳化硅材料，克服了传统CVD法所制备的碳化硅材料为粉体形式的缺点，具有材料体积大且致密度高，产品易收集和处理的优势，且能够回收热量进行综合利用。

公开(公告)号：CN221918215U

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202420260890.9

申请日：2024-02-02

申请人： 洛阳中硅高科技有限公司

发明人： 张邦洁 ,  陈辉 ,  万烨 ,  常卓明 ,  严大洲

IPC分类号： C23C16/24 ,  C23C16/32 ,  C23C16/455

摘要： 本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种用于制备棒状硅基材料的化学气相沉积装置，包括炉筒、底盘、设置于底盘上的进气口和出气口、设置于底盘上的电极，炉筒内设置有载体，所述载体通过石墨连接件与电极连接，还包括设置于底盘上的隔热导流部件。本实用新型通过在化学气相沉积装置内设置隔热导流部件，可使气流不断受热从而加快气体的上升流速，提高沉积层的致密度，改善沉积多晶硅材料或者碳化硅材料的表观质量；在隔热导流部件内部形成上升气流，隔热导流部件与炉筒之间形成下降气流，阻隔上下气流、内外气流的相互干扰，形成稳定的物料循环流动轨迹，降低物料的反应停滞时间，提高物料反应转化率。

公开(公告)号：CN221759523U

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202323636674.4

申请日：2023-12-29

申请人： 洛阳中硅高科技有限公司

发明人： 孙强 ,  员俊辉 ,  万烨 ,  严大洲 ,  杨涛 ,  乔兵超 ,  聂冬冬 ,  常卓明

IPC分类号： C01B33/035

摘要： 本实用新型提供了一种用于电子级多晶硅还原炉的石墨组件，应用于电子级多晶硅制造技术领域。所述组件包括基座，所述基座设置有电极安装孔；所述基座设置有横向置换孔；所述基座设置有第一纵向置换孔；所述基座和硅棒支撑帽螺纹连接；所述基座和硅芯夹持体螺纹连接，所述硅芯夹持体设置有硅芯安装孔；所述硅芯夹持体设置有第二纵向置换孔。以此方式，可以提高对硅芯夹持以及后续硅棒生长的稳定性，同时能够有效提高配件密闭空间的空气置换效率。