一种自持金刚石厚膜衬底上低温沉积Ga2O3薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN114790541A

    公开(公告)日:2022-07-26

    申请号:CN202210222901.X

    申请日:2022-03-09

    Abstract: 一种自持金刚石厚膜衬底上低温沉积Ga2O3薄膜的制备方法,属于薄膜材料制造技术领域。步骤为:将自支撑金刚石厚膜基片依次通过丙酮、乙醇以及去离子水超声波清洗8‑12分钟后,用氮气吹干送入反应室;采用ECR‑PEMOCVD系统,将反应室抽真空至6.0×10‑4Pa,将所述聚酰亚胺基片加热至室温~200℃,向反应室内通入氩气携带的三甲基镓、氧气,二者流量比为(2~5):(50~80),控制气体总压强为1.0~3.0Pa;电子回旋共振频率为500‑800W,制备时间60min~240min,得到在自持金刚石基片的Ga2O3光电薄膜。本发明可以在较低的温度下制备出高性能的Ga2O3薄膜材料,制备工艺简单。

    微小型半导体温差发电机
    49.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112803833A

    公开(公告)日:2021-05-14

    申请号:CN202011450218.9

    申请日:2020-12-11

    Abstract: 本发明公布了一种微小型半导体温差发电机,包括温差发电片、吸热块、散热块、USB升压模块、导热贴、保温材料、蓄电池;所述温差发电装置和USB升压模块之间通过导线及热缩管连接,温差发电装置的上方设置有吸热块,温差发电装置的下方设置有散热块,USB升压模块连接蓄电池,所述吸热块的外表面包覆有保温材料。所述USB升压模块将产生的电流传递至蓄电池,供给小型用电器。本发明污染较小,电压较稳定,且操作方便,无后期维护费用。

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